擴散課工藝(氧化工藝、擴散工藝、合金工藝、氧化層電荷、lpcvd工藝)培訓(xùn)課程-資料下載頁
2025-07-13 20:01本頁面
【導(dǎo)讀】擴散課工藝培訓(xùn)培訓(xùn)內(nèi)容?阻擋住不需擴散或注入的區(qū)域，使離子不能進入。二次氧化等，緩沖氮化硅應(yīng)力或減少注入損傷氧化工藝-3?氧化膜的作用器件結(jié)。結(jié)構(gòu)致密，均勻性、重復(fù)性好，掩蔽能力強，對光刻膠的粘附性較好，但生長速率較慢，水汽氧化2H2O+SI==SIO2+2H2生長速率快，但結(jié)構(gòu)疏松，掩蔽能力差，氧化。加入HCL后，氧化速率有了提高，并且氧化層的質(zhì)量也大有改善。目前柵氧化基本采。但不同熱氧化生長的SiO密。溫度升高，氧化速率增大；BT項目可以使我們即及時掌握爐管的狀態(tài)，防止?fàn)t管受到粘污,使大批園片受損;生變化,因此必須保證其相對穩(wěn)定；定期拉恒溫區(qū)以得到好的溫度控制；換源、換爐管等備件的更換時，需及時進行該QC的驗證工作，以確定爐管正常；會腐蝕爐管甚至流出爐管后腐蝕機器設(shè)備，因此須及時清洗更換爐管和內(nèi)襯管。淀積到硅片表面的金屬層經(jīng)光刻形成一定的互連圖形之后，
【正文】 VD 工藝簡介 5?LPTEOS 是通過低壓熱解正硅酸乙酯生成的，淀積溫度在 650℃ — 750℃，反應(yīng)壓力控制在 400Pa（ 3T）以下，而在實際的工藝中，一般會控制在 67Pa（ 500mT）以下。 ?目前經(jīng)常采用 LPTEOS的淀積溫度為 700℃，反應(yīng)壓力為 210mT。全反應(yīng)為： Si(OC2H4 )5 174。 SiO2 + 4C2H4 +2H2OLPCVD 工藝簡介5LPTEOS 的應(yīng)用： ?4000A 和 20xxA 的 LPTEOS 形成 spacer結(jié)構(gòu)，如下圖所示： ?400A 的 LPTEOS形成兩層多晶硅間的電容； 影響 LPTEOS淀積的幾種因素： ： ，淀積速率明顯增加； 。趨勢圖如下所示 影響 LPTEOS淀積的幾種因素： ?TEOS流量的影響： 在其他條件不變時，增大 TEOS的流量生長速率變大 。 ?反應(yīng)壓力的影響： 淀積速率隨反應(yīng)壓力的增大而增大。趨勢圖如下 LPCVD 工藝 6?LPCVD 工藝控制 ?拉恒溫區(qū)控制溫度 ： 定期拉恒溫區(qū)以得到好的溫度控制，保證爐管內(nèi)各處的生長速率趨向平衡?；旧弦粋€月拉一次恒溫，每次清洗爐管后再拉一次。 ?顆粒檢查 ： TENCOR 6420 監(jiān)控顆粒，規(guī)范是（顆粒數(shù)〈 300 個 / 以上〉。 ?淀積速率 ：淀積速率從膜厚與沉積時間計算得出，這個數(shù)值可以直接反映爐管內(nèi)壓力，溫度或氣體比例的變化。在工藝保持不變的條件下， LP 的淀積速率不會有太大的變化。臥式爐目前的淀積速率是 LPSIN 30A/MIN ； LPTEOS 50A/MIN； LPPOLY 70A/MIN。 ?由于所有爐管的工藝氣體都是自爐口通入，因此爐口的氣體分壓較高，反應(yīng)速率較快，而爐尾則相對較低，于是通常將爐口的工藝溫度降低并爐尾的工藝溫度升高，以補償氣體的濃度差，從而獲得了較好的均勻性 .LPCVD 工藝 7 均勻性檢查 ： 保證硅片中每個芯片和每個硅片的重復(fù)性良好，在發(fā)現(xiàn)均勻性變差時及時進行調(diào)整，一般比較片內(nèi)與片間均勻性兩種，每個星期作一次顆粒均勻性試爐。均勻性控制在 3 SIGMA 以內(nèi)。 折射率： 通過折射率的檢查，我們可以分析 LP Si3N4爐管氣體的流量掌握 MFC的 狀態(tài)，保證膜的成分保持穩(wěn)定，確保質(zhì)量。否則就會使腐蝕時的腐蝕速率難以控制（折射率越大，腐蝕速率越?。? LPCVD 工藝 8?常見問題及處理 ? LPCVD 爐管工藝中斷 ? 對策： 1 根據(jù)提示的中斷信息，找出中斷的真正原因； 2 根據(jù)剩余時間確定返工時間的多少，將返工時間減去 12 分鐘，作為氣體開關(guān)時的補償。特別注意的是：在返工以前園片必須經(jīng)清洗，以防產(chǎn)生顆粒。 ? LPCVD 爐管顆粒問題 對策： 1 分析測量結(jié)果，排除測量的影響 2．對爐管進行 PURGE 后再做； 3． 清洗爐管和假片 ?均勻性問題 對策： 1 檢查溫度、壓力、氣體流量等是否正常，否則更換流量計、清洗壓力計、重新拉恒溫區(qū)。 2 可以調(diào)整各區(qū)的溫度，氣體的流量，淀積時間以調(diào)整均勻性。
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