開關(guān)電源研發(fā)與設(shè)計(編輯修改稿)
2025-07-27 01:44 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 :1. 耐壓不同(在此處使用差異無所謂)2. VF不同(FR105=，BYT42M=) R10(輔助電源電阻):主要用於調(diào)整PWM IC的VCC電壓，以目前使用的3843而言，(Min. Load時)，但為考慮輸出短路的情況，VCC電壓不可設(shè)計的太高，以免當輸出短路時不保護(或輸入瓦數(shù)過大)。 C7(濾波電容):輔助電源的濾波電容，提供PWM IC較穩(wěn)定的直流電壓，一般使用100uf/25V電容。 Z1(Zener 二極體):當回授失效時的保護電路，回授失效時輸出電壓衝高，輔助電源電壓相對提高，此時若沒有保護電路，可能會造成零件損壞，若在3843 VCC與3843 Pin3腳之間加一個Zener Diode，當回授失效時Zener Diode會崩潰，使得Pin3腳提前到達1V，以此可限制輸出電壓，Z1的決定亦須考慮是否超過Q1的VGS耐壓值，原則上使用公司的現(xiàn)有料(一般使用1/2W即可). R2(啟動電阻):提供3843第一次啟動的路徑，第一次啟動時透過R2對C7充電，以提供3843 VCC所需的電壓，R2阻值較大時，turn on的時間較長，但短路時Pin瓦數(shù)較小，R2阻值較小時，turn on的時間較短，短路時Pin瓦數(shù)較大，一般使用220KΩ/2W 。. R4 (Line Compensation):高、低壓補償用，使3843 Pin3腳在90V/47Hz及264V/63Hz接近一致(一般使用750KΩ~ 1/4W之間)。 R3，C6，D1 (Snubber):此三個零件組成Snubber，調(diào)整Snubber的目的: off瞬間會有Spike產(chǎn)生，調(diào)整Snubber可以確保Spike不會超過Q1的耐壓值，D1使用1N4007(1A/1000V) ，C6的耐壓值以兩端實際壓差為準(一般使用耐壓500V的陶質(zhì)電容)。 Q1(NMOS):目前常使用的為3A/600V及6A/600V兩種，6A/600V的RDS(ON)較3A/600V小，所以溫昇會較低，若IDS電流未超過3A，應(yīng)該先以3A/600V為考量，並以溫昇記錄來驗證，因為6A/600V的價格高於3A/600V許多，Q1的使用亦需考慮VDS是否超過額定值。 R8:R8的作用在保護Q1，避免Q1呈現(xiàn)浮接狀態(tài)。 R7(Rs電阻):3843 Pin3腳電壓最高為1V，R7的大小須與R4配合，以達到高低壓平衡的目的，一般使用2W ，設(shè)計時先決定R7後再加上R4補償，一般將3843 ~(視瓦數(shù)而定，若瓦數(shù)較小則不能太接近1V，以免因零件誤差而頂?shù)?V)。 R5，C3(RC filter):濾除3843 Pin3腳的雜訊，R5一般使用1KΩ 1/8W，C3一般使用102P/50V的陶質(zhì)電容，C3若使用電容值較小者，重載可能不開機(因為3843 Pin3瞬間頂?shù)?V)。若使用電容值較大者，也許會有輕載不開機及短路Pin過大的問題。 R9(Q1 Gate電阻 ):R9電阻的大小，會影響到EMI及溫昇特性，一般而言阻值大，Q1 turn on / turn off的速度較慢，EMI特性較好，但Q1的溫昇較高、效率較低(主要是因為turn off速度較慢)。若阻值較小， Q1 turn on / turn off的速度較快，Q1溫昇較低、效率較高，但EMI較差，一般使用51Ω150Ω 1/8W。 R6，C4(控制振盪頻率):決定3843的工作頻率，可由Data Sheet得到R、C組成的工作頻率，C4一般為10nf的電容(誤差為5%)，R6使用精密電阻，以DA14B33為例，C4使用103P/50V PE電容， 1/8W精密電阻，振盪頻率約為45 KHz。 C5:功能類似RC filter，主要功用在於使高壓輕載較不易振盪，一般使用101P/50V陶質(zhì)電容。 U1(PWM IC):3843是PWM IC的一種，由Photo Coupler (U2)回授信號控制Duty Cycle的大小，Pin3腳具有限流的作用(最高電壓1V)，目前所用的3843中，有KA3843(SAMSUNG)及UC3843BN(.)兩種，兩者腳位相同，但產(chǎn)生的振盪頻率略有差異，UC3843BN較KA3843快了約2KHz，fT的增加會衍生出一些問題(例如:EMI問題、短路問題)，因KA3843較難買，所以新機種設(shè)計
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