【正文】 源、漏區(qū)和多晶硅柵上全部都形成 低電阻率的金屬硅化物薄膜 。 *自對準硅化物 (Salicidation) 且這些硅化物薄膜是 用自對準的方法形成的，無需額外的掩膜和光刻。 * TiSi2 and CoSi2。 * Lower resistivity than WSi2； * TiSi2 when gate size mm。 * CoSi2 when gate size mm。 2023/3/12 84 *Cobalt Selfaligned Silicide Process Gate Oxide (鈷 ) *Metal (Ti or Co) PVD。 *Thermal anneal to form silicide。 *Strip unreacted metal。 2023/3/12 85 去除未反應的金屬 后， 多晶硅柵、源漏區(qū)等露出硅層的區(qū)域完全被硅化物所覆蓋 ，而其他沒有露出硅層的區(qū)域則不存在硅化物， 從而實現了自對準的硅化物生長 。 *自對準硅化物 (Salicidation)工藝 其后 再進行第二次高溫退火 以 進一步降低硅化物的薄層電阻 ，通常最后形成的硅化物的方塊電阻在 10~ /方塊。 2023/3/12 86 * Selfaligned Twin Well： *MOS工藝中的自對準 結構 /3 ? More flexibility for the designer ? Selfaligned process save a mask step ? LPCVD Si3N4 is a very dense layer ? Block ion implantation on pwell ? Prevent oxidation on pwee ? Oxide grown on nwell block pwell ion implantation ? 2023/3/12 *Selfaligned Twin Well *Advantage: reduce a photo mask step – Reduce cost – Improve IC chip yield. *Disadvantage: wafer surface is not flat – nwell always has lower level than pwell – Affect photolithography resolution – Affect thin film deposition 2023/3/12 87 *輕摻雜漏注入技術 LDD (Lightly Doped Drain/Source) * Low energy, low current ion implantation – very low dopant concentration, and shallow junction just extended underneath the gate。 * Sidewall spacers can be formed by depositing and etching back dielectric layers。 * High current, low energy ion implantation forms the heavily doped source/drain。 – Source/drain are kept apart from the gate by the sidewall。 2023/3/12 88 *LDD Formation /1 2023/3/12 89 CVD氧化隔離物 CVD垂直 淀積 SiO2 *LDD Formation /2 2023/3/12 90 n+注入 當刻蝕 CVD SiO2到平坦區(qū)域時， 保留的氧化隔離物。 LDD n 注入 2023/3/12 91 * 輕摻雜漏 區(qū)的作用 *結構： 在溝道的漏端及源端增加低摻雜區(qū) 。 *作用： 降低溝道中漏附近的電場 （在整個溝道區(qū)最大）， 減少源漏間的溝道漏電流效應 ，提高 FET的可靠性。 LDD 使用的較大質量的摻雜材料使硅片的上表面成為非晶態(tài)，可 降低溝道端口處的摻雜濃度及摻雜濃度的分布梯度 ，有助于維持淺結。 *LDD的作用 * Reduce the vertical electric field of the source /drain bias； * Reduce the available electrons for tunneling。 * Suppress the hot electron effect； 2023/3/12 92 * 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。 , March 12, 2023 * 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 18:26:3418:26:3418:263/12/2023 6:26:34 PM * 1以我獨沈久，愧君相見頻。 :26:3418:26Mar2312Mar23 * 1故人江海別，幾度隔山川。 18:26:3418:26:3418:26Sunday, March 12, 2023 * 1乍見翻疑夢，相悲各問年。 :26:3418:26:34March 12, 2023 * 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 2023年 3月 12日星期日 下午 6時 26分 34秒 18:26: * 1比不了得就不比，得不到的就不要。 。 2023年 3月 下午 6時 26分 :26March 12, 2023 * 1行動出成果，工作出財富。 2023年 3月 12日星期日 6時 26分 34秒 18:26:3412 March 2023 * 1做前，能夠環(huán)視四周；做時，你只能或者最好沿著以腳為起點的射線向前。 下午 6時 26分 34秒 下午 6時 26分 18:26: * 沒有失敗，只有暫時停止成功！。 , March 12, 2023 * 很多事情努力了未必有結果，但是不努力卻什么改變也沒有。 18:26:3418:26:3418:263/12/2023 6:26:34 PM * 1成功就是日復一日那一點點小小努力的積累。 :26:3418:26Mar2312Mar23 * 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 18:26:3418:26:3418:26Sunday, March 12, 2023 * 1不知香積寺，數里入云峰。 :26:3418:26:34March 12, 2023 * 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 3月 12日星期日 下午 6時 26分 34秒 18:26: * 1楚塞三湘接，荊門九派通。 。 2023年 3月 下午 6時 26分 :26March 12, 2023 * 1少年十五二十時，步行奪得胡馬騎。 2023年 3月 12日星期日 6時 26分 34秒 18:26:3412 March 2023 * 1空山新雨后，天氣晚來秋。 下午 6時 26分 34秒 下午 6時 26分 18:26: * 楊柳散和風，青山澹吾慮。 , March 12, 2023 * 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 18:26:3418:26:3418:263/12/2023 6:26:34 PM * 1越是沒有本領的就越加自命不凡。 :26:3418:26Mar2312Mar23 * 1越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯兒。 18:26:3418:26:3418:26Sunday, March 12, 2023 * 1知人者智，自知者明。勝人者有力，自勝者強。 :26:3418:26:34March 12, 2023 * 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 3月 12日星期日 下午 6時 26分 34秒 18:26: * 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。 2023年 3月 下午 6時 26分 :26March 12, 2023 * 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 2023年 3月 12日星期日 6時 26分 34秒 18:26:3412 March 2023 * 1一個人即使已登上頂峰，也仍要自強不息。 下午 6時 26分 34秒 下午 6時 26分 18:26: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感 謝 您 的 下 載 觀 看 專家告訴