【材料課件】第八章半導(dǎo)體電子材料-資料下載頁
2025-01-05 09:27本頁面
【正文】 鍵合 減薄 3）智能剝離 ? 智能剝離技術(shù)的主要工序是氫離子注入，晶片鍵合和熱處理 ? 被剝離的硅片還可以重復(fù)利用 ? 可獲得高質(zhì)量的硅有源層和完整性較好的 SiO2掩埋層 智能剝離示意圖 Si SiO2 Si 氫離子注入 Si Si 鍵合 Si SiO2 熱處理 從氣泡層剝離 ? 智能剝離法是利用中等劑量氧離子注入，在一個硅晶圓中形成氣流層，然后在低溫下與另一個硅晶圓（ SiO2/Si）鍵合，再進(jìn)行熱處理使注氫的硅晶圓片從氣流層剝離出來，最后經(jīng) CMP使硅表面層光滑。 ? 該方法的優(yōu)點(diǎn)是硅薄層缺陷密度低，硅薄層和 Si02埋層厚度也易控制。該方法的領(lǐng)引廠商是法國Soitec公司，該公司能量產(chǎn) φ200/φ300mmSOI晶圓，能提供各種硅薄層和 SiO2埋層厚度的 SOI晶圓，主要有 3個品種， PD（部分耗盡）、 FD（全部耗盡）和 UT（超?。?UHIBOND。 4）外延層轉(zhuǎn)移 ? 1. 將硅片進(jìn)行陽極氧化形成多孔硅層 ? 2. 外延和熱氧化，在多孔硅上外延生長單晶硅層，再在其上形成氧化層 ? 3. 鍵合，將器件片與支撐片鍵合，然后進(jìn)行減薄和在氫氣氣氛中退火提高鍵合強(qiáng)度 ? 外延生長 SOI層，層厚度易于控制，厚度均勻性較好，并減少晶體中的原生缺陷，有利于提高器件的成品率。 外延層轉(zhuǎn)移示意圖 陽極氧化 多孔硅 外延 單晶硅 熱氧化 SiO2 鍵合 減薄 腐蝕 氫氣退火 化合物半導(dǎo)體 化合物 晶體結(jié)構(gòu) 帶隙 ni un up GaAs 閃鋅礦 106 8500 320 GaP 閃鋅礦 150 120 GaN 纖鋅礦 900 10 InAs 閃鋅礦 1014 3300 450 InP 閃鋅礦 107 5400 150 InN 纖鋅礦 4400 AlN 纖鋅礦 300 14 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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