電磁場(chǎng)與電磁波微波技術(shù)-資料下載頁(yè)
2025-07-14 01:24本頁(yè)面
【正文】 量來(lái)表示。因此，首先用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量待測(cè)元器件的散射參量，然后得到反映元器件特性的外部特性參量。圖1所示為微波二端口網(wǎng)絡(luò)的示意圖。圖1 微波二端口網(wǎng)絡(luò)示意圖散射參量S的定義為： (1)散射參量矩陣[S]中各元素的意義分別為：S11：當(dāng)輸出端接匹配負(fù)載時(shí)，輸入端口的電壓反射系數(shù)；S22：當(dāng)輸入端接匹配負(fù)載時(shí)，輸出端口的電壓反射系數(shù)；S12：當(dāng)輸入端接匹配負(fù)載時(shí)，輸出端口到輸入端口的電壓傳輸系數(shù)；S21：當(dāng)輸出端接匹配負(fù)載時(shí)，輸入端口到輸出端口的電壓傳輸系數(shù)。因此網(wǎng)絡(luò)輸入端電壓反射系數(shù)的模，故輸入駐波比為： （2）回波損耗(return loss)Lr：回波損耗用來(lái)描述反射系數(shù)的幅度,有時(shí)又稱為失配損耗。它與負(fù)載反射系數(shù)大小有關(guān),其絕對(duì)值越大，則表明負(fù)載匹配越好，反射越小。引入回波損耗以后，反射系數(shù)的大小就可用dB形式來(lái)表示。 (3)插入損耗 (Insertion loss)IL：插入損耗定義為網(wǎng)絡(luò)輸出端接匹配負(fù)載時(shí)，網(wǎng)絡(luò)輸入端入射波功率Pi與負(fù)載吸收功率PL之比，即： (4)用分貝表示，為： (5)4． 實(shí)驗(yàn)步驟（1）測(cè)量負(fù)載的阻抗、回波損耗及駐波a) 開(kāi)機(jī)（按照說(shuō)明書(shū)要求），～。設(shè)定BF：1800MHz。 △F：20MHz。 EF：3200MHz。 N=71。b) 按圖2 所示把電橋連接好，并選擇測(cè)試B端口回?fù)p。輸出輸入A輸入B電橋圖2負(fù)載反射特性測(cè)試框圖c) 開(kāi)路校準(zhǔn)：把開(kāi)路器接上，按 [執(zhí)行], 光標(biāo)在Smith圓圖上右端閃爍。短路校準(zhǔn)：把短路器接上，按 [執(zhí)行], 光標(biāo)在Smith圓圖上左端閃爍。d) 測(cè)負(fù)載：接上待測(cè)負(fù)載，可用Smith圓圖看出變化趨勢(shì)。e) 測(cè)回波損耗按 [菜單] 選擇“對(duì)數(shù)”，再按 [執(zhí)行]，即可出現(xiàn)回波損耗曲線，讀出數(shù)據(jù), 列表并畫(huà)圖。f) 測(cè)駐波按 [菜單]，把光標(biāo)移到 [駐波]，按 [執(zhí)行] 即可，有四檔可選讀數(shù)范圍，讀出數(shù)據(jù)，列表并畫(huà)圖。（2）測(cè)量同軸可變衰減器的插入損耗a) 按圖3所示連接好。輸出輸入A輸入B10dB衰減器10dB衰減器待測(cè)器件圖3 待測(cè)器件連接框圖 b) 在主菜單上按“ ”鍵光標(biāo)移到《測(cè)：A、B》下，按[→]或[←]鍵使A為《插損》，B下為空白。c) 直通校準(zhǔn)按“↓”使光標(biāo)停在《校：直通》下，按“執(zhí)行”鍵，此時(shí)為直通狀態(tài)，測(cè)試系統(tǒng)（如電纜，10dB的衰減器）的插入損耗即歸零，系統(tǒng)轉(zhuǎn)入測(cè)試狀態(tài)。d) 測(cè)同軸可變衰減器的插入損耗將待測(cè)試的同軸可變衰減器接到兩電纜之間，按“主菜單”，用“ ”鍵把光標(biāo)移到“對(duì)數(shù)”，按“執(zhí)行”即可出現(xiàn)插入損耗曲線，讀出數(shù)據(jù)，列表并畫(huà)圖。5． 實(shí)驗(yàn)報(bào)告a. 根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，～ 駐波曲線。b. 根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，～。實(shí)驗(yàn)報(bào)告提綱包括以下內(nèi)容：實(shí)驗(yàn)名稱實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)步驟（包括使用設(shè)備，實(shí)驗(yàn)框架圖，實(shí)驗(yàn)原理等）實(shí)驗(yàn)結(jié)果（實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，相關(guān)數(shù)據(jù)處理）討論（對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果和實(shí)驗(yàn)中碰到的一些問(wèn)題的解釋）結(jié)論（實(shí)驗(yàn)的收獲，或者某些建議等等）6．思考題a. 實(shí)驗(yàn)前為什么要進(jìn)行校準(zhǔn)？b. 經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)后在測(cè)試端口接上匹配和短路負(fù)載，史密斯圓圖上的光標(biāo)應(yīng)落在何處？c. 參考面移動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果是否有影響？7．安全說(shuō)明 在本實(shí)驗(yàn)室中所使用的微波源都在國(guó)際安全標(biāo)準(zhǔn)以內(nèi)10mW/cm2），不會(huì)對(duì)人體造成任何傷害。但是，在實(shí)驗(yàn)期間，請(qǐng)注意以下事項(xiàng):a. 不要用眼睛往任何連接其他設(shè)備的開(kāi)路傳輸線里面看。b. 不要把身體的任何部位放在傳輸線的開(kāi)口端。c. 在拆/裝微波元器件時(shí)，請(qǐng)關(guān)掉微波信號(hào)源?！半姶艌?chǎng)與電磁波”及“微波技術(shù)”課內(nèi)實(shí)驗(yàn)評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)南京理工大學(xué)通信工程系二00六年十二月 “電磁場(chǎng)與電磁波”和“微波技術(shù)”兩門(mén)課程的課內(nèi)實(shí)驗(yàn)，是課內(nèi)教學(xué)的一個(gè)必要補(bǔ)充。通過(guò)這些課內(nèi)實(shí)驗(yàn)，加深學(xué)生對(duì)很多抽象的物理概念和定理的理解和掌握。同時(shí)，借助形象的實(shí)驗(yàn)教學(xué)，學(xué)生可以了解和掌握一些常用微波元器件的工作原理，以及一些常用的微波儀器的使用方法，為以后的工程實(shí)際打下基礎(chǔ)。這兩門(mén)課程的課內(nèi)實(shí)驗(yàn)，一般四人一組協(xié)作完成，但要求每人遞交一份獨(dú)立的實(shí)驗(yàn)報(bào)告。根據(jù)學(xué)生的出勤情況，實(shí)驗(yàn)?zāi)芰?，?dú)立思考和解決問(wèn)題能力等方面給出實(shí)驗(yàn)成績(jī)，分為優(yōu)秀，良好，中等，及格和不及格。優(yōu)秀（910分）：無(wú)缺課，遲到，學(xué)習(xí)態(tài)度端正。實(shí)驗(yàn)操作熟練，獨(dú)立動(dòng)手能力強(qiáng)，對(duì)實(shí)驗(yàn)中出現(xiàn)的問(wèn)題有較強(qiáng)的解決能力，測(cè)試數(shù)據(jù)準(zhǔn)確，報(bào)告完整詳細(xì)，對(duì)問(wèn)題的分析詳盡，解釋準(zhǔn)確。良好（89分）：無(wú)缺課，遲到，學(xué)習(xí)態(tài)度端正。實(shí)驗(yàn)操作熟練，有較強(qiáng)的動(dòng)手能力，測(cè)試數(shù)據(jù)比較準(zhǔn)確，報(bào)告完整詳細(xì)，問(wèn)題討論分析比較詳細(xì)。中等（78分）：無(wú)缺課，遲到，學(xué)習(xí)態(tài)度端正。實(shí)驗(yàn)操作較熟練，有較強(qiáng)的動(dòng)手能力，測(cè)試數(shù)據(jù)較完整準(zhǔn)確，報(bào)告較詳細(xì)，問(wèn)題討論較詳細(xì)。及格（67分）：無(wú)缺課，遲到，學(xué)習(xí)態(tài)度端正。實(shí)驗(yàn)操作較熟練，有較強(qiáng)的動(dòng)手能力，測(cè)試數(shù)據(jù)基本準(zhǔn)確，報(bào)告較詳細(xì)，對(duì)問(wèn)題有基本的討論。不及格（6分以下）：有以下情況均為不及格: 缺席實(shí)驗(yàn)課，學(xué)習(xí)態(tài)度不端正；抄襲他人數(shù)據(jù)或者偽造實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)；論文報(bào)告不規(guī)范，錯(cuò)誤明顯；不遞交實(shí)驗(yàn)報(bào)
電大資料相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1