單晶硅中可能出現的各種缺陷-資料下載頁
2025-08-05 03:29本頁面
【正文】 度梯度)決定的點缺陷的徑向分布相關聯由干空位和自間隙的相互作用，進而引起氧的異常沉淀，從而引發(fā)OSF?！ ?孿晶 孿晶是由兩部分取向不同，但具有一個共同晶面的雙晶體組成。它們共用的晶面稱為孿生面，兩部分晶體的取向以孿生面為鏡面對稱，且兩部分晶體取向夾角具有特定的值。硅晶體的孿生面為{111}面。 晶體生長過程中，固液界面處引入固態(tài)小顆粒，成為新的結晶中心，并不斷長大形成孿晶。此外，機械振動、拉晶速度過快或拉速突變也可促使孿晶的形成。四、體缺陷 所謂體缺陷，是指在晶體中三維尺度上出現的周期性排列的紊亂，也就是在較大的尺寸范圍內的晶格排列的不規(guī)則。這些缺陷的區(qū)域基本上可以和晶體或者晶粒的尺寸相比擬，屬于宏觀的缺陷，較大的體缺陷可以用肉眼就能夠清晰觀察。 體缺陷有很多種類，常見的有包裹體、氣泡、空洞、微沉淀等。這些缺陷區(qū)域在宏觀上與晶體其他位置的晶格結構、晶格常數、材料密度、化學成分以及物理性質有所不同，好像是在整個晶體中的獨立王國?！ ?嵌晶 硅晶體內部存在與基體取向不同的小晶體（晶粒）稱為嵌晶。嵌晶可為單晶或多晶。在一般拉晶工藝下，嵌晶很少見。 2夾雜物 由外界或多晶引入熔硅中的固態(tài)顆粒，在拉晶時被夾帶到晶體中形成第二相稱為夾雜物。應用電子探針和掃描電子顯微鏡觀察到直拉或者區(qū)熔硅單晶中，存在αSiC和βSiC顆粒，其尺寸由幾個微米到十幾個微米?！ ?孔洞 硅單晶中存在的近于圓柱形或球形的空洞。在硅單晶機械加工時，硅片上所見到的圓形孔洞，大的孔洞直徑有幾毫米。五、條紋 在宏觀上為一系列同心環(huán)狀或螺旋狀的腐蝕圖形，在100倍或者更高放大倍數下是連續(xù)的表面凹凸狀條紋。
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