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正文內(nèi)容

第二章-放大器基礎(chǔ)-資料下載頁

2025-08-09 14:47本頁面
  

【正文】 D S 所以: V5URRRUDD212G ????= 直流通道 ID UDS IG 動態(tài)分析 微變等效電路 +UDD=+20V uo RS ui CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL 150K 50K 1M 10K 10K G D S 10K S G R2 R1 RG D RL RD Ugs gm Ugs Ui Uo Id S G D gsu gsmug dsuid 動態(tài)分析: Ugs Ui Ugs gm Id ri ro gsi UU?? ?Uo S G R2 R1 RG RL? D RL RD )R//R(UgU LDgsmo ???? ??= – gm UiRL Lmu RgA 39。????電壓放大倍數(shù) 負號表示輸出輸入反相 電壓放大倍數(shù)估算 LmV RgA 39。????R1=150k? R2=50k? RG=1M? RS=10k? RD=10k? RL=10k? gm =3mA/V UDD=20V =3?( 10//10) =15 RL=RD//RL ro=RD =10K ? S G R2 R1 RG RL? D RL RD 輸入電阻、輸出電阻 =1+= ? R1=150k? R2=50k? RG=1M? RD=10k? RS=10k? RL=10k? gm =3mA/V UDD=20V ri ro ri=RG+R1//R2 源極輸出器 uo +UDD +20V RS ui C1 R1 RG R2 RL 150K 50K 1M 10K D S C2 G 10K R1=150k? R2=50k? RG=1M? RS=10k? RL=10k? gm =3mA/V UDD=20V 靜態(tài)工作點 : V5URRRUDD212G ????= US?UG RURUISGSSD ???UDS=UDD US =205=15V uo +UDD +20V RS ui C1 R1 RG R2 RL 150K 50K 1M 10K D S C2 G 10K 微變等效電路: 微變等效電路: iU?gsU?oU?dI?gsm Ug?LgsmgsLgsmioVRUgURUgUUA?????? ??????1Rg1RgLmLm ?????ri ro ro? g R2 R1 RG s d RL RS Ui=Ugs+Uo Uo =Id(RS//RL)=gm Ugs RL 求 ri g R2 R1 RG s d RL RS ri ri=RG+R1//R2 求 ro 加壓求流法 mgsmgsdoo g1UgUIUr ??????????Soo R//rr ??gsU?oU?dI?gsm Ug?ro ro? = RS 1+gm RS Io g R2 R1 RG s RS ri=RG+R1//R2 uo +UDD +20V RS ui C1 R1 RG R2 RL 150K 50K 1M 10K D S C2 G 10K R1=150k? R2=50k? RG=1M? RS=10k? RL=10k? gm =3mA/V UDD=20V =[3 ?(10//10) ]/[1+3 ?(10//10) ]= = RS 1+gm RS ro =10/(1+3 ?10)= k? 代入數(shù)值計算 =1+? AV= gm RL 1+gm RL 場效應(yīng)管放大電路小結(jié) (1) 場效應(yīng)管放大器輸入電阻很大。 (2)場效應(yīng)管共源極放大器 (漏極輸出 )輸入輸出反相,電壓放大倍數(shù)大于 1;輸出電阻 =RD。 (3)場效應(yīng)管源極跟隨器輸入輸出同相,電壓放大倍數(shù)小于 1且約等于 1;輸出電阻小。 單管放大器的頻率特性 ? 頻率特性的意義 ? Miller效應(yīng)對高頻特性的影響 ? 耦合電容對低頻特性的影響 1. 頻率特性的意義 )(lg20)( 0 dBVVdBAiV ?LH ffBW ??2. Miller 效應(yīng) Cbc Cbe Cbc bcV CA )1( ?1 2 3 4ABCD4321DCBAT i t l eN um be r R e vi s i onS i z eA4D a t e : 12 M a r 20 06 S he e t o f F i l e : D : \教學(xué) \電子技術(shù) \ f i g \ c h2 \ c h2 .D db D r a w n B y :+ E cUiUo可以克服 Miller效應(yīng)的電路: 高頻特性 Rb,e ?ib ic RS US Cbc bcV CA )1( ?rbb, 假設(shè)中頻時電壓放大倍數(shù) Av,考慮信號源內(nèi)阻時放大倍數(shù) Avs,高頻時為 Avsh。 bsbvvs RRRAA?? 39。39。39。39。 1)//(11bevsbebsvsv s h RCjACRRjAA ?? ????設(shè): beH RCf ?21? 則: hvsv s hffjAA??1 考慮其中的比例系數(shù)的模和幅角: )t a n (a r g hff?? ??2)(11||hvsv s hffAA?? 0 - 20 - 40 fh 10fh 100fh 45o 90o 0o dBAA vsv sh /||lg20 39。?3. 耦合電容和旁路電容對低頻特性的影響 RB RC RL uo Io CjRRRRIULCLCoL?1???如果考慮電容的作用,輸出為: RCjARRCjAA vLCvvl??11)(11 ?????放大倍數(shù)為: 設(shè): RCf L ?21?ffjAALvvl??11則: 考慮其中的比例系數(shù)的模和幅角: 2)(11||ffAALvvl??)t a n (a r g lff?? ??0 - 20 - 40 fl 10fl 45o 0o 90o dBAA vvl /||lg20 39。? 多級放大器 ? 多級放大器耦合方式 – 阻容耦合 – 直接耦合 ? 電壓放大倍數(shù) ? 頻率響應(yīng) 1 2 3 4ABCD4321DCBAT i t l eN um be r R e vi s i onS i z eA4D a t e : 12 M a r 20 06 S he e t o f F i l e : D : \教學(xué) \電子技術(shù) \ f i g \ c h2 \ c h2 .D db D r a w n B y :UiUo+ E c組容耦合: 1 2 3 4ABCD4321DCBAT i t l eN um be r R e vi s i onS i z eA4D a t e : 12 M a r 20 06 S he e t o f F i l e : D : \教學(xué) \電子技術(shù) \ f i g \ c h2 \ c h2 .D db D r a w n B y :UiUo+ E c直接耦合: 放大倍數(shù): vnvvv AAAA ???? ?21
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