高三物理磁場典型例題解析-資料下載頁
2024-11-12 19:20本頁面
【導(dǎo)讀】如圖所示，金屬導(dǎo)電板置于勻強磁場中，通電時。B．板左側(cè)聚集較多電子，使a點電勢高于b點。電子的定向移動方向與電流方向相反。根據(jù)左手定則電子所受洛侖茲力方向右。所以右側(cè)聚集較多電子。如圖，L1和L2為兩平行的虛線，L1上方和L2下方都是。垂直紙面向里的相同勻強磁場，A、B兩點都在L2上。帶電粒子從A點以初速度v與L2成30°角斜向上射出，C．若將帶電粒子在A點時的初速度方向改為與L2成。由圖可知A1A2=B1B=R，出射點B與A的距離。雖然D有變化，但在一個完整的周期內(nèi)，出射點向右移。說明粒子運動三個完整的周期仍從B點射出。后產(chǎn)生的π－介子的軌跡為圓弧PB，兩軌跡在P點相切，它們的半徑Rk與Rπ之比為2：1。衰變前后總動量守恒：Pk=Pπ+Pπ-. 磁場具有能量，磁場中單位體積所具有的能量。強度，μ是磁導(dǎo)率，在空氣中μ為一已知常數(shù)。P1、P2為兩塊平行于虛直線的金。如圖所示為利用電磁作用輸送非導(dǎo)電液體裝置的示意圖。根據(jù)安培假設(shè)的思想，認為磁場是由于運動電
【正文】 R OA= 作業(yè) 7 ? 如圖所示，在 y0的區(qū)域內(nèi)存在勻強磁場，磁場方向垂直于 xoy平面并指向紙面外，磁感應(yīng)強度為 B。一帶正電的粒子以速度 v0從 O點射入磁場，入射方向在 xoy平面內(nèi)，與 x軸正向的夾角為 θ 。若粒子射出磁場的位置與 O點的距離為 l，求該粒子的電量核質(zhì)量之比 q/m。 解答 ? 關(guān)鍵是畫出粒子的運動軌跡 o R l θ l/2R=sin θ R=mV/qB q/m=2Vsin θ /lB 作業(yè) 8 ? 如圖所示，在 x軸上方有垂直于 xy平面向里的勻強磁場，磁感應(yīng)強度為 B；在 x軸下方有沿 y軸負方向的勻強電場，場強為 E。一質(zhì)量為 m，電量為 q的粒子從坐標原點 O沿著 y軸正方向射出。射出之后，第三次到達 x軸時，它與點 O的距離為 L。求此粒子射出時的速度 v和運動的總路程 s（重力不計）。 解答 ? 關(guān)鍵是畫軌跡圖 R=mV/qB L=4R,V=qBL/4m 電場中 2ax=V2,a=Eq/m, x=qB2L2/32Em 作業(yè) 9 ? S為電子源 ， 它只能在圖中所示的紙面上 360176。 范圍內(nèi)發(fā)射速率相同 ， 質(zhì)量為 m、 電量為 e的電子 ， MN是一塊足夠大的豎直檔板 ， 與 S的水平距離為 OS＝ L， 檔板左側(cè)有垂直紙面向里的勻強磁場 ， 磁感應(yīng)強度為 B。求： ? （ 1） 要使 S發(fā)射的電子能夠到達檔板 ， 發(fā)射電子的速度至少為多大 ？ ? （ 2）若電子的發(fā)射速度為 eBL/m，則檔板被擊中的范圍多大？ 解答 ? 關(guān)鍵是畫軌跡圖 R=mV/qB 半徑最小則速度最小 最小半徑 Ri=L/2 最小速度 Vi=LBe/2m (2)V=2Vi時， R=2Ri=L V B 2R A OB=R, OA= AB=(1+ )L 作業(yè) 10 ? 如圖，兩個共軸的圓筒形金屬電極，外電極接地，其上均勻分布著平行于軸線的四條狹縫 a、 b、 c和 d，外筒的外半徑為 r0，在圓筒之外的足夠大區(qū)域中有平行于軸線方向的均勻磁場，磁感強度的大小為 B，在兩極間加上電壓，使兩圓筒之間的區(qū)域內(nèi)有沿半徑向外的電場，一質(zhì)量為 m、帶電量為 +q的粒子，從緊靠內(nèi)筒且正對狹縫 a的 S點出發(fā)，初速為零。如果該粒子經(jīng)過一段時間的運動之后恰好又回到出發(fā)點 S，則兩電極之間的電壓 U應(yīng)是多少？（不計重力，整個裝置在直空中） 解答 ? 電場中作加速直線運動，磁場中作勻速圓周運動，軌跡圖如下 R=r0=mV0/qB
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