用于z-pinch等離子體k層輻射診斷的時空分辨橢圓彎晶譜儀-資料下載頁
2025-02-18 02:42本頁面
【正文】 驗結(jié)果 (Al）? 提高 MCP兩端電壓到 1100V，雙電子復(fù)合伴線和一些高激發(fā)態(tài)譜線變得明顯。微帶 2數(shù)字化結(jié)果Shot 07172 Al絲陣實驗 TAP晶體攝譜結(jié)果12第 13屆全國等離子體科學(xué)技術(shù)會議，成都， 2023年 8月初步實驗結(jié)果 (Ne）? 噴 Ne氣實驗Heα(922eV)、 Lyα(1022eV)、 Heβ(1073eV)，第 4微帶上還出現(xiàn)了 Heγ(1s4p1s2, 1127eV)線； Lyβ(1211eV)線超出測量范圍。 Shot 07178 噴 Ne氣實驗 OHM晶體攝譜結(jié)果晶體連接處附近的曲率對應(yīng)~900eV， Heα線容易丟失。氣室中混有空氣， N和 O的 K殼層發(fā)射很強。13第 13屆全國等離子體科學(xué)技術(shù)會議，成都， 2023年 8月結(jié)語216。 利用 OHM和 TAP晶體建立了測量范圍 ~辨彎晶譜儀，在 “強光一號 ”加速器噴 Ne氣和 Al絲陣 Zpinch實驗中初步測得了 Ne和 Al的 K層輻射特征線。216。 下一步將從以下幾個方面對譜儀做出改進：p改進光路設(shè)計，測得 Ne和 Al的 K層輻射全部譜線；p優(yōu)化吸收濾光片，抑制低能光子，提高 keV能區(qū)透過率；p在衍射光束會聚點配置擋光薄膜，降低雜散光干擾；p用大動態(tài)范圍的科學(xué)級 CCD代替現(xiàn)有商業(yè) CCD；p對晶體、像增強器 CCD進行絕對標定，進而做譜線的定量分析。 14第 13屆全國等離子體科學(xué)技術(shù)會議，成都， 2023年 8月請不吝指教！15第 13屆全國等離子體科學(xué)技術(shù)會議，成都， 2023年 8月
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