銅絲引線鍵合技術的發(fā)展-資料下載頁
2025-06-29 18:25本頁面
【正文】 g，圖9）﹑接頭強度低（Weak Bond）和虛焊（NonStick）等。一般認為由于銅絲硬度高于金絲，這意味著銅絲鍵合時需要更高的超聲功率和更大的壓力，這樣比較容易對硅基板造成損害，從而導致基板裂紋和硅坑缺陷的產生，而如果超聲功率和壓力設置偏小，又會導致接頭強度低甚至導致虛焊。另外，由于同種金屬焊接無金相的差異， 銅絲可以直接鍵合在封裝外殼的銅基上，因此封裝外殼的銅基上不必像金絲鍵合那樣鍍銀，這樣導致銅基表面氧化，即使采用保護氣體也不能完全防止，所以第二焊點往往強度較低，甚至虛焊。圖9 硅坑缺陷為了防止缺陷的產生，人們采取了各種措施。Mori向純的6N Cu中加入一種不影響銅絲硬度的成分，制成一種新的銅絲。試驗表明這種新銅絲能夠解決一些問題，如硅基板的損壞問題，但并未說明所加入是何種成分。Kaimori等在銅絲表面鍍Pd來防止銅絲氧化，并且獲得質量較好的第二焊點。Toyozawa等提出了一種壓力兩級加載技術（圖10），試驗表明運用此技術在一定條件下能夠解決基板裂紋和硅坑問題。目前工業(yè)應用中，主要運用這種加載技術。但是基板缺陷仍然存在，人們尚未能夠解決，這些缺陷嚴重影響了銅絲鍵合的大規(guī)模應用。圖10 壓力加載結論與展望銅絲由于成本低﹑導電導熱性好﹑接頭強度高等優(yōu)點在集成電路封裝工業(yè)中得到越來越多的應用，銅絲引線鍵合技術的研究發(fā)展迅速。在防止銅絲氧化，工藝優(yōu)化以及接頭性能的評估等方面取得很多成果。但同時也暴露出鍵合機理不明﹑ 缺乏詳盡的顯微組織分析和力學性能測試﹑工藝參數(shù)窗口不完善等問題，尤其是基板裂紋和硅坑等重大缺陷尚未解決，嚴重地影響了銅絲鍵合的大規(guī)模應用。隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展和對銅絲引線鍵合技術的不斷關注和投入，影響銅絲鍵合的缺陷定能得到很好的解決，銅絲引線鍵合技術必將日臻完善，銅絲在集成電路封裝中的大規(guī)模應用的時代必將來臨。9 /
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