河北省邯鄲市臨漳一中20xx屆高三春季開學(xué)摸底考試試卷理科-資料下載頁
2025-08-04 17:41本頁面
【正文】 植株的兩種途徑，請據(jù)圖回答有關(guān)問題：（1）選用的材料合適與否是成功誘導(dǎo)出花粉植株的重要因素，一般來說選用單核期的花粉可提高成功率，原因是 。上圖中花藥經(jīng)脫分化產(chǎn)生胚狀體還是愈傷組織主要取決于培養(yǎng)基中 。（2）基因型為AaBb（兩對基因自由組合）的二倍體月季，用它的花藥進(jìn)行離體培養(yǎng)，在獲得由花粉發(fā)育成的單倍體植株的同時，也得到一些二倍體植株?？赡艿脑蚴? 。對花藥離體培養(yǎng)過程中得到的幼胚，用0．2%—0．4%的秋水仙素進(jìn)行處理，得到了許多染色體數(shù)目增加一倍的植株。其中，兩對性狀均為顯性的基因型是 。40．【生物——選修3：現(xiàn)代生物科學(xué)技術(shù)】（15分）擬南芥是遺傳學(xué)研究的模式植物，某突變體可用于驗證相關(guān)的基因的功能。野生型擬南芥的種皮為深褐色（TT），某突變體的種皮為黃色（tt）,下圖是利用該突變體驗證油菜種皮顏色基因（Tn）功能的流程示意圖。（1）圖中①應(yīng)為 。若②不能在含抗生素Kan的培養(yǎng)基上生長，則原因是 。若③的種皮顏色為 ，則說明油菜Tn基因與擬南芥T基因的功能相同。（2）所得的轉(zhuǎn)基因擬南芥與野生型擬南芥 （填是或者不是）同一個物種。（3）為篩選出具有抗鹽性狀的突變體，需將③播種在含 的培養(yǎng)基上，獲得所需個體；經(jīng)過多代種植獲得能穩(wěn)定遺傳的抗鹽突變體。為確定抗鹽性狀是否由單基因突變引起，需將該突變體與 植株進(jìn)行雜交，再自交 代后統(tǒng)計 。 開學(xué)摸底考試答案（生物部分）32.（15分）（1）2 （1分） 兩（不同）（1分） 兩（1分）（2）8 （2分） 1/5（2分）（3）三角形：卵圓形=7:9（2分）（4）3（2分） 4/15（2分）（5）某對同源染色體未分離或某條染色體的姐妹染色體分離后未分配到兩個子細(xì)胞（其他正確表述得分）（2分）39．［生物―――選修１生物技術(shù)實踐］（15分）Ⅰ．未夾住發(fā)酵瓶的充氣管（2分）瓶中發(fā)酵液過多，淹沒了排氣管的管口（2分）葡萄醋（或果醋）（1分）葡萄酒（或果酒）（1分）葡萄酒（或果酒）（1分）Ⅱ．（1）這個時期對離體刺激敏感（2分）激素的種類及其濃度配比（2分）（2）剝離花藥時損傷了花藥壁，由花藥壁細(xì)胞發(fā)育而成（或受傷部位產(chǎn)生愈傷組織）（2分） AABB和AAaaBBbb（2分）（化學(xué)部分）7．D 8．C 9．A 10．D 11．B 12．A 13．B26．(14分)(每小問2分)(1) ① ②acd ③減小 正反應(yīng) ④ (2) ① 極(性)② 2N2H4(l)+N2O4(l)=3N2(g)+4H2O(l) ΔH=－ kJ/mol ③ N2H4－4e－=N2+4H+ 27．(14分) (每空2分)(1) 弱堿性 SO42－+H2OHSO4－+OH－(2) HSO4－+HCO3－=H2O+CO2↑+SO42－ (3) (4) Cu2O+2H+=Cu+Cu2++H2O Cu2O+3H2SO4(濃)2CuSO4+SO2↑+3H2O 28．(15分)(1)檢驗裝置氣密性 (1分)(2)用生成的N2排除裝置內(nèi)的空氣，避免空氣中CO2對實驗造成的干擾 (2分)使分解產(chǎn)物全部通過后面的裝置，充分反應(yīng) (2分)(3)CO2 (1分) F中不出現(xiàn)渾濁，I中出現(xiàn)渾濁(H內(nèi)固體變紅) (2分) 在CD之間連一個盛有無水CuSO4的裝置 (2分) FeO (2分)(4)FeC2O42H2OFeO+CO↑+CO2↑+2H2O (3分)36．[化學(xué)—選修2：化學(xué)與技術(shù)] (15分)(1)60e－(2分) (2)HI具有還原性，能將已生成的碘酸氫鉀還原(2分)(3)Cl2及Cl2與KOH反應(yīng)生成的KClO，能將KIO3氧化成KIO4(3分)(4)漏斗、燒杯、玻璃棒(3分，每對1個得1分)(5)KH(IO3)2+KOH=2KIO3+H2O(3分) (6)蒸發(fā)結(jié)晶(2分)37．[化學(xué)—選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)] (15分)(1) 3d104s1 (2分) (2) 2 (2分) (3) FNO (2分)(4)H2O分子間存在氫鍵(2分)(5)三角錐形 (2分) sp3 (2分)(6) (3分)38．[化學(xué)—選修5：有機(jī)化學(xué)基礎(chǔ)] (15分) (1) 消去反應(yīng)(各2分) (2) 羧基、羰基 (共2分) 5 (2分)(3)(3分)(4) (各2分)（物理部分）24．（12分）（1）由圖象可知：4s末，=2m/s，=4m/s，所以，①設(shè)v與x軸正向夾角為α，則tanα==2，即；②（2）由圖象可知，4s末到6s末， ③ ， ④ 則a=， ?、菰O(shè)a與x軸正向夾角為β，則tanβ==2，即； ?、蓿?）速度—時間圖象與橫軸所圍的面積表示位移，由圖象可知，開始6s內(nèi)，?、摺 。、鄤t位移S=， ?、嵩O(shè)S與x軸正向夾角為θ，則tanθ==，即arctan。?、猗佗诟?分，③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩各1分。176。角，有 ① Eq=ma ② 電荷進(jìn)入?yún)^(qū)域一后，在洛侖茲力的作用下做勻速圓周運(yùn)動，運(yùn)動軌跡如圖，有： ③由題意及幾何關(guān)系：S=， ④ r= ⑤由①②③④⑤可得： ⑥（3）電荷從坐標(biāo)原點O第二次經(jīng)過x軸進(jìn)入?yún)^(qū)域二，速度方向與電場方向垂直，電荷在電場中做類平拋運(yùn)動，設(shè)經(jīng)過時間t電荷第三次經(jīng)過x軸，有： ⑦ 所以： ⑧解得：x=即電荷第三次經(jīng)過x軸上的點坐標(biāo)為（，0） ⑨①②③⑦⑧各2分，④⑤⑥⑨各1分。 33．(選修模塊33)(15分)（1）BD（2）①根據(jù)蓋—呂薩克定律，則C=，?、偎驭=C ΔT=，②即體積的變化量與溫度的變化量成正比，吸管上標(biāo)的刻度是均勻的 ?、邰谝驗棣=，所以④這個氣溫計可以測量的溫度為t=（）℃，℃～℃ ⑤①②④⑤各2分，③1分。34．(選修模塊34)(15分)（1）BDabnRirO（2）如圖，若光線經(jīng)球殼折射后恰與球殼的內(nèi)表面相切，則被吸收的光束進(jìn)入球殼前的橫截面積S=πR2，①由折射定律sini=nsinr②sini=R/b③sinr=a/b④將③④代入②得：R=na，若ab/n時，S=πn2a2；⑤若a≥b/n時，進(jìn)入球殼的光線全部被吸收，此時，S=πb2。⑥②⑤⑥各2分，①③④各1分。
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