【正文】 化物等配制而成。其特點是介質(zhì)系數(shù)較大，介質(zhì)損耗小，溫度系數(shù)和范圍廣，一般在（+120～5600）ppm/℃之間可調(diào)。高頻熱補償電容瓷常用來制造的負溫產(chǎn)品，其用途最廣的地方就是振蕩回路， 像彩電高頻頭。大家知道，振蕩回路都是由電感和電容構(gòu)成， 回路中的電感線圈一般具有正的電感溫度系數(shù)。因此，為了保持振蕩回路中頻率(F=1/2π√ LC )不隨溫度變化而發(fā)生漂移， 就必須先用具有適當?shù)呢摐囟认禂?shù)的電容器來進行補償。低頻高介電容器是指強介鐵電陶瓷， 一般用作Ⅱ類瓷介電容器的介質(zhì)。具有自發(fā)極化性質(zhì)的非線性陶瓷材料，一般以鈦酸鋇（BaTiO3）為主體的鐵電陶瓷，其特點是介電系數(shù)特別高，一般數(shù)千，甚至上萬； 介電系數(shù)隨溫度呈非線性變化，介電常數(shù)隨施加的外電場有非線性關(guān)系。二、瓷介代號陶瓷介質(zhì)的代號是按其陶瓷粉料的溫度特性來命名的。 常用的幾種陶瓷粉料的含義如下：Y5V：溫度特性Y代表 －25℃； 5代表＋85℃；溫度系數(shù)V代表 －80％ ～ ＋30％Z5U：溫度特性Z代表 ＋10℃； 5代表＋85℃；溫度系數(shù)U代表 －56％ ～ ＋22％X7R：溫度特性X代表 －55℃； 7代表＋125℃溫度系數(shù)R代表 177。 15％NP0：溫度系數(shù)是30ppm/℃三、其它電子陶瓷的產(chǎn)品及用途壓電陶瓷：利用其機－電轉(zhuǎn)換性能以制造換能器、 濾波器及變壓器等。半導(dǎo)體瓷：其電氣性能對外界物理條件極其敏感， 可制造各種敏感元件。比如熱敏電阻，氣敏電阻。磁性瓷：即鐵氧體瓷，是鐵磁性氧化物。 用以制造高頻或微波鐵氧體器件、以及恒磁器件。如VCD中的磁珠。微波介質(zhì)瓷：其品質(zhì)因素大，頻率特性好，可制作聲表面波濾波器(SAWF)；陶瓷濾波器(CF)。貼片電容的材質(zhì)規(guī)格 貼片電容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材質(zhì)規(guī)格，不同的規(guī)格有不同的用途。下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來介紹一下它們的性能和應(yīng)用以及采購中應(yīng)注意的訂貨事項以引起大家的注意。不同的公司對于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法，這里我們引用的是敝司三巨電子公司的命名方法，其他公司的產(chǎn)品請參照該公司的產(chǎn)品手冊。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。 一 NPO電容器 NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。 NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從55℃到+125℃時容量變化為0177。30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于177。NPO電容的漂移或滯后小于177。%，相對大于177。2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于177。%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。 二 X7R電容器 X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當溫度在55℃到+125℃時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。 X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。 X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用，而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。 三 Z5U電容器 Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，它的老化率最大可達每10年下降5%。 盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）低、良好的頻率響應(yīng)，使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。 Z5U電容器的其他技術(shù)指標如下: 工作溫度范圍 +10℃ +85℃ 溫度特性 +22% 56% 介質(zhì)損耗 最大 4% 四 Y5V電容器 Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達+22%到82%。 。 Y5V電容器的其他技術(shù)指標如下: 工作溫度范圍 30℃ +85℃ 溫度特性 +22% 82% 介質(zhì)損耗 最大 5% 電容的主要特性參數(shù)： （1） 容量與誤差：實際電容量和標稱電容量允許的最大偏差范圍。一般使用的容量誤差有：J級177。5%，K級177。10%，M級177。20%。 精密電容器的允許誤差較小，而電解電容器的誤差較大，它們采用不同的誤差等級。 常用的電容器其精度等級和電阻器的表示方法相同。用字母表示：D級—177。%；F級—177。1%；G級—177。2%；J級—177。5%；K級—177。10%；M級—177。20%。 （2） 額定工作電壓：電容器在電路中能夠長期穩(wěn)定、可靠工作，所承受的最大直流電壓，又稱耐壓。對于結(jié)構(gòu)、介質(zhì)、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。 （3） 溫度系數(shù)：在一定溫度范圍內(nèi)，溫度每變化1℃，電容量的相對變化值。溫度系數(shù)越小越好。 （4） 絕緣電阻：用來表明漏電大小的。一般小容量的電容，絕緣電阻很大，在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對而言，絕緣電阻越大越好，漏電也小。 （5） 損耗：在電場的作用下，電容器在單位時間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。這些損耗主要來自介質(zhì)損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來表示。 （6） 頻率特性：電容器的電參數(shù)隨電場頻率而變化的性質(zhì)。在高頻條件下工作的電容器，由于介電常數(shù)在高頻時比低頻時小，電容量也相應(yīng)減小。損耗也隨頻率的升高而增加。另外，在高頻工作時，電容器的分布參數(shù)，如極片電阻、引線和極片間的電阻、極片的自身電感、引線電感等，都會影響電容器的性能。所有這些，使得電容器的使用頻率受到限制。 不同品種的電容器，最高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ以內(nèi)；圓片型瓷介電容器為300MHZ；圓管型瓷介電容器為200MHZ；圓盤型瓷介可達3000MHZ；小型紙介電容器為80MHZ；中型紙介電容器只有8MHZ。 . 技術(shù)資料 . 專業(yè)整理.