銅銦鎵硒薄膜太陽能電池技術(shù)與市場分析-資料下載頁
2025-08-16 01:37本頁面
【正文】 硒蒸鍍材 ? 單濺鍍靶槍支銅 、 銦 、 鎵 、 硒混合並燒結(jié)成濺鍍靶材 （ 須與靶材製造單位合作 ） ? CIGS電池的構(gòu)造一般 ， 分別在基板上累積背面電極層 、 CIGS吸光層 、緩衝層 、 透明電極及接出電極等所組成 。 基板係使用鈉玻璃 ， 背面電極則使用噴鍍法 (Spatter)的鉬膜 ， 緩衝層則使用 ZnO/CdS等 。 CdS緩衝層則以化學(xué)析出法形成 ， 透明電極可使用 ZnO： Al或氧化銦 、 錫 (ITO)等 ， 並以噴鍍法或化學(xué)氣相推積法 (CVD)法所形成 。 接出電極可使用 Al，Ni 等金屬 。 各積層中 CIGS吸光層的品質(zhì)是影響 CIS電池的重要部分 利用真空長膜優(yōu)缺點(diǎn) ? 優(yōu)點(diǎn)： ? CIGS薄膜太陽電池與矽基太陽電池比較具有可撓 、 易於大面積化 、製程簡單且低耗能 、 低成本等優(yōu)勢 ， 而轉(zhuǎn)化效率目前在研究單位已能達(dá)到 13~%的效能 。 ? 利用多 Source物理氣相濺鍍 /蒸鍍易於控制 CIGS成膜時(shí)之成分比例 ? 容易取得 CIGS Solar Cell相關(guān)資料 ， 對於研究初期具有極大的幫助 ? 缺點(diǎn)： ? 製程較複雜 （ 如能研究發(fā)展單 Source物理氣相濺鍍 /蒸鍍對減少製程步驟與提昇 throughtput 有極大的幫助 ） ? 設(shè)備成本較高 （ 因 CIGS Solar Cell設(shè)備門檻不高故易於設(shè)備本土化 ） ? 此法成長之膜為非晶型態(tài) （ 故需經(jīng)熱處理成結(jié)晶結(jié)構(gòu) ） ? 長膜速度較慢 （ 多靶槍同時(shí)鍍膜 ） 主要使用可撓曲性基材之特性 ? 資料來源： Friedrich Kessler, Dominik Rudmann Solar Energy 77 (2022) 685–695：Technological aspects of flexible CIGS solar cells and modules 利用物理氣相濺鍍 /蒸鍍的主要研究單位 ? 資料來源： Friedrich Kessler, Dominik Rudmann Solar Energy 77 (2022) 685–695： Technological aspects of flexible CIGS solar cells and modules 應(yīng) 用 發(fā)展 CIGS太陽能流程 CIGS Solar Cell Process Challenges ? Understanding of film growth, microstructures, defects, and device physics –plex but ―tolerant‖ to processes ? Recipe for highefficiency devices: Curich step (large grains) followed by Inrich step (for target position) ? Role of Na (necessary)。 higher band gap alloys (Ga, S) ? Alternate, Cdfree window/buffer layers ? Process controls in manufacturing for uniform position and thinner films (1 μm)。 higher throughput and yield ? Large area ? Throughput and Yield 尚待克服之問題 ? 從國外廠商在研發(fā)這類光電池技術(shù)過程來看， CIGS在高光電效率、低材料成本確實(shí)有其優(yōu)勢存在。不過，還有 : – （ 1）投資成本高、製程複雜：為因應(yīng)製程上的麻煩，已有許多廠商投入，但要改良方式以降低成本，非一朝一夕能夠達(dá)成（但在臺灣有絕對的優(yōu)勢，如是否思考將 TFTLCD或 ITO產(chǎn)線鍍膜設(shè)備做變更設(shè)計(jì)）。奈米科技加持，有了不同研發(fā)方向及角度，可能有機(jī)會(huì)，但在製程過程中，良率會(huì)有多少變化，將是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。 – （ 2）硫化鎘潛在危機(jī)：在正常情況下，鎘是隱藏在電池中不會(huì)外露，但鎘的毒性之強(qiáng)，誰也不敢擔(dān)保不會(huì)危害人們，因此，許多廠商基於這個(gè)因素而捨棄這類光電池的開發(fā)（但相對的此缺陷也造成有些研究單位改以 ZnS作為取代硫化鎘介層，目前效果也不差） – （ 3）關(guān)鍵原料：銦在自然界蘊(yùn)藏量相當(dāng)有限，原材料使用到銦元素也是另一項(xiàng)潛在隱憂。（但這因素可藉由取代銦材料的研究、 CIGS使用到銦材料成分的控制以及設(shè)備更改提高因的使用效率） 市場報(bào)價(jià) ? Solarbuzz即時(shí)報(bào)價(jià)系統(tǒng) – 2022 April Price Mono Crystalline Module Price $ (€) Multi Crystalline Module Price $ (€) Thin Film Module price $ (€)
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1