【正文】 第 3章 電子元器件 4) 光電二極管 又稱為光敏二極管。當(dāng)光照射到光電二極管時，其反向電流大大增加，使其反向電阻減小。在檢測其好壞時，先用萬用表 R 1 kΩ擋判斷出正負極，然后再測其反向電阻，無光照時，一般阻值大于 200 kΩ。受光照時，其阻值會大大減少。若變化不大則說明被測管已損壞或者不是光電二極管。此方法也可用于檢測紅外線接收管的好壞。 第 3章 電子元器件 3． 二極管的選用 (1) 根據(jù)具體電路要求選用不同類型及特性的二極管。如檢波電路中選用檢波二極管，穩(wěn)壓電路中選用穩(wěn)壓二極管，開關(guān)電路中選用開關(guān)二極管，并且要注意不同型號的管子的參數(shù)和特性差異。如整流電路中選用的整流二極管，不但要注意其功率的大小，還要注意工作頻率和工作電壓等。 第 3章 電子元器件 (2) 在選好類型的基礎(chǔ)上 ， 要選好二極管的各項主要參數(shù) ，要特別注意不同用途的二極管對哪些參數(shù)要求更嚴格 ， 如選用整流管時要特別注意最大工作電流不能超過管子的額定電流 。在選用開關(guān)二極管時 ， 開關(guān)時間很重要 ， 而這個主要由反向恢復(fù)時間來決定 。 (3) 根據(jù)電路要求和電路板安裝位置，選好二極管的外形、尺寸大小和封裝形式。如外形有圓形的、方形的、片狀的、小型的、中型的等。封裝形式有全塑封裝、金屬外殼封裝、玻璃封裝等。 第 3章 電子元器件 三極管 常見三極管有晶體三極管 、 晶體閘流管和場效應(yīng)管三種 ，分別簡稱為晶體管 、 晶閘管和場效應(yīng)管 。 下面予以簡述 。 1． 晶體管 (1)晶體管的引腳排列并沒有具體的規(guī)定，所以各個生產(chǎn)廠家都有自己的排列規(guī)則。部分晶體管引腳排列如圖 。 第 3章 電子元器件 圖 常見晶體三極管外形及其電路符號、引腳排列 (a) 國產(chǎn)普通三極管； (b) 塑封小功率三極管； (c) 中功率三極管； (d) 高頻小功率三極管； (e) 片狀三極管； (f) 低頻大功率三極管； (g) 三極管電路符號 第 3章 電子元器件 (2) 用萬用表判斷晶體管管型和電極 。 ① 首先找出基極 (b極 )。 ?用萬用表 R 100 Ω 或 R 1 kΩ電阻擋隨意測量晶體管的兩極 ， 直到指針擺動較大為止 。 然后固定黑 (紅 )表筆 ， 把紅 (黑 )表筆移至另一引腳上 ， 若指針同樣擺動 ， 則說明被測管為 NPN(PNP)型 ， 且黑 (紅 )表筆所接觸引腳為 b極 。 ② c極和 e極判別 。 根據(jù) ① 中測量已確定了 b極 ， 且為NPN(PNP)， 再使用萬用表 R 1 kΩ擋進行測量 。 假設(shè)一極為 c極接黑 (紅 )表筆 ， 另一極為 e極接紅 (黑 )表筆 ， 用手指捏住假設(shè)為 c極和 b極 (注意 c極和 b極不能相碰 )， 讀出其電阻值 R1， 然后再假設(shè)另一極為 c極 ， 重復(fù)上述操作 (注意捏住 b、 c極的力度兩次都要相同 )， 讀出阻值 R2。 比較 Rl與 R2的大小 ， 以小的一極為正確假設(shè) ， 黑 (紅 )表筆對 c極 。 第 3章 電子元器件 (3) 晶體管質(zhì)量判別 。 通過檢測以下三個方面來判斷 ， 只要有一個方面達不到要求 ， 即為壞管 。 ① 首先判斷發(fā)射結(jié) BE和集電結(jié) BC是否正常 ， 按普通二極管好壞判別方法進行 。 ② 用測量 ce漏電電阻的大小來判斷， ?測量時對于NPN(PNP)型晶體管， ?萬用表的黑 (紅 )表筆接 c極，紅 (黑 )表筆接 e極， b極懸空，這時的 Rce越大越好。一般應(yīng)大于 50 kΩ，硅管應(yīng)大于 500 kΩ才可使用。 ③ 檢測晶體管有無放大能力。采用判斷 c極時的方法，觀察萬用表指針在手捏住 c、 b極前后的變化即可知道該管有無放大能力。 第 3章 電子元器件 指針變化大說明該管 β 值較高 ， 若指針變化不大則說明該管 β 值小 ， 其測試原理圖如圖 。 圖中 E為萬用表內(nèi)部電源 ， Rs為表內(nèi)電阻 ， Rb為當(dāng)用手捏住 b、 c極但不短接時的等效電阻 。 這樣根據(jù)教材上所學(xué)知識 ， 則用手捏住 b、 c極后三極管處于放大狀態(tài) ， 當(dāng)然 β 愈大 ， 電流 Ic愈大 ， 即指針變化愈大 。若萬用表有 β 擋時 ， 則直接測量更方便 。 這里補充介紹一下電視機、計算機監(jiān)視器等電路中掃描電路功率器件 —— 行輸出管的結(jié)構(gòu)及檢測。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖 所示。這種管子要求輸出功率大，耐壓高， b、 e間有保護電阻R， c、 e間有阻尼二極管 VD。 第 3章 電子元器件 圖 晶體管 β的測試原理圖 第 3章 電子元器件 圖 行輸出管內(nèi)部結(jié)構(gòu)極 第 3章 電子元器件 判斷行輸出管極性時，用萬用表 R 10擋任意測量其兩極，若發(fā)現(xiàn)兩極在正、反測量時的阻值都很小 (如在 10～ 70 Ω之間 )，則比較兩次阻值大小，小的一次黑表筆接的則是 b極，紅表筆接的是 e極，剩下的一個極就是 c。若要檢測其好壞時，重點是測量 Rce正、反向電阻，用 R 10 kΩ擋，黑表筆接 e極，紅表筆接 c極時阻值應(yīng)無窮大，指針稍微偏轉(zhuǎn)都視為漏電。反轉(zhuǎn)表筆測量時，阻值較小，因為這時阻尼二極管導(dǎo)通。 第 3章 電子元器件 2． 晶閘管 晶閘管是晶體閘流管的簡稱 ， 它實際上是一個硅可控整流器 ， 基本結(jié)構(gòu)是在一塊硅片上制作 4個導(dǎo)電區(qū) ， 形成三個 PN結(jié) ，最外層的 P區(qū)和 N區(qū)引出兩個電極 ， 分別為陽極 A和陰極 K， 由中間的 P區(qū)引出控制極 G。 其結(jié)構(gòu)如圖 (a)所示 ， 在電路中表示符號如圖 (d)所示 。 為了說明晶閘管的工作原理，把晶閘管看成是由 PNP和NPN兩個晶體管連接而成，每個晶體管的基極與另一個晶體管的集電極相連，如圖 (b)及 (c)所示。陽極 A相當(dāng)于 PNP 型晶體管 V1的發(fā)射極，陰極 K相當(dāng)于 NPN型晶體管 V2的發(fā)射極。 第 3章 電子元器件 圖 晶閘管結(jié)構(gòu)圖及等效電路圖 第 3章 電子元器件 如果晶閘管陽極 A加正向電壓，控制極也加正向電壓，如圖 ，那么晶體管 V2處于正向偏置， EG產(chǎn)生的控制極電流 IG就是 V2的基極電流 Ib2， V2的集電極電流 Ic2＝ β2 IG。而 Ic2又是晶體管 V1的基極電流， Vl的集電極電流 Icl＝ β Ic2＝ β1β2IG，此電流又流入 V2基極，再一次放大，這樣循環(huán)下去，形成強烈的正反饋，使兩個晶體管很快達到飽和導(dǎo)通。這就是晶閘管的導(dǎo)通過程。導(dǎo)通后，其壓降很小，電源電壓幾乎全部加在負載上。 第 3章 電子元器件 圖 晶閘管工作原理圖 第 3章 電子元器件 另外 ， 一旦晶閘管導(dǎo)通之后 ， 它的導(dǎo)通狀態(tài)完全依靠管子本身的正反饋來維持 ， 即是控制電流消失 ， 晶閘管仍然處于導(dǎo)通狀態(tài) ， 所以控制極的作用僅僅是觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通 ， 一旦導(dǎo)通之后 ， 控制極就失去了控制作用 。 要想關(guān)斷晶閘管 ， 必須將陽極電流減小到使之不能維持正反饋過程 ， 或者將陽極電源斷開或者在晶閘管的陽極與陰極間加一個反向電壓 。 晶閘管按其功能又分為單向晶閘管和雙向晶閘管兩種。其外形圖及電路符號如圖 。其中單向晶閘管只能導(dǎo)通直流，且 G極需加正向脈沖才導(dǎo)通。雙向晶閘管可導(dǎo)通交流和直流，只要在 G極加上相應(yīng)控制電壓即可。 第 3章 電子元器件 圖 常見晶閘管種類及符號 (a) 單向晶閘管； (b) 雙向晶閘管 第 3章 電子元器件 3. 場效應(yīng)管 場效應(yīng)管是一種利用電場效應(yīng)來控制其電流大小的半導(dǎo)體器件 ， 外形和晶體管相似 ， 但它以輸入阻抗高 、 功耗小 、 噪聲低 、 熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點而被廣泛應(yīng)用 。 根據(jù)其結(jié)構(gòu)不同而分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管 (后者簡稱 MOS管 )。 電路符號如圖 。 這里就選用場效應(yīng)管時應(yīng)注意的事項說明如下： 第 3章 電子元器件 (1) 對于結(jié)型場效應(yīng)管 ， 根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點用萬用表可判斷出極性 。 將萬用表調(diào)到 R 1 kΩ擋 ， 然后任測兩個電極間的正 、反向電阻值 ， 若某兩個電極的正 、 反向電阻值相等且為幾千歐姆時 ， 則可判定該兩個電極分別是漏極 D和源極 S(因為結(jié)型場效應(yīng)管的 D極和 S極可以互換 )， 另外一個極為柵極 G。 然后利用二極管的判別方法 ， 測量 G與 S(或 D)之間電阻值 ， 進而確定是 N溝道還是 P溝道 。 (2) 對于 MOS管 ， 因其輸入阻抗極高 ， 極易被感應(yīng)電荷擊穿 ， 所以不僅不要隨便去用萬用表測量其參數(shù) ， 而且在運輸 、儲藏中必須將引出管腳短路 ， 并要用金屬屏蔽包裝 ， 以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿 。 尤其注意保存時應(yīng)放入金屬盒內(nèi) ， 而不能放入塑料盒 。 第 3章 電子元器件 圖 場效應(yīng)管的電路符號 第 3章 電子元器件 集 成 電 路 集成電路的型號命名方法 1． 國內(nèi)集成電路型號命名方法 國標(biāo) GB343089規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路型號的命名由五個部分組成。 ?五個組成部分的符號及意義見表 311。 第 3章 電子元器件 第 0 部分 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 用字母表示器件符號 用字母表示器件的類型 用阿拉伯?dāng)?shù)字和字符表示器件的系列和品種代號 用字母表示器件的工作溫度范圍 用字母表示器件的封裝 符號 意義 符號 意 義 符號 意義 符號 意 義 T TTL 電路 C 0 ～ 70 ℃ F 多層陶瓷扁平 H H T L 電路 G － 25 ～ 70 ℃ B 塑料扁平 E E CL 電路 L － 25 ～ 85 ℃ H 黑瓷扁平 C CM O S 電路 E － 40 ～ 85 ℃ D 多層陶瓷雙列直 插 M 存儲器 R － 55 ～ 85 ℃ J 黑瓷雙列直插 μ 微型機電路 M － 55 ～ 125 ℃ P 塑料雙列直插 F 線性放大器 S 黑瓷單列直插 w 穩(wěn)壓器 K 金屬菱形 B 非線性電路 T 金屬圓形 J 接口電路 C 陶瓷芯片載體 AD A / D 轉(zhuǎn)換器 E 塑料芯片載體 DA D / A 轉(zhuǎn)換器 G 網(wǎng)絡(luò) 陣 列 D 音響、電視電路 S C 通信專用電路 SS 敏感電路 C 符 合 國 家 標(biāo) 準(zhǔn) SW 鐘表 電路 表311 集成電路型號中各部分的符號及意義 第 3章 電子元器件 2． 國外集成電路型號命名方法 國外集成電路的命名，不同公司有不同的命名方法，一般前綴字母表示公司，但也有前綴字母相同的并不是一個公司，表 312列出了國外部分公司常見集成電路的命名。 第 3章 電子元器件 表 312 國外 (部分公司 )常見集成電路命名 字 頭 尾 標(biāo) 生產(chǎn)公司 符號 電路種類 符號 封裝形式 BX 混合型 A 改進型 C X A 雙極型 D 陶瓷封裝雙列直插式 C X B 雙極型數(shù)字 L 單列直插式 C X D M O S M 小型扁平封裝單列直插式 C X K 存儲器 P 塑料封裝雙列直插式 L CCD Q 四列扁平 日本索尼公司 PQ 微機 S 縮小型雙列直插式 M5 工業(yè)用 / 消費產(chǎn)品 B 樹脂封口陶瓷管雙列直插式 溫度范圍 ( － 20 ～ 75 ℃ ) FP 注塑扁平 M9 高可靠型 K 玻璃 封口 陶瓷 L 注塑單列直插式 P 注塑雙列直插式 R 金屬殼玻璃 S 金屬封口陶瓷 SP 注塑扁型雙列直插式 日本三菱公司 T 塑料單列直插式 第 3章 電子元器件 AN 模 擬 K 縮小型雙列直插式 DN 數(shù)字 N 改進型 MN M O S P 普通塑料 日本松下公司 OM 助聽器 S 小型扁平 HN 模擬 AP 改進型 HD 數(shù)字 C 陶瓷 HM R A M F 雙列扁平 HN R O M G 陶瓷浸漬 NO 陶瓷雙列 NT 縮小型雙列直插式 P 塑料 R 引腳排列相反 日本日立公司 W 四列扁平 T 模擬 S 數(shù)字 德國西門子公司 V 第 3章 電子元器件 字 頭 尾 標(biāo) 生產(chǎn)公司 符號 電路種類 符號 封裝形式 AY 12 8 引線雙列直插式 LC 16