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2025-06-30 01:44本頁面
【正文】 d 4A) :90V/47Hz = 115V/60Hz = 132V/60Hz = 180V/60Hz = 230V/60Hz = 264V/63Hz = Duty Cycle , fT: Vin(min) = 100V (90V / 47Hz full load) Stress (264V / 63Hz full load) :Q1 MOSFET:D5: D4: 輔助電源(開機，滿載)、短路Pin max.: Static (full load)Pin(w)Iin(A)Iout(A)Vout(V).Ripple(mV)Pout(w)eff90V/47Hz432115V/60Hz0..31428132V/60Hz429180V/60Hz430230V/60Hz429264V/60Hz42990V/47Hz = OK115V/60Hz = OK132V/60Hz = OK180V/60Hz = OK230V/60Hz = OK264V/63Hz = OK Full Range負載()(驗証是否有振盪現(xiàn)象) 回授失效(輸出輕載)90V/47Hz 234。 Vout = 264V/63Hz 234。 Vout = .(過電流保護)90V/47Hz = 264V/63Hz = Pin(max.)90V/47Hz = 264V/63Hz = Dynamic testH=4A，t1=25ms，slew Rate = (Rise)L=，t2=25ms，slew Rate = (Full)90V/47Hz264V/63Hz HIPOT test:HIPOT test一般可分為兩種等級:216。 輸入為3 Pin(有FG者)，HIPOT test為1500Vac/1 minute。YCAP使用Y2CAP216。 輸入為2 Pin(無FG者)，HIPOT test為3000Vac/1 minute。YCAP使用Y1CAPDA14B33屬於輸入3 PIN HIPOT test 為1500Vac/1 minute。 Grounding test:輸入為3 Pin(有FG者)，一般均要測接地阻(Grounding test)，安規(guī)規(guī)定FG到輸出線材(輸出端)的接地電阻不能超過100mΩ(25A/3 Second)。 溫昇記錄設計實驗定案後(暫定)，需針對整體溫昇及EMI做評估，若溫昇或EMI無法符合規(guī)格，則需重新實驗。溫昇記錄請參考附件，D5原來使用BYV118(10A/40V Schottky)，因溫昇較高改為PBYR1540CTX(15A/40V)。 EMI測試:EMI測試分為二類:216。 Conduction(傳導干擾)216。 Radiation(幅射干擾)前者視規(guī)範不同而有差異(FCC : 450K 30MHz，CISPR 22 :150K 30MHz)，前者可利用廠內(nèi)的頻譜分析儀驗証；後者(範圍由30M 300MHz，則因廠內(nèi)無設備必須到實驗室驗証，Conduction，Radiation測試資料請參考附件) 。 機構尺寸:設計階段即應對機構尺寸驗証，驗証的項目包括 : PCB尺寸、零件限高、零件禁置區(qū)、螺絲孔位置及孔徑、外殼孔寸….，若設計階段無法驗証，則必須在樣品階段驗証。 樣品驗証:樣品製作完成後，除溫昇記錄、EMI測試外(是否需重新驗証，視情況而定)，每一臺樣品都應經(jīng)過驗証(包括電氣及機構尺寸)，此階段的電氣驗証可以以ATE(Chroma)測試來完成，ATE測試必須與電氣規(guī)格相符。 QE驗証:QE針對工程部所提供的樣品做驗証，工程部應提供以下交件及樣品供QE驗証。
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