光電子技術(shù)(安毓英)習(xí)題答案-資料下載頁
2025-08-05 02:46本頁面
【正文】 的MTF至少要多大？答： 紅外成像系統(tǒng)A的NETDA小于紅外成像系統(tǒng)B的NETDB，能否認(rèn)為紅外成像系統(tǒng)A對各種景物的溫度分辨能力高于紅外成像系統(tǒng)B，試簡述理由。答：不能。NETD反映的是系統(tǒng)對低頻景物（均勻大目標(biāo)）的溫度分辨率，不能表征系統(tǒng)用于觀測較高空間頻率景物時的溫度分辨性能。 試比較帶像增強器的CCD、薄型背向照明CCD和電子轟擊型CCD器件的特點。答：帶像增強器的CCD器件是將光圖像聚焦在像增強器的光電陰極上，再經(jīng)像增強器增強后耦合到電荷耦合器件（CCD）上實現(xiàn)微光攝像（簡稱ICCD）。最好的ICCD是將像增強器熒光屏上產(chǎn)生的可見光圖像通過光纖光錐直接耦合到普通CCD芯片上。像增強器內(nèi)光子－電子的多次轉(zhuǎn)換過程使圖像質(zhì)量受到損失，光錐中光纖光柵干涉波紋、折斷和耦合損失都將使ICCD輸出噪聲增加，對比度下降及動態(tài)范圍減小，影響成像質(zhì)量。靈敏度最高的ICCD攝像系統(tǒng)可工作在106lx靶面照度下。薄型、背向照明CCD器件克服了普通前向照明CCD的缺陷。光從背面射入，遠(yuǎn)離多晶硅，由襯底向上進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，大量的硅被光刻掉，在最上方只保留集成外接電極引線部分很少的多晶硅埋層。由于避開了多晶硅吸收， CCD的量子效率可提高到90％，與低噪聲制造技術(shù)相結(jié)合后可得到30個電子噪聲背景的CCD，相當(dāng)于在沒有任何增強手段下照度為104lx（靶面照度）的水平。盡管薄型背向照明CCD器件的靈敏度高、噪聲低，但當(dāng)照度低于106lx（靶面照度）時，只能依賴圖像增強環(huán)節(jié)來提高器件增益，克服CCD噪聲的制約。 電子轟擊型CCD器件是將背向照明CCD當(dāng)作電子轟擊型CCD的“陽極”，光電子從電子轟擊型CCD的“光陰極”發(fā)射直接“近貼聚焦”到CCD基體上，光電子通過CCD背面進(jìn)入后，硅消耗入射光子能量產(chǎn)生電子空穴對，進(jìn)而發(fā)生電子轟擊半導(dǎo)體倍增，電子轟擊過程產(chǎn)生的噪聲比用微通道板倍增產(chǎn)生的噪聲低得多，與它獲得的3000倍以上增益相比是微不足到的。電子轟擊型CCD器件采用電子從“光陰極”直接射入CCD基體的成像方法，簡化了光子被多次轉(zhuǎn)換的過程，信噪比大大提高，與ICCD相比，電子轟擊型CCD具有體積小、重量輕、可靠性高、分辨率高及對比度好的優(yōu)點。 試說明自會聚彩色顯像管的特點。答：精密直列式電子槍；開槽蔭罩和條狀熒光屏；精密環(huán)形偏轉(zhuǎn)線圈。 ，光在向列液晶中傳播，且，試分析當(dāng)位相差為0，π/4, π/2, 3π/4, π, 5π/4, 3π/2, 7π/4和2π時，輸出光的偏振狀態(tài)。答：線偏振光、橢圓偏振光、圓偏振光、橢圓偏振光、線偏振光、橢圓偏振光、圓偏振光、橢圓偏振光、線偏振光 試比較TN－LCD和STN－LCD的特點。答：TN－LCD利用了扭曲向列相液晶的旋光特性，液晶分子的扭曲角為90186。，它的電光特性曲線不夠陡峻，由于交叉效應(yīng)，在采用無源矩陣驅(qū)動時，限制了其多路驅(qū)動能力。STN－LCD的扭曲角在180186。—240186。范圍內(nèi)，曲線陡度的提高允許器件工作在較多的掃描行數(shù)下，利用了超扭曲和雙折射兩個效應(yīng)，是基于光學(xué)干涉的顯示器件。STNLCD所用的液晶材料是在特定的TN材料中添加少量手征性液晶以增加它的扭曲程度，盒厚較薄，一般57μm。STNLCD的工藝流程基本上和TNLCD類似，但由于STNLCD是基于光干涉效應(yīng)的顯示器件，對盒厚的不均勻性要求＜(TNLCD只要求＜)，否則就會出底色不均勻，預(yù)傾角要求達(dá)到3186?！?186。，電極精細(xì)，器件尺寸較大，因此其規(guī)模生產(chǎn)難度較TNLCD大許多。 試說明充氣二極管伏安特性中擊穿電壓和放電維持電壓的概念。答：曲線AC段屬于非自持放電，在非自持放電時，參加導(dǎo)電的電子主要是由外界催離作用（如宇宙射線、放射線、光、熱作用）造成的，當(dāng)電壓增加，電流也隨之增加并趨于飽和，C點之前稱為暗放電區(qū)，放電氣體不發(fā)光。隨著電壓增加，到達(dá)C點后，放電變?yōu)樽猿址烹?，氣體被擊穿，電壓迅速下降，變成穩(wěn)定的自持放電（圖中EF段），EF段被稱為正常輝光放電區(qū)，放電在C點開始發(fā)光，不穩(wěn)定的CD段是欠正常的輝光放電區(qū)，C點電壓Vf，稱為擊穿電壓或著火電壓、起輝電壓，EF段對應(yīng)的電壓VS稱為放電維持電壓。 試說明注入電致發(fā)光和高場電致發(fā)光的基本原理。答：注入電致發(fā)光是在半導(dǎo)體PN結(jié)加正偏壓時產(chǎn)生少數(shù)載流子注入，與多數(shù)載流子復(fù)合發(fā)光。高場電致發(fā)光是將發(fā)光材料粉末與介質(zhì)的混合體或單晶薄膜夾持于透明電極板之間，外施電壓，由電場直接激勵電子與空穴復(fù)合而發(fā)光。
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