原子吸收分光光度法-資料下載頁
2025-09-06 11:33本頁面
【正文】 偶數(shù)1/2；有； 13C。 3/2有33S奇數(shù)奇數(shù)1/2；有； 1H,19F3/2有11B,79Br2. 核磁矩u=rP r:磁旋比，原子核特征常數(shù)；P:角動量，3. 無外磁場時，核磁矩的取向有2I+1種；有外磁場時，核磁矩能量4. I=1/2時，m=1/2的μz與m= 1/2的μz間的能量差隨H0增大而增大，稱為能級分裂5. 共振吸收：原子核進動頻率v與外加磁場強度H0的關系用Larmor方程表示 ，條件：照射頻率等于核進動頻率（改變照射頻率或磁場強度實現(xiàn)核磁共振）；△m=177。1躍遷只發(fā)生在相鄰能級間6. 自旋弛豫：高能態(tài)的核通過非輻射途徑回到低能態(tài)的過程①、 自旋晶格弛豫：縱向弛豫②、 自旋自旋弛豫：橫向弛豫化學位移1) 屏蔽效應：核外電子及其他因素對抗外加磁場的現(xiàn)象屏蔽常數(shù)：表示屏蔽效應的大小。2) 化學位移：由于屏蔽效應的存在，不同化學環(huán)境的氫核的共振頻率不同（進動頻率），用核共振頻率的相對差值表示δ,標準物一般是四甲基硅烷TMS①、 固定磁場強度H0,②、 固定照射頻率v0, 3) 影響因素： ①、 局部屏蔽效應：核外成鍵電子云在外加磁場的誘導下，產(chǎn)生與外加磁場方向相反的感應磁場，使氫核實受磁場強度稍有降低的現(xiàn)象。②、 各向異性效應：在外加磁場作用下，由化學鍵產(chǎn)生的（尤其是π鍵）感應磁場使在分子中所處的空間位置不同的核屏蔽作用不同的現(xiàn)象；使處于負屏蔽區(qū)的氫核δ值大，處于正屏蔽區(qū)的氫核δ值?、?、 氫鍵影響：形成氫鍵后，氫核屏蔽作用減少，氫鍵屬于去屏蔽作用4） 烯烴的化學位移：偶合常數(shù)：①、 自旋偶合：核自旋產(chǎn)生的核磁矩間的相互干擾 自旋裂分：自旋偶合引起的共振峰分裂的現(xiàn)象②、 自旋分裂的規(guī)律：a) n+1規(guī)律：某基團的氫與n個相鄰氫耦合時將被分裂成n+1重峰，而與該基團本身氫數(shù)無關，按此規(guī)律分裂的圖譜為一級圖譜，多重峰峰高之比滿足二項式展開式系數(shù)比b) I≠1/2時，符合2nI+1規(guī)律c) 某基團與n,n’, …個氫核相鄰時若偶合常數(shù)相等（峰裂距相等），則呈現(xiàn)（n+n’+…）+1若偶合常數(shù)不等（峰裂距不等），則分裂為（n+1）(n’+1)…重峰③、 偶合常數(shù)：由自旋分裂產(chǎn)生的峰裂距，反映偶合作用的強弱。對簡單偶合峰裂距即為偶合常數(shù)。可分為偕偶、鄰偶及遠程偶合。受偶合核間距離、角度和電子云密度影響。峰裂距只決定于偶合核的局部磁場強度，與外加磁場強度無關。④、 化學等價：有相同的化學位移磁等價：分子中一組化學等價核與分子中的其他任何一個核都有相同強弱的偶合。磁等價必定化學等價，與組外核偶合的偶合常數(shù)相等，無外核干擾下，組內核偶合但不裂分?；瘜W等價不一定磁等價，磁等價一定化學等價
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