數(shù)字集成電路第7章-動態(tài)cmos邏輯電路-資料下載頁

【總結(jié)】第七章動態(tài)CMOS邏輯電路?動態(tài)邏輯電路的特點?預(yù)充─求值的動態(tài)CMOS電路?多米諾CMOS電路?時鐘同步CMOS電路靜態(tài)電路vs.動態(tài)電路動態(tài)電路是指電路中的一個或多個節(jié)點的值是由存儲在電容上的電荷來決定的；靜態(tài)電路是指電路的所有節(jié)點都有到地或到

2025-08-05 07:19

[精選]硅集成電路制造工藝第0章緒論-資料下載頁

【總結(jié)】1234緒論?引言?集成電路制造工藝發(fā)展?fàn)顩r?集成電路工藝特點與用途?本課程內(nèi)容5?早在1830年，科學(xué)家已于實驗室展開對半導(dǎo)體的研究。?1874年，電報機、電話和無線電相繼發(fā)明等早期電子儀器亦造就了一項新興的工業(yè)──電子業(yè)的誕生。1引言6

2025-01-06 13:03

[精選]cmos工藝流程與mos電路版圖舉例-資料下載頁

【總結(jié)】CMOS工藝流程與MOS電路版圖舉例1.CMOS工藝流程1)簡化N阱CMOS工藝演示flash2)清華工藝錄像：N阱硅柵CMOS工藝流程3)雙阱CMOS集成電路的工藝設(shè)計4)圖解雙阱硅柵CMOS制作流程2.典型N阱CMOS工藝的剖面圖3.SimplifiedCMOSProcessFlow4.MOS電路版圖舉

2025-02-09 20:35

cmos集成電路設(shè)計基礎(chǔ)-資料下載頁

【總結(jié)】CMOS集成電路設(shè)計基礎(chǔ)－數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對邏輯門的基本要求1）魯棒性（用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示）靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性（VTC）來表示即輸出與輸入的關(guān)系），傳輸特性上具有一些重要的特征點。邏輯門的功能會因制造過程的差異而偏離設(shè)計的期望值。（2）噪聲容限：芯片內(nèi)外的噪聲會使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計的期望值（電感、電容耦合，電源

2025-01-09 01:07

cmos集成電路設(shè)計基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)-資料下載頁

【總結(jié)】CMOS集成電路設(shè)計基礎(chǔ)－數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對邏輯門的基本要求1）魯棒性（用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示）靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性（VTC）來表示即輸出與輸入的關(guān)系），傳輸特性上具有一些重要的特征點。邏輯門的功能會因制造過程的差異而偏離設(shè)計的期望值。（2）噪聲容限：芯片內(nèi)外的噪聲會使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計的期望值（電感、電容耦合，電源

2025-07-15 18:10

n阱cmos工藝流程-資料下載頁

【總結(jié)】N阱CMOS工藝①初始材料?CMOS集成電路通常制造在盡可能重?fù)诫s硼的P型（100）襯底上以減小襯底電阻,防止閂鎖效應(yīng)。②外延生長?CMOS工藝的第一步是在襯底上生長一層輕摻雜的P型外延層，比標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝采用的外延層薄很多。理論上CMOS工藝不需要外延層，因為MOS管可以直接在P型襯底上形成。外

2025-03-13 07:46

[精選]第03章化工工藝流程圖-資料下載頁

【總結(jié)】ChemicalProcessDesignInstituteofChemicalEngineeringProcessDiagram工藝流程圖設(shè)計的基本步驟1.作工藝流程草圖或示意圖（方框圖）2.作工藝物料流程圖（物料衡算圖）PFD

2025-02-07 10:43

[精選]cmos工藝流程與mos電路版圖舉例(1)-資料下載頁

【總結(jié)】CMOS工藝流程與MOS電路版圖舉例1.CMOS工藝流程1)簡化N阱CMOS工藝演示flash2)清華工藝錄像：N阱硅柵CMOS工藝流程3)雙阱CMOS集成電路的工藝設(shè)計4)圖解雙阱硅柵CMOS制作流程2.典型N阱CMOS工藝的剖面圖3.SimplifiedCMOSProcessFlow4.MOS電路版圖舉

2025-02-09 20:34

cmos集成電路設(shè)計基礎(chǔ)(1)-資料下載頁

【總結(jié)】CMOS集成電路設(shè)計基礎(chǔ)－MOS器件MOS器件多晶硅GSD氧化層LeffLdrawnN＋N＋P型襯底LDWNMOS管的簡化結(jié)構(gòu)制作在P型襯底上(P-Substrate,也稱bulk或body,為了區(qū)別于源極S，襯底以B來表示)，兩個重?fù)诫sN區(qū)形成源區(qū)和漏區(qū)，

2025-01-12 16:50

[精選]cmos工藝流程講解-資料下載頁

【總結(jié)】WaferFabricationProcessTechnologyCMOSContentCMOSprocessflowcrosssectionCMOSprocessflowcrosssectionuPCMintroductionCMOSStartingwithasiliconwaferCrossSectionofthe

2025-02-09 20:35

[精選]集成電路制造工藝-資料下載頁

【總結(jié)】集成電路版圖設(shè)計與驗證第三章集成電路制造工藝?雙極集成電路最主要的應(yīng)用領(lǐng)域是模擬和超高速集成電路。?每個晶體管之間必須在電學(xué)上相互隔離開，以防止器件之間的相互影響。?下圖為采用場氧化層隔離技術(shù)制造的NPN晶體管的截面圖，制作這種結(jié)構(gòu)晶體管的簡要工藝流程如下所示：?（1）原始材料選?。褐谱鱊

2025-01-06 18:43

[精選]集成電路工藝概述-資料下載頁

【總結(jié)】集成電路工藝概述課程介紹普通高校專業(yè)學(xué)科目錄（1998版）?01哲學(xué)?02經(jīng)濟學(xué)?03法學(xué)?04教育學(xué)?05文學(xué)?06歷史學(xué)?07理學(xué)?08工學(xué)?09農(nóng)學(xué)?10醫(yī)學(xué)?11管理學(xué)?0806電氣信息類?080601電氣工程及其自動化?080

2025-01-06 18:36

[精選]集成電路工藝原理-資料下載頁

【總結(jié)】集成電路工藝原理第七章離子注入原理(上)1集成電路工藝原理集成電路工藝原理第七章離子注入原理(上)2大綱第一章前言第二章晶體生長第三章實驗室凈化及硅片清洗第四章光刻第五章熱氧化第六章

2025-01-08 13:40

[精選]集成電路制備工藝-資料下載頁

【總結(jié)】集成電路Contentsv集成電路的定義v集成電路的分類v集成電路的工藝微電子技術(shù)課程ppt微電子技術(shù)課程ppt集成電路定義v集成電路（integrated?circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連

2025-01-08 12:24

[精選]集成電路器件工藝-資料下載頁

【總結(jié)】1第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝2第四章集成電路器件工藝表3圖幾種IC工藝速度功耗區(qū)位圖4雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的V

2025-01-06 18:35

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