【總結(jié)】....生產(chǎn)實習(xí)課程名稱模擬集成電路設(shè)計實習(xí)學(xué)生學(xué)院___材料與能源學(xué)院_專業(yè)班級____10微電子2班________學(xué)號3110007483學(xué)生姓名____何俊鑫_____
2025-06-30 05:59
【總結(jié)】1、與其它類型的晶體管相比,MOS器件的尺寸很容易按____比例____縮小,CMOS電路被證明具有_較低__的制造成本。2、放大應(yīng)用時,通常使MOS管工作在_飽和_區(qū),電流受柵源過驅(qū)動電壓控制,我們定義_跨導(dǎo)_來表示電壓轉(zhuǎn)換電流的能力。3、λ為溝長調(diào)制效應(yīng)系數(shù),對于較長的溝道,λ值____較小___(較大、較小)。4、源跟隨器主要應(yīng)用是起到___電壓緩沖器___的作用。5、
2025-03-25 03:48
【總結(jié)】任務(wù)職掌一覽表0000年10月22日單位??課副課長李??組員曾等9人任務(wù)負(fù)責(zé)管理課內(nèi)之銘板生產(chǎn)事宜,適時的調(diào)配生產(chǎn),以期達(dá)到交期,產(chǎn)品品質(zhì),合乎下工序及客戶之要求,且生產(chǎn)成本妥當(dāng)控制。職務(wù)內(nèi)容1、員工教育訓(xùn)練工作及技術(shù)輔導(dǎo)之排定及實施。2、安排填
2025-07-04 21:31
【總結(jié)】CMOS集成電路設(shè)計基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點。邏輯門的功能會因制造過程的差異而偏離設(shè)計的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-07-15 18:10
【總結(jié)】企業(yè)流程重組中技術(shù)一覽表階段任務(wù)技術(shù)階段1構(gòu)思設(shè)想得到管理者的承諾和愿景·快速全員參與變化法·研討會·愿景·說服技巧發(fā)現(xiàn)業(yè)務(wù)流程重組的機(jī)會·前提假設(shè)暴露法·核心流程分析·頭腦風(fēng)暴法·作用因子分析·企業(yè)系統(tǒng)規(guī)劃·競爭分析
2025-07-29 19:23
【總結(jié)】慎用藥品一覽表(藥劑科編)藥品名稱注意事項禁忌不良反應(yīng)注射用頭孢地秦鈉妊娠期和哺乳期婦女不宜使用對頭孢茵素類有過敏史者禁用過敏、惡心、嘔吐、腹瀉注射用克林霉素磷酸脂少于4歲的兒童和哺乳期婦女慎用少于1個月的新生兒禁用,對克林霉素或林可霉素有過敏史者禁用過敏、惡
2025-07-15 05:27
【總結(jié)】中國公司境外上市一覽表(截至到:2007年3月10日共747家中國企業(yè)在境外上市)出處:美國世界企業(yè)上市融資集團(tuán)有限公司北京代表處一、NYSE—紐約證交所(共25家中國企業(yè)) 1、中芯國際(交易代碼:SMI;地域:上海;行業(yè):電子) 2、兗州煤業(yè)(交易代碼:YZC;地域:山東;行業(yè):煤炭采選) 3、廣深鐵路(交易代碼:GSH;地域:廣東行業(yè)
2025-07-29 18:38
【總結(jié)】細(xì)菌室檢查項目一覽表編號類別檢查項目檢測方法參考范圍標(biāo)本要求容器保存價格結(jié)果回報1各種標(biāo)本細(xì)菌培養(yǎng)血液拮抗抗生素需氧培養(yǎng)Back/Alert普通培養(yǎng)未生長全血8-10ml需氧培養(yǎng)瓶(綠)附④血或體液培養(yǎng)儀器法60元,普通細(xì)菌培養(yǎng)15元,涂片染色10元,鑒定70/60元,藥敏60/40元。陰性標(biāo)本鑒定155/145元(門診
2025-06-30 23:43
【總結(jié)】CMOS集成電路設(shè)計基礎(chǔ)-MOS器件MOS器件多晶硅GSD氧化層LeffLdrawnN+N+P型襯底LDWNMOS管的簡化結(jié)構(gòu)制作在P型襯底上(P-Substrate,也稱bulk或body,為了區(qū)別于源極S,襯底以B來表示),兩個重?fù)诫sN區(qū)形成源區(qū)和漏區(qū),
2025-01-12 16:50
【總結(jié)】集成電路設(shè)計基礎(chǔ)莫冰華僑大學(xué)電子工程系廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝第四章集成電路器件工藝IC材料、工藝、器件和電路材料工藝器件
2025-01-07 01:54
【總結(jié)】2022/2/41第二章IC制造材料結(jié)構(gòu)與理論了解集成電路材料半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識PN結(jié)與結(jié)型二極管雙極型晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理2022/2/42表集成電路制造所應(yīng)用到的材料分類
【總結(jié)】大連理工大學(xué)電信學(xué)院1CMOS模擬集成電路設(shè)計巢明大連理工大學(xué)電信學(xué)院2課程背景?課程目的:?掌握構(gòu)成CMOS模擬集成電路的基本器件模型?理解運算放大器的性能指標(biāo)?能夠正確使用仿真工具進(jìn)行分析,仿真和設(shè)計?了解CMOS集成電路的設(shè)計流程?完成一個兩級運算放大器的設(shè)計和仿真
2025-01-18 02:36
【總結(jié)】集成電路設(shè)計基礎(chǔ)莫冰華僑大學(xué)電子工程系廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室第五章MOS場效應(yīng)管的特性MOS場效應(yīng)管MOS管的閾值電壓體效應(yīng)MOSFET的溫度特性MOSFET的噪聲MOSFET尺寸按比例縮小MOS器件的二階效應(yīng)MOS場效應(yīng)管
2025-01-07 01:55
【總結(jié)】Spectre/Virtuoso/Calibre工具使用介紹實驗地點:信息科學(xué)實驗中心研究生實驗訓(xùn)練基地馮立松汪瀚2023/3/241共88頁模擬集成電路的設(shè)計流程(spectre)(virtuoso)(DRCLVS)(calibre)(cal
2025-03-05 06:15
【總結(jié)】第六章集成電路設(shè)計的CAD系統(tǒng)ICCAD系統(tǒng)概述?ICCAD系統(tǒng)的發(fā)展?第一代:60年代末:版圖編輯和檢查?第二代:80年代初:原理圖輸入、邏輯模擬向下?第三代:從RTL級輸入向下,包括行為仿真、行為綜合、邏輯綜合等?流行的CAD系統(tǒng):Cadence,MentorGraphics,Vie
2025-08-01 15:31