xxxx年新材料行業(yè)分析報告-資料下載頁
2025-04-06 15:32本頁面
【正文】 T和 PIC等新型功率半導(dǎo)體器件的增長速度要快得多，市場增長空間極為可觀。 ? 募集資金項目計劃產(chǎn)量為 4萬片 /月，其中 VDMOS /月、 IGBT /月、 PIC /月。六英寸 VDMOS每片按 2,300粒、片內(nèi)合格率按 95%計算，則每片 6英寸硅片可產(chǎn)出 2,200粒產(chǎn)品，封裝成成品后最多為 2,200只 /片，據(jù)此計算，本項目建成后， VDMOS的計劃產(chǎn)量為 6,160萬只 /月，年產(chǎn)量近 只，只占 2023年國內(nèi)市場需求量的 %； IGBT按每片合格芯粒為 320粒計算，則項目建成后， IGBT的年產(chǎn)量為 2,300萬只 /年，只占 2023年國內(nèi)市場需求量的 10%左右；同樣，項目 PIC的計劃產(chǎn)量也僅占國內(nèi)市場需求量的極少份額。綜上分析可見，項目建成投產(chǎn)后，公司的產(chǎn)能對市場的影響較小，還不能滿足中國 MOS產(chǎn)品的自然增長，產(chǎn)品供過于求的風(fēng)險較小。 ? ? 公司經(jīng)過多年 MOSFET的研究，已取得突破性進(jìn)展。公司目前主要是在其麥吉柯的 5寸線、 6寸線小批量生產(chǎn)這類產(chǎn)品，公司已經(jīng)解決了 MOS生產(chǎn)中的關(guān)鍵技術(shù)，如 VDMOS、 IGBT和 PIC設(shè)計技術(shù)、高壓功率器件結(jié)終端處理技術(shù)、大面積高質(zhì)量均勻柵氧化層制造技術(shù)等，并在這些設(shè)計和制造技術(shù)中形成了自己的知識產(chǎn)權(quán)。公司已經(jīng)在生產(chǎn)工藝和產(chǎn)品儲備上做好了大規(guī)模進(jìn)軍 6代線的準(zhǔn)備，技術(shù)風(fēng)險不大。 ? 新產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展方向： ? MOSFET：功率 MOSFET的工藝水平已進(jìn)入亞微米甚至向深亞微米發(fā)展。此外，采用自對準(zhǔn)工藝減少掩膜版次數(shù)、采用非均勻漂移區(qū)降低導(dǎo)通電阻等新結(jié)構(gòu)、新工藝也正在不斷涌現(xiàn)。 ? IGBT：由于既有功率 MOSFET高輸入阻抗、驅(qū)動電路簡單等優(yōu)點，又具有功率晶體管漂移區(qū)電導(dǎo)調(diào)制、導(dǎo)通損耗低的特點， IGBT在 600V以上中等電壓范圍內(nèi)成為主流的功率器件，且正逐漸向高壓大電流領(lǐng)域發(fā)展。 ? PIC：技術(shù)發(fā)展趨勢是工作頻率更高、功率更大、功耗更低和功能更全，包括：開發(fā)出高成品率、低成本工藝且兼容于 CMOS和 BiCMOS；針對包括多個大功率器件的單片 SPIC的研究；能在高溫下工作并具有較好堅固性的 SPIC的研究；大電流高速 MOS控制并有自保護(hù)功能的橫向功率器件的研究。在大功率集成領(lǐng)域，以智能功率模塊（ IPM）與 IPEM為代表的混合集成技術(shù)將得到迅速發(fā)展。 ? 公司針對新技術(shù)的特點，有針對性的進(jìn)行了技術(shù)研發(fā)和儲備。新型功率半導(dǎo)體器件的制造對廠房、凈化、超純材料、精細(xì)線條加工、精確摻雜等多方面與 VLSI有相似的技術(shù)要求，只是線條寬度可稍寬松一些。同時，新型功率半導(dǎo)體器件又有自己特殊需要的高耐壓（幾十至幾千伏）、大電流（幾安至幾千安）、低功耗、高溫工作、高頻及 di/dt和 dv/dt高耐量等一系列要求，公司的生產(chǎn)工藝已可以滿足產(chǎn)品的高性能、高成品率、高一致性的大規(guī)模生產(chǎn)要求。 ? 公司現(xiàn)有的技術(shù)實力： ? 已獨立開發(fā)出平面、高壓的 VDMOS和 IGBT結(jié)構(gòu)設(shè)計技術(shù)；在高壓功率器件結(jié)終端處理技術(shù)方面，近年來公司已在平面型產(chǎn)品終端技術(shù)上取得很大進(jìn)展，產(chǎn)品性能達(dá)到國際同類產(chǎn)品水平，在國內(nèi)整機(jī)市場中已可取代進(jìn)口產(chǎn)品；對于高質(zhì)量、大面積均勻柵氧化層制造技術(shù)，一方面公司將在現(xiàn)有技術(shù)和經(jīng)驗的基礎(chǔ)上，為項目提供較高級別的凈化條件、氣體動力條件及設(shè)備條件；另一方面，公司通過近年來與國外公司的合作，引入國外科學(xué)的質(zhì)量管理方法，質(zhì)量管理水平和制造水平有很大提升；通過和仙童、飛利浦的代工和合作，公司的工藝管理、質(zhì)量控制水平有很大提高；公司的募投項目和中環(huán)股份的 6寸線相比， 4億投資額只有中環(huán)投資額的 67%，而且跨越了代工生產(chǎn)的階段，有自己的研發(fā)能力，能以自有品牌開發(fā)市場，產(chǎn)能的利用比較有保證，投資的風(fēng)險較低。 ? ㈦ 盈利預(yù)測與估值 ? ? 收入預(yù)測假設(shè)條件： ? 1）節(jié)能燈未來三年銷售保持 30%的復(fù)合增長，產(chǎn)品毛利率逐漸下降； ? 2）機(jī)箱電源未來三年銷售保持 12%的復(fù)合增長 ? 3）彩電功率管的銷售收入每年以 5%10%不等的速度遞減 ? 4） 6英寸 MOSFET項目 08年建成，達(dá)到 30%產(chǎn)能， 09年生產(chǎn)線產(chǎn)能利用率在 75%； ? 5）各項業(yè)務(wù)的成本費用率維持在 06年的水平； ? 6）營業(yè)費用率、管理費用率維持在 05－ 06年的平均水平； ? 7）所得稅按 0506年的平均 13%計算； ? 根據(jù)上述的假設(shè)，我們對公司未來三年的收入情況進(jìn)行了預(yù)測： ? 根據(jù)銷售預(yù)測的假設(shè)，我們預(yù)測公司 08－ 10年公司 EPS為 ， 元，復(fù)合增長超過過 35%。 ? ? 公司募集項目的實施將對公司的成長起關(guān)鍵作用，是公司向高端產(chǎn)品進(jìn)軍的有力保證，隨著公司以吉林為制造中心，無錫和廣州設(shè)立封測廠這個布局的完成，加上市場旺盛的需求，公司將進(jìn)入快速增長的新時期。初步預(yù)計 00 09年每股收益 、 29%、 19%和 50％，公司在 2023年摘得募投項目成熟的果實。對于高成長的優(yōu)秀企業(yè)，我們可以給予較高的估值，我們認(rèn)為可以給予 08年 35倍， 09年 25倍的市盈率計算，對應(yīng)公司合理價位是 28元，給予首次投資評級至“強(qiáng)烈推薦”。 ? 結(jié)束語： 新材料行業(yè) IGBT前景、成本及政策均對其發(fā)展有利。經(jīng)過 2023年管理的理順和市場布局的完成，產(chǎn)品價格能擺脫其因同行出清庫存的低價行情，今年行業(yè)景氣會延續(xù)到年底；華微電子自有封裝產(chǎn)能的投產(chǎn)，將拉近與市場的距離，減少外協(xié)封裝費用，而且新產(chǎn)品投入的進(jìn)展有可能超預(yù)期。種種跡象表明，新材料 IGBT行業(yè)發(fā)展?jié)摿薮?，領(lǐng)頭羊華微電子已經(jīng)牢牢掌握產(chǎn)業(yè)鏈中最關(guān)鍵也是利潤率最高的功率半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)與研發(fā)，而與此形成鮮明對比的是該股處于絕對底部的股價。 因此，江南柒怪小組認(rèn)為在火爆的節(jié)能照明板塊行情的推動下，華微電子絕對具備股價急速拉升的充足理由，但是我們?nèi)匀恍枰谏钏际鞈]之后才能做出決定，畢竟股市有風(fēng)險，投資須謹(jǐn)慎。 演講完畢，謝謝觀看！
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