基于mosfet的單相半橋無(wú)源逆變電路的的設(shè)計(jì)論文-資料下載頁(yè)
2025-06-27 17:56本頁(yè)面
【正文】 為最小值)考慮到2倍裕量,.在本次設(shè)計(jì)中我選用4個(gè)KP204的晶閘管.Ⅲ、 若散熱條件不符合規(guī)定要求時(shí)，則元件的額定電流應(yīng)降低使用。③ 通態(tài)平均管壓降 UT(AV) 。指在規(guī)定的工作溫度條件下，使晶閘管導(dǎo)通的正弦波半個(gè)周期內(nèi)陽(yáng)極與陰極電壓的平均值，～。④ 維持電流IH 。指在常溫門(mén)極開(kāi)路時(shí)，晶閘管從較大的通態(tài)電流降到剛好能保持通態(tài)所需要的最小通態(tài)電流。一般IH值從幾十到幾百毫安，由晶閘管電流容量大小而定。⑤ 門(mén)極觸發(fā)電流Ig 。在常溫下，陽(yáng)極電壓為6V時(shí)，使晶閘管能完全導(dǎo)通所需的門(mén)極電流，一般為毫安級(jí)。⑥ 斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt。在額定結(jié)溫和門(mén)極開(kāi)路的情況下，不會(huì)導(dǎo)致晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的最大正向電壓上升率。一般為每微秒幾十伏。⑦ 通態(tài)電流臨界上升率di/dt。在規(guī)定條件下，晶閘管能承受的最大通態(tài)電流上升率。若晶閘管導(dǎo)通時(shí)電流上升太快，則會(huì)在晶閘管剛開(kāi)通時(shí)，有很大的電流集中在門(mén)極附近的小區(qū)域內(nèi)，從而造成局部過(guò)熱而損壞晶閘管。2)變壓器的選取根據(jù)參數(shù)計(jì)算可知:變壓器應(yīng)選變比為2,A。性能指標(biāo)分析整流電路的性能常用兩個(gè)技術(shù)指標(biāo)來(lái)衡量：一個(gè)是反映轉(zhuǎn)換關(guān)系的用整流輸出電壓的平均值表示；另一個(gè)是反映輸出直流電壓平滑程度的，稱(chēng)為紋波系數(shù)。1)整流輸出電壓平均值=== （214）2)紋波系數(shù)紋波系數(shù)用來(lái)表示直流輸出電壓中相對(duì)紋波電壓的大小，即 （215）（7） 電路仿真1 SIMULINK仿真軟件介紹Simulink是MATLAB最重要的組件之一，它提供一個(gè)動(dòng)態(tài)系統(tǒng)建模、仿真和綜合分析的集成環(huán)境。在該環(huán)境中，無(wú)需大量書(shū)寫(xiě)程序，而只需要通過(guò)簡(jiǎn)單直觀的鼠標(biāo)操作，就可構(gòu)造出復(fù)雜的系統(tǒng)。Simulink具有適應(yīng)面廣、結(jié)構(gòu)和流程清晰及仿真精細(xì)、貼近實(shí)際、效率高、靈活等優(yōu)點(diǎn)，并基于以上優(yōu)點(diǎn)Simulink已被廣泛應(yīng)用于控制理論和數(shù)字信號(hào)處理的復(fù)雜仿真和設(shè)計(jì)。同時(shí)有大量的第三方軟件和硬件可應(yīng)用于或被要求應(yīng)用Simulink。模型圖： 仿真電路打開(kāi)新建模型窗口，將所需元件模塊從模塊庫(kù)中拖入新建模型窗口并改名，設(shè)定有關(guān)參數(shù)后將各模塊庫(kù)連接組成仿真模型，如下圖42所示，設(shè)置好各模塊參數(shù)，點(diǎn)擊下拉菜單仿真（Simulation）按鈕，仿真參數(shù)(Simulation Parameters)命令設(shè)定有關(guān)仿真參數(shù)，設(shè)定停止時(shí)間(Stop Time)，仿真算法選擇可變步長(zhǎng)(Variablestep)積分算法函數(shù)其，他參數(shù)用默認(rèn)值。然后點(diǎn)擊啟動(dòng)仿真按鈕，則開(kāi)始仿真，雙擊顯示模塊（scope）就能顯示其信號(hào)波形。 仿真波形圖課程設(shè)計(jì)總結(jié) 通過(guò)單相半橋無(wú)源逆變電路設(shè)計(jì)，使我加深了對(duì)整流，逆變電路的理解，讓我對(duì)電力電子該課程產(chǎn)生了濃烈的興趣。 整流電路的設(shè)計(jì)方法多種多樣，且根據(jù)負(fù)載的不同，又可以設(shè)計(jì)出很多不同的電路。其中單相半橋無(wú)源逆變電路設(shè)計(jì)其負(fù)載我們用的多的主要是電阻型、帶大電感型，它們各自有自己的優(yōu)點(diǎn)。 對(duì)于一個(gè)電路的設(shè)計(jì)，首先應(yīng)該對(duì)它的理論知識(shí)很了解，這樣才能設(shè)計(jì)出性能好的電路。整流電路中，開(kāi)關(guān)器件的選擇和觸發(fā)電路的選擇是最關(guān)鍵的，開(kāi)關(guān)器件和觸發(fā)電路選擇的好，對(duì)整流電路的性能指標(biāo)影響很大。 要想完成一個(gè)電力電子課程設(shè)計(jì)，要想自己做是不可能的，要有團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)，同時(shí)，你也要對(duì)各種工程軟件進(jìn)行學(xué)習(xí)，不然無(wú)法進(jìn)行電路的仿真。 在這次課程設(shè)計(jì)過(guò)程中，碰到的難題就是保護(hù)電路和觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)。因?yàn)楸Ｗo(hù)電路和觸發(fā)電路的種類(lèi)較多，因此要選擇一個(gè)適合本課題的電路就比較難。后來(lái)經(jīng)老師，還有同學(xué)的幫助，選擇了一個(gè)較好的保護(hù)電路。 感謝在這次課程設(shè)計(jì)過(guò)程中幫助我的老師和同學(xué)。參考文獻(xiàn)： ［1］浣喜明、姚為正 《電力電子技術(shù)》 高等教育出版社 2004［2］黃俊 《半導(dǎo)體變流技術(shù)》 機(jī)械工業(yè)出版社 1980［3］莫正康 《半導(dǎo)體變流技術(shù)》 機(jī)械工業(yè)出版社 1999［4］林輝、王輝主編 《電力電子技術(shù)》 武漢理工大學(xué)出版社 2002［5］元器件清單如下所示：元器件備注數(shù)量整流變壓器，A1個(gè)晶閘管KP2044個(gè)電阻1個(gè)電容若干個(gè)Mosfet管2個(gè)二極管若干個(gè)脈沖發(fā)生器2個(gè)芯片SG35251塊熔斷器6個(gè)26
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