國內(nèi)外光通信調(diào)制器技術(shù)新進展-資料下載頁
2025-07-13 22:11本頁面
【正文】 制器技術(shù)也取得許多新進展。重慶航偉光電科技有限公司、浙江大學(xué)、南京大學(xué)以及上海交通大學(xué)等均都開發(fā)出達到國內(nèi)先進水平光調(diào)制器。LN光調(diào)制器我國的LN光調(diào)制器從器件設(shè)計、工藝制作到性能都取得了較大的進展。清華大學(xué)采用低損耗的T型復(fù)合行波電極結(jié)構(gòu)技術(shù)，制作出40GHz LN光調(diào)制器，其半波電壓＜5V，調(diào)制器在29～38GHz區(qū)域(8mm波段)內(nèi)相對調(diào)制指數(shù)變化＜。該大學(xué)還采用厚電極共面波導(dǎo)（CPW）行波電極技術(shù)研制出60GHz帶寬LN光調(diào)制器，使小尺寸電極實現(xiàn)了寬帶調(diào)制。北京世維通光通訊技術(shù)有限公司研制出具有自主知識產(chǎn)權(quán)的10Gb/s LN調(diào)制器，具有光插入損耗低、調(diào)制消光比高、零啁啾或可調(diào)啁啾、調(diào)制速度高、工作帶寬大、性能對波長敏感性小的特點，在低損耗鈦擴散波導(dǎo)制作、窄間距厚電極制作和襯底模抑制等方面都有所創(chuàng)新，可用于SDH、DWDM光通信系統(tǒng)等應(yīng)用領(lǐng)域。此外，該公司還建立了國內(nèi)首條可生產(chǎn)高速LN光調(diào)制器的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線。電光調(diào)制器我國電光調(diào)制器新進展及其典型性能參數(shù)與特點如表3所示。 其它調(diào)制器我國在其它光調(diào)制器方面的新進展有：華東師范大學(xué)采用一個可移動抗反射膜的Si機械式抗反射開關(guān)（MARS）器件結(jié)構(gòu)技術(shù)研制出具有插損低和入射與反射對比度高的微型FP機械式光調(diào)制器，可用于高數(shù)據(jù)傳輸速率、較寬頻譜和較低總封裝成本的光纖到家系統(tǒng)。該大學(xué)還采用表面微機械工藝技術(shù)，在摻磷的硅襯底上研制出具有FP結(jié)構(gòu)的新型微機械光調(diào)制器。中科院半導(dǎo)體所通過合理選擇SOI光波導(dǎo)的埋層和包層的厚度，設(shè)計和制作了綜合性能良好的多模干涉MZ SOI熱光調(diào)制器，其調(diào)制深度為91%，調(diào)制速度約為27μs。此外，浙江大學(xué)、北京郵電大學(xué)等研制的40GHz超高速Q(mào)W行波EA光調(diào)制器也取得較大進展。光調(diào)制器集成與模塊由于我國光子集成（PIC）和光電集成（OEIC）器件技術(shù)已取得較大突破，在DFBLD與EA型外調(diào)制器集成方面有顯著進展，+ EA調(diào)制器PIC組件和單片光集成器件技術(shù)。中科院半導(dǎo)體所和清華大學(xué)研制出高速DFB＋EA集成光源芯片及模塊，單片集成單脊條形EA調(diào)制DFB激光器的閾值為26mA，最大光功率可達9mW，消光比達16dB。該所又通過在激光器條形的側(cè)面淀積一個薄膜加熱器，研制出波長可熱調(diào)諧的單脊條形EA調(diào)制DFB激光器。成都電子科技大學(xué)采用X切LN基片濕腐蝕刻槽技術(shù)和大厚度電極制作技術(shù)，研制出X切LN脊形結(jié)構(gòu)的集成電光MZ波導(dǎo)調(diào)制器，大大提高了調(diào)制帶寬；東南大學(xué)也研制出基于行波電極EA調(diào)制的高速光脈沖發(fā)生模塊。總之，光調(diào)制器的發(fā)展趨勢是實現(xiàn)更高數(shù)據(jù)率和增加集成密度。隨著光傳輸系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)的復(fù)雜性繼續(xù)增長，光調(diào)制器技術(shù)將進一步得到發(fā)展和提高，并將在光通信中發(fā)揮重要的作用。7 /
規(guī)章制度相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1