過壓保護(hù)電路-資料下載頁
2025-07-26 04:39本頁面
【正文】 OSFET源極和柵極之間增加一個(gè)外部箝位二極管(圖5中的D1)可重新建立輸出端與100mA恒流源之間的通路。在柵極和GATE引腳之間增加一個(gè)串聯(lián)電阻(圖5中的R3)，將會(huì)限制輸出電容的放電電流，降低電流。限制放電電流的同時(shí)會(huì)增加電路的斷開時(shí)間，也降低了電路對瞬態(tài)過壓的響應(yīng)速度。在串聯(lián)電阻兩端并聯(lián)一個(gè)電容(圖5中的C4)可以減輕對響應(yīng)時(shí)間的影響，還可以選擇使用電阻R4，避免OUTFB浮空。如果將SET外部的分壓電阻連接到輸出端，而不是輸入端(參考上述電路圖)，使MAX6495–MAX6499/MAX6397/MAX6398工作在限幅模式，發(fā)生過壓時(shí)，電路會(huì)定期地對輸出電容進(jìn)行充電。電容電壓跌落到過壓門限的滯回電壓以下時(shí)，MOSFET導(dǎo)通，對電容充電；當(dāng)電容電壓達(dá)到過壓門限時(shí)，MOSFET斷開。圖6給出了MAX6495–MAX6499/MAX6397/MAX6398工作在過壓監(jiān)控模式的電路。輸入電壓經(jīng)過電阻分壓后連接到SET引腳，當(dāng)輸入過壓時(shí)，斷開MOSFET，并將一直維持?jǐn)嚅_狀態(tài)，直到解除輸入過壓故障。圖6. 過壓監(jiān)測模式下的過壓比較
研究報(bào)告相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1