恒流源電路知識講座-資料下載頁
2025-02-19 19:22本頁面
【正文】 2 飽和工作狀態(tài)： ? 假設(shè) M1與 M3工作于飽和區(qū)，則根據(jù)飽和薩氏方程可求出： ? 由以上兩式可得到： 21311 )()(2 RIVVLWCIDSthGSoxnDS ???? 2333 )()(2 thGSoxnDSo VVLWCII ??? ?21323131 )()()/()/(RIVVVVLWLWIDSthGSthGSDSo ???? 電源抑制電流源 CMOS峰值電流源 ? 同理，上式兩邊對 VDS1求導(dǎo)，就可求得在 IDS1＝（ VDS3－ Vth）/R時(shí)， Io的值為最大，且其最大值為： ? 因此，當(dāng) IR取為 （ VDS3－ Vth） /R時(shí)，其輸出電流由 M1與 M3的寬長比之比、電阻 R及 M3的過驅(qū)動(dòng)電壓決定，而與電源電壓無關(guān)。 ? 該電流源具有很高的電源抑制比。且當(dāng) IR稍偏離 nVT/R時(shí)，輸出電流值 Io仍可幾乎保持不變。 ? 同理，該電路的一個(gè)主要缺點(diǎn)就是電阻 R隨工藝及溫度變化較明顯，因此必須考慮溫度及工藝對輸出電流 Io的影響。 RVVLWLWI thGSo 4)()/()/( 313m a x,?? 恒定跨導(dǎo)電流源 ? 所有的 MOS管都工作在飽和區(qū)，并且假設(shè) M3的寬長比為 M1的 K倍 。 ? 根據(jù) KCL定理有： ? 且有： ? 根據(jù)飽和薩氏方程，則有： VD DM1= ID S 1M3M2RIoM4M5IRID S 3 RIVV DGSGS 331 ??oDSR III ?? 1 13 DSDS KII ? RIVLWCIVLWCIDSthoxnDSthoxno333311 )/(2)/(2 ?????? 恒定跨導(dǎo)電流源 ? 求解上式可得： ? 如果 ΔVth很小，則上式可簡化成： ? 而根據(jù)有關(guān)跨導(dǎo)的定義，可求得其負(fù)載管的跨導(dǎo)為： )2()11()/( 2 22221 RIVRVKRLWCI oththoxno???????221)11()/( 2 KRLWCIoxno ?? ? )11(2)/()/()/(21 KRLWLWILWCg loloxnml ??? ? 恒定跨導(dǎo)電流源 ? 由上式可以看出輸出電流與電源電壓幾乎無關(guān)，是一高電源抑制的電流源。 ? 并且可以看出該電路的負(fù)載管的跨導(dǎo)為一常數(shù)，因此又稱為恒定跨導(dǎo) gm的電流源。 ? 當(dāng)然該電路的缺點(diǎn)是電阻 R的溫度系數(shù)與工藝偏差會(huì)影響 gml，為了減小電阻 R的影響，對該電流源可進(jìn)一步改進(jìn)成： 1)、把電阻 R接到 M4的源極以避免體效應(yīng)。 2)、電阻 R可用開關(guān)電容電阻實(shí)現(xiàn)，可以得到較高的精度和調(diào)諧能力，但這需要另加時(shí)鐘與電容。 演講完畢，謝謝觀看！
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