【正文】 一個電感，使輸出電流波形較為平滑。因為電感對直流的阻抗小，交流的阻抗大，因此能夠得到較好的濾波效果而直流損失小。電感濾波缺點是體積大,成本高。2 RC濾波：（A）電容濾波 （B） CRC或RCπ型電阻濾波（1）一階RC低通濾波器RC低通濾波器的電路及其幅頻、相頻特性如下圖所示。濾波電路 幅頻特性 相頻特性結(jié)論：f為0時增益為1，相移為0；f越大增益越?。ㄔ浇咏?），相移越大（滯后）相位會發(fā)生變化。（2） 一階RC高通濾波器RC高通濾波器的電路及其幅頻、相頻特性如下圖所示。結(jié)論：f為無窮大時增益為1，相移為0；f越小增益越?。ㄔ浇咏?），相移越大（超前—接近90度）相位會發(fā)生變化。（3）RC帶通濾波器帶通濾波器可以看作為低通濾波器和高通濾波器的串聯(lián)，其電路及其幅頻、相頻特性如下圖所示。幅頻、相頻特性公式為： H(s) = H1(s) * H2(s) 常用元件總結(jié)1 電容：作用： 隔直流，通交流容抗：　　XC=1/2πfC（1） 濾波電容用在電源整流電路中，用來濾除交流成分。使輸出的直流更平滑將整流以后的鋸齒波變?yōu)槠交拿}動波，接近于直流（濾波就是充電，放電的過程）。濾波原理使用大電容，有極性的電解電容，需要電容充放電速度足夠慢。（2） 去耦電容用在放大電路中不需要交流的地方，用來消除自激，使放大器穩(wěn)定工作去藕電容就是起到一個電池的作用，滿足驅(qū)動電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾位于輸出級。去耦原理使用小電容，充放電速度快，電流大增大時充電限制電流增大，電流小時放電，限制電流減小。應用放大電路中，把電阻與電容并聯(lián)即可。（3） 旁路電容用在有電阻連接時，接在電阻兩端使交流信號順利通過位于輸入級。（4） 在電子電路中，去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用，電容所處的位置不同，稱呼就不一樣了。對于同一個電路來說，旁路（bypass）電容是把輸入信號中的高頻噪聲作為濾除對象，把前級攜帶的高頻雜波濾除，而去耦（decoupling）電容也稱退耦電容，是把輸出信號的干擾作為濾除對象。（5） 充放電：τ=R*C：電阻值R和電容值C的乘積被稱為時間常數(shù)τ，這個常數(shù)描述電容的充電和放電速度時間常數(shù)也愈小，電容的充放電速度就愈快，反之亦然。電容充電的速度與電容量成反比，與充電電流成正比。改變了充電電流，也就改變了電容充電的速度，從而達到控制脈沖沿的目的。2 電阻：可以起到分壓限流的作用，比如集成運放的同相/反相輸入端各加一個電阻的作用是限流。3 電感：作用： 通直流，阻交流。感抗： XL = 2πfL 。4 二極管：特點：單向?qū)щ娦裕聪螂娮锜o窮大，這點不同于電阻的電壓，（這點也不同于電阻）。PN 結(jié)的單向?qū)щ娦裕篜N結(jié)加正向電壓導通：耗盡層變窄，擴散運動加劇，由于外電源的作用，形成擴散電流，PN結(jié)處于導通狀態(tài)。PN結(jié)加反向電壓截止：耗盡層變寬，阻止擴散運動，有利于漂移運動，形成漂移電流。由于電流很小，故可近似認為其截止。伏安特性：實用分析方法：導通時UD=UON；截止時IS=0。微變等效電路：當二極管在靜態(tài)（圖中V）基礎上有一動態(tài)信號Ui作用時，則可將二極管等效為一個電阻，稱為動態(tài)電阻，也就是微變等效電路。由斜率可判斷Q越高，rd越小。5 三極管：符號：標有箭頭的是發(fā)射極或發(fā)射結(jié)。；。電流關系： IE＝IB ＋IC三極管是電流控制元件。IB =VB/RB對應電阻法中的IB =5V/R6224。R6決定IB的大小，IC=β* IB；UCE=VCCIC*RC；224。如果RC很大，IC則很小，UCE會接近于0。其中ICEO為穿透電流；ICBO為集電結(jié)反向電流；與近似相等。使用經(jīng)驗：如果IB太小，UCE則分壓較大相當于有較大內(nèi)阻；反之如果IB足夠大，UCE則分壓較小相當于內(nèi)阻很小，即IB越大，集電結(jié)吸收電子能力越強，三極管導通程度越大，內(nèi)阻越小、分壓越小，理想情況下，IB足夠大，三極管充分導通，內(nèi)阻近似為0，分壓近似為0。UCE近似為0的情況：RC很大，IC則很小；IB足夠大，三極管充分導通，內(nèi)阻近似為0（兩種情況）。放大條件：輸入特性：對于小功率晶體管，UCE大于1V的一條輸入特性曲線可以取代UCE大于1V的所有輸入特性曲線。輸出特性： 晶體管工作在放大狀態(tài)時，輸出回路的電流 iC幾乎僅僅決定于輸入回路的電流iB，即可將輸出回路等效為電流 iB控制的電流源iC 。6場效應管：場效應管有三個極：源極（s）、柵極（g）、漏極（d），對應于晶體管的e、b、c；有三個工作區(qū)域：截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)，對應于晶體管的截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。PN結(jié)=空間電荷區(qū)=耗盡層（P、N之間的中間層）：參與擴散運動和漂移運動的載流子數(shù)目相同，達到動態(tài)平衡。PN結(jié)加正向電壓，耗盡層變窄；PN結(jié)加反向電壓，耗盡層變寬。FET是電壓控制器件：ID=f（VGS）|VDS=常數(shù)。（1） 結(jié)型場效應管：符號和結(jié)構(gòu)示意圖： 輸出特性：（2） 絕緣柵型場效應管：uGS增大，反型層（導電溝道）將變厚變長。當反型層將兩個N區(qū)相接時，形成導電溝道。耗盡型MOSFET特點：基本上無柵流。（3） MOS管的特性：結(jié)論：無論是結(jié)型還是絕緣柵型場效應管，增強型MOS管當VGS大于VGS（ON）時導通；耗盡型MOS管當VGS小于VGS（OFF）時夾斷。對比三極管：NPN型三極管可以看成增強型三極管；PNP型三極管可以看成耗盡型場效應管。總結(jié)：正電壓對應增強型（VbeVON, VGSVGS（ON））；負電壓對應耗盡型(VbeVON, VGSVGS（OFF）)。（4） 溝道導通程度和電阻：增強型：VGS越大，形成的導電溝道（反型層）越寬，電阻越小，導通程度越大，溝道分壓越小，充分導通時，溝道分壓為0；反之如果VGS越小，形成的導電溝道（反型層）越窄，電阻越大，導通程度越小，溝道分壓越大，VGSVGS（ON）時溝道被夾斷。耗盡型：與增強型相反，導電溝道本來就存在著未加電壓時，需要加反相偏壓限制導電溝道的寬度；VGS為零時導電溝道最寬，電阻最小，充分導通；VGS（負值）越小導電溝道越窄，電阻越大，導通程度越小，當VGSVGS（OFF）時溝道被夾斷。7 光耦：Current transfer ratio (CTR) 電流傳輸比（current指電流）電流傳輸比：β=接收器輸出電流/發(fā)光器注入電流。電源符號VCC、VDD、VEE和VSSVCC：C=circuit 表示電路的意思, 即接入電路的電壓； VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件內(nèi)部的工作電壓；VSS：S=series 表示公共連接的意思，通常指電路公共接地端電壓。VEE：負電壓供電；它們是這樣得名的：VCC表示連接到三極管集電極（C）的電源。VEE表示連接到三極管發(fā)射極（E）的電源。VDD表示連接到場效應管的漏極（D）的電源。VSS表示連接到場效應管的源極（S）的電源。通常VCC和VDD為電源正，而VEE和VSS為電源負或者地。電源與地之間的電容：（1） 不同大小的電容：大的電容濾低頻，小的陶瓷電容濾高頻往往需要兩個以上的不同大小電容，濾除電源中不同頻率的噪聲，增加電路的穩(wěn)定性。（2） 大小相同的電容：在電路圖里面并排的電容好像離的很近，實際上它們放在不同的位置（離的很遠），主要是吸收電路因為線路板（或?qū)Ь€）分布電容產(chǎn)生的干擾信號（高頻干擾信號）。