【正文】 測(cè)試結(jié)果描述： 測(cè)試結(jié)論： 按照 EN6100048 標(biāo)準(zhǔn) LEVEL 測(cè)試 測(cè)試結(jié)果描述： 測(cè)試結(jié)論：、短時(shí)中斷和電壓變化測(cè)試 按照 EN61000411 標(biāo)準(zhǔn) LEVEL 測(cè)試 測(cè)試結(jié)果描述： 測(cè)試結(jié)論： 按照 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試 測(cè)試結(jié)果描述： 測(cè)試結(jié)論： 按照 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試 測(cè)試結(jié)果描述： 測(cè)試結(jié)論：四、白盒測(cè)試記錄（按照測(cè)試規(guī)范和測(cè)試方案進(jìn)行）：（要測(cè)試多個(gè)環(huán)路，并注意可測(cè)試的電流環(huán)也要測(cè)試）：測(cè)試方法見測(cè)試方案中的規(guī)定a:常溫（ ℃）環(huán)路測(cè)試測(cè)試條件穿越頻率(KHz)相位裕量(176。)增益裕量(dB)V/ AV/ A V/ AV/ AV/ A V/ AV/ AV/ A V/ A測(cè)試現(xiàn)象：測(cè)試結(jié)論：□合格 □不合格b:高溫（ ℃）環(huán)路測(cè)試測(cè)試條件穿越頻率(KHz)相位裕量(176。)增益裕量(dB)V/ AV/ A V/ AV/ AV/ A V/ AV/ AV/ A V/ A測(cè)試現(xiàn)象測(cè)試結(jié)論：□合格 □不合格c:低溫（ ℃）環(huán)路測(cè)試測(cè)試條件穿越頻率(KHz)相位裕量(176。)增益裕量(dB)V/ AV/ A V/ AV/ AV/ A V/ AV/ AV/ A V/ A測(cè)試現(xiàn)象：測(cè)試結(jié)論：□合格 □不合格電流環(huán)測(cè)試（常溫）測(cè)試條件穿越頻率(KHz)相位裕量(176。)增益裕量(dB)V/ AV/ A V/ AV/ AV/ A V/ AV/ AV/ A V/ A測(cè)試結(jié)論：（加附錄）*項(xiàng)目組根據(jù)實(shí)際情況和規(guī)范制定表格*溫度測(cè)試務(wù)必詳細(xì)，應(yīng)該包括各種穩(wěn)態(tài)條件時(shí)的最高溫升記錄以及極限（最惡劣條件下）保護(hù) 瞬間的溫升記錄（不止表中的5種條件）*測(cè)試時(shí)記錄好測(cè)試的條件，測(cè)試結(jié)果。測(cè)試試可以參考測(cè)試方案的規(guī)定測(cè)試，但項(xiàng)目組應(yīng)該根 據(jù)實(shí)際情況找出最惡劣的工作點(diǎn)，進(jìn)行溫度測(cè)試。編號(hào)元器件條件1條件2條件3 條件4條件5123456789101112131415161718192021222324252627282930（加附錄） 部分電壓應(yīng)力測(cè)試可以參考測(cè)試方案，測(cè)試方案沒有規(guī)定的白盒測(cè)試內(nèi)容按照《工業(yè)電源白盒測(cè)試規(guī)范》進(jìn)行測(cè)試。 表格由項(xiàng)目組根據(jù)實(shí)際情況以及規(guī)范制定五、極限測(cè)試記錄（加附錄） 極限測(cè)試的內(nèi)容參見《》以及《HD4805測(cè)試方案》中的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試方法必須參照測(cè)試規(guī)范進(jìn)行，此處不作詳細(xì)描述。 極限測(cè)試包括兩方面的內(nèi)容，一方面是非破壞性的，另一方面是非破壞性的。破壞性試驗(yàn)的主要目的是對(duì)模塊的極限參數(shù)進(jìn)行摸底，由于需要較長(zhǎng)的時(shí)間（損壞需要修理，試驗(yàn)需要較長(zhǎng)時(shí)間的步進(jìn)而不是一下做壞），所以需要提前到項(xiàng)目組自測(cè)，然后與測(cè)試人員共同完成，并且確認(rèn)結(jié)果。非破壞性試驗(yàn)的表格根據(jù)模塊不同需要調(diào)整，所以請(qǐng)項(xiàng)目組參照規(guī)范進(jìn)行調(diào)整使用。A：非損壞性測(cè)試項(xiàng)目非損壞性測(cè)試項(xiàng)目大部分請(qǐng)參照規(guī)范進(jìn)行。在此我們補(bǔ)充一個(gè)實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目，在不剔除輸入過壓保護(hù)的條件下，加靜態(tài)高壓進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試的原則是每次升高電壓5％，然后每個(gè)點(diǎn)工作30分鐘，不斷升高電壓，一般考慮升高到20％－30％為限（最高輸入電壓不超過380Vac，即三相電的線電壓），如果為了摸底，則可以繼續(xù)升高電壓，直到模塊損壞為止：Vinh+5%Vinh+10%Vinh+15%Vinh+20%工作情況劣化指標(biāo)損壞器件、原因分析：B：損壞性測(cè)試項(xiàng)目（必須做到指標(biāo)惡化或者模塊損壞，并記錄相應(yīng)結(jié)果和條件）1溫度極限測(cè)試（需要剔除過溫保護(hù)功能進(jìn)行）測(cè)試條件：Th+5 ℃Th+10℃Th+15 ℃Th+20 ℃工作情況劣化指標(biāo)損壞器件、原因分析：Tl5 ℃Tl10 ℃Tl15 ℃Tl20 ℃能否可靠起機(jī)劣化指標(biāo)2電磁抗擾性極限測(cè)試V規(guī)定+200VV規(guī)定+400VV規(guī)定+600VV規(guī)定+800V性能是否劣化是否損壞損壞器件、原因分析：V規(guī)定+200VV規(guī)定+400VV規(guī)定+600VV規(guī)定+800V性能是否劣化是否損壞損壞器件、原因分析：V規(guī)定+200VV規(guī)定+400VV規(guī)定+600VV規(guī)定+800V性能是否劣化是否損壞損壞器件、原因分析：V規(guī)定+500VV規(guī)定+1000VV規(guī)定+1500VV規(guī)定+2000V性能是否劣化是否損壞損壞器件、原因分析：3負(fù)載極限測(cè)試（需要取消限流功能）測(cè)試條件：Ionom+5%Ionom+10%Ionom+15%Ionom+20%工作情況劣化指標(biāo)損壞器件、原因分析：4輸入靜態(tài)高壓極限測(cè)試（剔除過壓保護(hù)功能測(cè)試）測(cè)試條件：Vinh+5%Vinh+10%Vinh+15%Vinh+20%工作情況劣化指標(biāo)損壞器件、原因分析：5耐壓極限測(cè)試測(cè)試條件：V規(guī)定+200VV規(guī)定+400VV規(guī)定+600VV規(guī)定+800V漏電流超標(biāo)打火或放電損壞器件、原因分析：六、測(cè)試環(huán)境及儀器序號(hào)儀器名稱型號(hào)編號(hào)備注例單相調(diào)壓器5KVA940401031pcs12345678七、測(cè)試數(shù)據(jù)整理、問題描述以及解決辦法測(cè)試測(cè)試問題記錄（要描述清楚，包括更改解決方案以及更改后的結(jié)果）： 項(xiàng)目名稱 測(cè)試類型 □系統(tǒng) □模塊 □單板 □單板軟件 □其它： 自測(cè)階段 □第 次單板測(cè)試 □第 次整機(jī)測(cè)試 1：?jiǎn)栴}描述需要寫清楚問題的現(xiàn)象，發(fā)生條件，原因分析等2：解決辦法中要提出問題解決的辦法3：給出解決后測(cè)試結(jié)果 問題描述：解決辦法：最后結(jié)果：1：?jiǎn)栴}描述需要寫清楚問題的現(xiàn)象，發(fā)生條件，原因分析等2：解決辦法中要提出問題解決的辦法3：給出解決后測(cè)試結(jié)果 問題描述：解決辦法：最后結(jié)果：深圳市艾默生網(wǎng)絡(luò)能源有限公司測(cè)試部自測(cè)報(bào)告系列號(hào) 密級(jí)機(jī)密項(xiàng)目名稱項(xiàng)目組自測(cè)報(bào)告測(cè)試階段： 測(cè)試時(shí)間： 產(chǎn)品項(xiàng)目經(jīng)理： 擬 制： 日期: 審 核： 日期: 批 準(zhǔn)： 日期: 本次測(cè)試文檔提交項(xiàng)目組預(yù)審記錄 歷史測(cè)試已提交并未再更改的文檔不必提交(1)單板硬件測(cè)試任務(wù)必需文檔清單目錄:1 規(guī)格書2:硬件總體技術(shù)方案3:硬件技術(shù)方案概要設(shè)計(jì)4:硬件技術(shù)方案詳細(xì)設(shè)計(jì)5 設(shè)計(jì)計(jì)算書6 器件降額報(bào)告7安規(guī)設(shè)計(jì)查檢表9 研發(fā)過程記錄報(bào)告11B:硬件優(yōu)化更改說明(可選。 注:如單板首次測(cè)試則不必提供)14電路原理圖(2)單板軟件類測(cè)試任務(wù)必需文檔清單目錄:1 規(guī)格書2軟件總體技術(shù)方案3軟件技術(shù)方案概要設(shè)計(jì)4軟件技術(shù)方案詳細(xì)設(shè)計(jì)9 研發(fā)過程記錄報(bào)告10自測(cè)報(bào)告11軟件優(yōu)化更改說明(可選。 注:如單板首次測(cè)試則不必提供)13源程序(3)模塊類測(cè)試任務(wù)必需文檔清單目錄:1 規(guī)格書2A:軟件總體技術(shù)方案(可選,注:含單板軟件必須提供)2B 硬件總體技術(shù)方案(必須)。3A 軟件技術(shù)方案概要設(shè)計(jì)(可選,注:含單板軟件必須提供)。3B 硬件技術(shù)方案概要設(shè)計(jì)(必須)。4A:軟件技術(shù)方案詳細(xì)設(shè)計(jì)(可選,注:含單板軟件必須提供)。4B:硬件技術(shù)方案詳細(xì)設(shè)計(jì)(必須)。5 設(shè)計(jì)計(jì)算書6 器件降額報(bào)告7安規(guī)設(shè)計(jì)查檢表8MTBF預(yù)測(cè)報(bào)告9 研發(fā)過程記錄報(bào)告10自測(cè)報(bào)告11A軟件 優(yōu)化更改說明(可選。 注:如首次測(cè)試則不必提供)11B硬件 優(yōu)化更改說明(可選。 注:如首次測(cè)試則不必提供)13源程序(可選。 注:如含單板軟件則必須提供)15樣機(jī)20可靠性強(qiáng)化試驗(yàn)報(bào)告(可選。注:按規(guī)格書要求選取)（項(xiàng)目組請(qǐng)參考本表格向測(cè)試部提供必備的文檔）文檔名稱文檔是否提交質(zhì)量評(píng)價(jià)產(chǎn)品開發(fā)規(guī)格書□是 □否 □不需要優(yōu)□ 良□ 中□ 差□技術(shù)方案概要設(shè)計(jì)□是 □否 □不需要優(yōu)□ 良□ 中□ 差□硬件總體方案設(shè)計(jì)□是 □否 □不需要優(yōu)□ 良□ 中□ 差□單板總體方案設(shè)計(jì)□是 □否 □不需要優(yōu)□ 良□ 中□ 差□單板硬件詳細(xì)設(shè)計(jì)書□是 □否 □不需要優(yōu)□ 良□ 中□ 差□設(shè)計(jì)計(jì)算書□是 □否 □不需要優(yōu)□ 良□ 中□ 差□器件降額報(bào)告第一次測(cè)試器件降額報(bào)告必須包含器件的主要額定性能指標(biāo)及其工作應(yīng)力、降額率?！跏? □否 □不需要優(yōu)□ 良□ 中□ 差□MTBF預(yù)測(cè)報(bào)告□是 □否 □不需要優(yōu)□ 良□ 中□ 差□安規(guī)設(shè)計(jì)查檢表□是 □否 □不需要優(yōu)□ 良□ 中□ 差□軟件總體方案設(shè)計(jì)□是 □否 □不需要優(yōu)□ 良□