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正文內(nèi)容

電磁場與電磁波微波技術(shù)-資料下載頁

2025-07-14 01:24本頁面
  

【正文】 量來表示。因此,首先用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測量待測元器件的散射參量,然后得到反映元器件特性的外部特性參量。圖1所示為微波二端口網(wǎng)絡(luò)的示意圖。圖1 微波二端口網(wǎng)絡(luò)示意圖散射參量S的定義為: (1)散射參量矩陣[S]中各元素的意義分別為:S11:當(dāng)輸出端接匹配負載時,輸入端口的電壓反射系數(shù);S22:當(dāng)輸入端接匹配負載時,輸出端口的電壓反射系數(shù);S12:當(dāng)輸入端接匹配負載時,輸出端口到輸入端口的電壓傳輸系數(shù);S21:當(dāng)輸出端接匹配負載時,輸入端口到輸出端口的電壓傳輸系數(shù)。因此網(wǎng)絡(luò)輸入端電壓反射系數(shù)的模,故輸入駐波比為: (2)回波損耗(return loss)Lr:回波損耗用來描述反射系數(shù)的幅度,有時又稱為失配損耗。它與負載反射系數(shù)大小有關(guān),其絕對值越大,則表明負載匹配越好,反射越小。引入回波損耗以后,反射系數(shù)的大小就可用dB形式來表示。 (3)插入損耗 (Insertion loss)IL:插入損耗定義為網(wǎng)絡(luò)輸出端接匹配負載時,網(wǎng)絡(luò)輸入端入射波功率Pi與負載吸收功率PL之比,即: (4)用分貝表示,為: (5)4. 實驗步驟(1)測量負載的阻抗、回波損耗及駐波a) 開機(按照說明書要求),~。設(shè)定BF:1800MHz。 △F:20MHz。 EF:3200MHz。 N=71。b) 按圖2 所示把電橋連接好,并選擇測試B端口回損。輸出輸入A輸入B電橋圖2負載反射特性測試框圖c) 開路校準(zhǔn):把開路器接上,按 [執(zhí)行], 光標(biāo)在Smith圓圖上右端閃爍。短路校準(zhǔn):把短路器接上,按 [執(zhí)行], 光標(biāo)在Smith圓圖上左端閃爍。d) 測負載:接上待測負載,可用Smith圓圖看出變化趨勢。e) 測回波損耗按 [菜單] 選擇“對數(shù)”,再按 [執(zhí)行],即可出現(xiàn)回波損耗曲線,讀出數(shù)據(jù), 列表并畫圖。f) 測駐波按 [菜單],把光標(biāo)移到 [駐波],按 [執(zhí)行] 即可,有四檔可選讀數(shù)范圍,讀出數(shù)據(jù),列表并畫圖。(2)測量同軸可變衰減器的插入損耗a) 按圖3所示連接好。輸出輸入A輸入B10dB衰減器10dB衰減器待測器件圖3 待測器件連接框圖 b) 在主菜單上按“ ”鍵光標(biāo)移到《測:A、B》下,按[→]或[←]鍵使A為《插損》,B下為空白。c) 直通校準(zhǔn)按“↓”使光標(biāo)停在《校:直通》下,按“執(zhí)行”鍵,此時為直通狀態(tài),測試系統(tǒng)(如電纜,10dB的衰減器)的插入損耗即歸零,系統(tǒng)轉(zhuǎn)入測試狀態(tài)。d) 測同軸可變衰減器的插入損耗將待測試的同軸可變衰減器接到兩電纜之間,按“主菜單”,用“ ”鍵把光標(biāo)移到“對數(shù)”,按“執(zhí)行”即可出現(xiàn)插入損耗曲線,讀出數(shù)據(jù),列表并畫圖。5. 實驗報告a. 根據(jù)實驗數(shù)據(jù),~ 駐波曲線。b. 根據(jù)實驗數(shù)據(jù),~。實驗報告提綱包括以下內(nèi)容:實驗名稱實驗?zāi)康膶嶒灢襟E(包括使用設(shè)備,實驗框架圖,實驗原理等)實驗結(jié)果(實驗數(shù)據(jù),相關(guān)數(shù)據(jù)處理)討論(對實驗結(jié)果和實驗中碰到的一些問題的解釋)結(jié)論(實驗的收獲,或者某些建議等等)6.思考題a. 實驗前為什么要進行校準(zhǔn)?b. 經(jīng)過校準(zhǔn)后在測試端口接上匹配和短路負載,史密斯圓圖上的光標(biāo)應(yīng)落在何處?c. 參考面移動對測試結(jié)果是否有影響?7.安全說明 在本實驗室中所使用的微波源都在國際安全標(biāo)準(zhǔn)以內(nèi)10mW/cm2),不會對人體造成任何傷害。但是,在實驗期間,請注意以下事項:a. 不要用眼睛往任何連接其他設(shè)備的開路傳輸線里面看。b. 不要把身體的任何部位放在傳輸線的開口端。c. 在拆/裝微波元器件時,請關(guān)掉微波信號源?!半姶艌雠c電磁波”及“微波技術(shù)”課內(nèi)實驗評分標(biāo)準(zhǔn)南京理工大學(xué)通信工程系二00六年十二月 “電磁場與電磁波”和“微波技術(shù)”兩門課程的課內(nèi)實驗,是課內(nèi)教學(xué)的一個必要補充。通過這些課內(nèi)實驗,加深學(xué)生對很多抽象的物理概念和定理的理解和掌握。同時,借助形象的實驗教學(xué),學(xué)生可以了解和掌握一些常用微波元器件的工作原理,以及一些常用的微波儀器的使用方法,為以后的工程實際打下基礎(chǔ)。這兩門課程的課內(nèi)實驗,一般四人一組協(xié)作完成,但要求每人遞交一份獨立的實驗報告。根據(jù)學(xué)生的出勤情況,實驗?zāi)芰?,獨立思考和解決問題能力等方面給出實驗成績,分為優(yōu)秀,良好,中等,及格和不及格。優(yōu)秀(910分):無缺課,遲到,學(xué)習(xí)態(tài)度端正。實驗操作熟練,獨立動手能力強,對實驗中出現(xiàn)的問題有較強的解決能力,測試數(shù)據(jù)準(zhǔn)確,報告完整詳細,對問題的分析詳盡,解釋準(zhǔn)確。良好(89分):無缺課,遲到,學(xué)習(xí)態(tài)度端正。實驗操作熟練,有較強的動手能力,測試數(shù)據(jù)比較準(zhǔn)確,報告完整詳細,問題討論分析比較詳細。中等(78分):無缺課,遲到,學(xué)習(xí)態(tài)度端正。實驗操作較熟練,有較強的動手能力,測試數(shù)據(jù)較完整準(zhǔn)確,報告較詳細,問題討論較詳細。及格(67分):無缺課,遲到,學(xué)習(xí)態(tài)度端正。實驗操作較熟練,有較強的動手能力,測試數(shù)據(jù)基本準(zhǔn)確,報告較詳細,對問題有基本的討論。不及格(6分以下):有以下情況均為不及格: 缺席實驗課,學(xué)習(xí)態(tài)度不端正;抄襲他人數(shù)據(jù)或者偽造實驗數(shù)據(jù);論文報告不規(guī)范,錯誤明顯;不遞交實驗報
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