【正文】 電流環(huán)保器、數(shù)據(jù)線保護(hù)器、同軸電纜保護(hù)器、電話機(jī)保護(hù)器等。若按封裝及內(nèi)部結(jié)構(gòu)可分為：軸向引線二極管、雙列直插 TVS 陣列（適用多線保護(hù)）、貼片式、組件式和大功率模塊式等。 TVS的選用技巧確定被保護(hù)電路的最大直流或連續(xù)工作電壓、電路的額定標(biāo)準(zhǔn)電壓和“高端”容限。TVS 額定反向關(guān)斷 VWM 應(yīng)大于或等于被保護(hù)電路的最大工作電壓。若選用的 VWM太低，器件可能進(jìn)入雪崩或因反向漏電流太大影響電路的正常工作。串行連接分電壓，并行連接分電流。TVS 的最大箝位電壓 VC 應(yīng)小于被保護(hù)電路的損壞電壓。在規(guī)定的脈沖持續(xù)時(shí)間內(nèi)，TVS 的最大峰值脈沖功耗 PM 必須大于被保護(hù)電路內(nèi)可能出現(xiàn)的峰值脈沖功率。在確定了最大箝位電壓后，其峰值脈沖電流應(yīng)大于瞬態(tài)浪涌電流。對(duì)于數(shù)據(jù)接口電路的保護(hù)，還必須注意選取具有合適電容 C 的 TVS 器件。根據(jù)用途選用 TVS 的極性及封裝結(jié)構(gòu)。交流電路選用雙極性 TVS 較為合理；多線保護(hù)選用 TVS 陣列更為有利。溫度考慮。瞬態(tài)電壓抑制器可以在－55~+150℃之間工作。如果需要 TVS 在一個(gè)變化的溫度工作，由于其反向漏電流 ID 是隨增加而增大；功耗隨 TVS 結(jié)溫增加而下降，從+25℃到+175℃，大約線性下降 50％雨擊穿電壓 VBR 隨溫度的增加按一定的系數(shù)增加。因此，必須查閱有關(guān)產(chǎn)品資料，考慮溫度變化對(duì)其特性的影響。美國(guó) ProTek 公司提供的 TVS 二極管，有下列不同的功率選擇：500W：SA 系列600W：P6KE、SMBJ 系列1500W：1N5629~1N638LC、LCE 系列5000W：5KP 系列15000W：15KAP、15KP 系列 TVS與壓敏電阻的比較目前，國(guó)內(nèi)不少需進(jìn)行浪涌保護(hù)的設(shè)備上使用的是壓敏電阻。壓敏電阻是一種金屬化物變阻器。壓敏電阻具有響應(yīng)速度更快、無(wú)極性、成本低等優(yōu)點(diǎn)。 二極管的選用常識(shí)(1)正向特性在二極管兩端的正向電壓（P 為正、N 為負(fù)）很小時(shí)（鍺管小于 伏，硅管小于 伏），管子不導(dǎo)通處于“死區(qū)”狀態(tài)，當(dāng)正向電壓起過(guò)一定數(shù)值后，管子才導(dǎo)通，電壓再稍微增大，電流急劇暗加（見(jiàn)曲線 I 段）。不同材料的二極管，起始電壓不同，硅管為 伏左右，鍺管為 左右。(2)反向特性二極管兩端加上反向電壓時(shí)，反向電流很小，當(dāng)反向電壓逐漸增加時(shí)，反向電流基本保持不變，這時(shí)的電流稱(chēng)為反向飽和電流。不同材料的二極管，反向電流大小不同，硅管約為 1 微安到幾十微安，鍺管則可高達(dá)數(shù)百微安，另外，反向電流受溫度變化的影響很大，鍺管的穩(wěn)定性比硅管差。(3)擊穿特性當(dāng)反向電壓增加到某一數(shù)值時(shí)，反向電流急劇增大，這種現(xiàn)象稱(chēng)為反向擊穿。這時(shí)的反向電壓稱(chēng)為反向擊穿電壓，不同結(jié)構(gòu)、工藝和材料制成的管子，其反向擊穿電壓值差異很大，可由 1 伏到幾百伏，甚至高達(dá)數(shù)千伏。(4)頻率特性由于結(jié)電容的存在，當(dāng)頻率高到某一程度時(shí)，容抗小到使 PN 結(jié)短路。導(dǎo)致二極管失去單向?qū)щ娦?，不能工作，PN 結(jié)面積越大，結(jié)電容也越大，越不能在高頻情況下工作。 二極管的檢測(cè)方法 普通二極管的檢測(cè)二極管的極性通常在管殼上注有標(biāo)記，如無(wú)標(biāo)記，可用萬(wàn)用表電阻檔測(cè)量其正反向電阻來(lái)判斷（一般用 R100 或1K 檔）。 正向電阻 硅管：表針指示位置在中間或中間偏右一點(diǎn)；鍺管：表針指示在右端靠近滿(mǎn)刻度的地方,如果表針在左端不動(dòng)，則管子內(nèi)部已經(jīng)斷路。反向電阻 硅管：表針在左端基本不動(dòng)，極靠近0位置但不應(yīng)超過(guò)滿(mǎn)刻度的 1/4，則表明反向特性是好的，如果表針指在0位，則管子內(nèi)部已短路。 普通發(fā)光二極管的檢測(cè)(1)用萬(wàn)用表檢測(cè)。利用具有10kΩ 擋的指針式萬(wàn)用表可以大致判斷發(fā)光二極管的好壞。正常時(shí)，二極管正向電阻阻值為幾十至 200kΩ,反向電阻的值為∝。如果正向電阻值為 0 或?yàn)椤蓿聪螂娮柚岛苄』驗(yàn)?0，則易損壞。這種檢測(cè)方法，不能實(shí)地看到發(fā)光管的發(fā)光情況，因?yàn)?0kΩ 擋不能向 LED 提供較大正向電流。如果有兩塊指針萬(wàn)用表（最好同型號(hào)）可以較好地檢查發(fā)光二極管的發(fā)光情況。用一根導(dǎo)線將其中一塊萬(wàn)用表的“+”接線柱與另一塊表的“”接線柱連接。余下的“”筆接被測(cè)發(fā)光管的正極（P 區(qū)），余下的“+”筆接被測(cè)發(fā)光管的負(fù)極（N 區(qū)）。兩塊萬(wàn)用表均置10Ω 擋。正常情況下，接通后就能正常發(fā)光。若亮度很低，甚至不發(fā)光，可將兩塊萬(wàn)用表均撥至1Ω 若，若仍很暗，甚至不發(fā)光，則說(shuō)明該發(fā)光二極管性能不良或損壞。應(yīng)注意，不能一開(kāi)始測(cè)量就將兩塊萬(wàn)用表置于1Ω，以免電流過(guò)大，損壞發(fā)光二極管。(2)外接電源測(cè)量。用 3V穩(wěn)壓源或兩節(jié)串聯(lián)的干電池及萬(wàn)用表（指針式或數(shù)字式皆可）可以較準(zhǔn)確測(cè)量發(fā)光二極管的光、電特性。為此可按圖 10 所示連接電路即可。如果測(cè)得VF在 ～3V之間，且發(fā)光亮度正常，可以說(shuō)明發(fā)光正常。如果測(cè)得VF=0 或VF≈3V，且不發(fā)光，說(shuō)明發(fā)光管已壞。 紅外發(fā)光二極管的檢測(cè)由于紅外發(fā)光二極管，它發(fā)射1～3μm的紅外光，人眼看不到。通常單只紅外發(fā)光二極管發(fā)射功率只有數(shù)mW，不同型號(hào)的紅外 LED 發(fā)光強(qiáng)度角分布也不相同。紅外 ～。正是由于其發(fā)射的紅外光人眼看不見(jiàn)，所以利用上述可見(jiàn)光 LED 的檢測(cè)法只能判定其 PN 結(jié)正、反向電學(xué)特性是否正常，而無(wú)法判定其發(fā)光情況正常否。為此，最好準(zhǔn)備一只光敏器件（如 2CR、2DR 型硅光電池）作接收器。用萬(wàn)用表測(cè)光電池兩端電壓的變化情況。來(lái)判斷紅外 LED 加上適當(dāng)正向電流后是否發(fā)射紅外光。第四章 三極管基礎(chǔ)知識(shí)及檢測(cè)方法 晶體管基礎(chǔ)雙極結(jié)型三極管相當(dāng)于兩個(gè)背靠背的二極管 PN 結(jié)。正向偏置的 EB 結(jié)有空穴從發(fā)射極注入基區(qū)，其中大部分空穴能夠到達(dá)集電結(jié)的邊界，并在反向偏置的 CB 結(jié)勢(shì)壘電場(chǎng)的作用下到達(dá)集電區(qū)，形成集電極電流 IC 。在共發(fā)射極晶體管電路中，發(fā)射結(jié)在基極電路中正向偏置，其電壓降很小。絕大部分的集電極和發(fā)射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結(jié)上。由于 VBE 很小，所以基極電流約為 IB= 5V/50 k Ω = 。如果晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)β= IC / IB =100, 集電極電流 IC= β*IB=10mA。在 500Ω的集電極負(fù)載電阻上有電壓降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶體管集電極和發(fā)射極之間的壓降為VCE=5V，如果在基極偏置電路中疊加一個(gè)交變的小電流ib，在集電極電路中將出現(xiàn)一個(gè)相應(yīng)的交變電流ic，有c/ib=β，實(shí)現(xiàn)了雙極晶體管的電流放大作用。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)三極管的基本工作原理是靠半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)，在半導(dǎo)體中感生出導(dǎo)電溝道來(lái)進(jìn)行工作的。當(dāng)柵 G 電壓 VG 增大時(shí)， p 型半導(dǎo)體表面的多數(shù)載流子棗空穴逐漸減少、耗盡，而電子逐漸積累到反型。當(dāng)表面達(dá)到反型時(shí)，電子積累層將在 n+ 源區(qū) S 和 n+漏區(qū) D 之間形成導(dǎo)電溝道。當(dāng) VDS ≠ 0 時(shí)，源漏電極之間有較大的電流 IDS 流過(guò)。使半導(dǎo)體表面達(dá)到強(qiáng)反型時(shí)所需加的柵源電壓稱(chēng)為閾值電壓 VT 。當(dāng) VGSVT 并取不同數(shù)值時(shí)，反型層的導(dǎo)電能力將改變，在相同的 VDS 下也將產(chǎn)生不同的 IDS , 實(shí)現(xiàn)柵源電壓 VGS 對(duì)源漏電流 IDS 的控制。 晶體管的命名方法晶體管：最常用的有三極管和二極管兩種。三極管以符號(hào)BG（舊）或（T）表示，二極管以D表示。按制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。按極性分，三極管有 PNP 和 NPN 兩種，而二極管有 P 型和 N 型之分。多數(shù)國(guó)產(chǎn)管用 xxx 表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2代表二極管。第二位代表材料和極性。A 代表 PNP 型鍺材料；B 代表 NPN 型鍺材料；C 為 PNP型硅材料；D 為 NPN 型硅材料。第三位表示用途，其中 X 代表低頻小功率管；D 代表低頻大功率管；G 代表高頻小功率管；A 代表高頻大功率管。最后面的數(shù)字是產(chǎn)品的序號(hào)，序號(hào)不同，各種指標(biāo)略有差異。注意，二極管同三極管第二位意義基本相同，而第三位則含義不同。對(duì)于二極管來(lái)說(shuō)，第三位的 P 代表檢波管；W 代表穩(wěn)壓管；Z 代表整流管。上面舉的例子，具體來(lái)說(shuō)就是 PNP 型鍺材料低頻小功率管。對(duì)于進(jìn)口的三極管來(lái)說(shuō)，就各有不同，要在實(shí)際使用過(guò)程中注意積累資料。常用的進(jìn)口管有韓國(guó)的 90xx、80xx 系列，歐洲的 2Sx 系列，在該系列中，第三位含義同國(guó)產(chǎn)管的第三位基本相同。 用萬(wàn)用表測(cè)試三級(jí)管(1)判別基極和管子的類(lèi)型選用歐姆檔的 R*100（或 R*1K）檔，先用紅表筆接一個(gè)管腳，黑表筆接另一個(gè)管腳，可測(cè)出兩個(gè)電阻值，然后再用紅表筆接另一個(gè)管腳，重復(fù)上述步驟，又測(cè)得一組電阻值，這樣測(cè) 3 次，其中有一組兩個(gè)阻值都很小的，對(duì)應(yīng)測(cè)得這組值的紅表筆接的為基極，且管子是 PNP 型的；反之，若用黑表筆接一個(gè)管腳，重復(fù)上述做法，若測(cè)得兩個(gè)阻值都小，對(duì)應(yīng)黑表筆為基極，且管子是 NPN 型的。(2)判別集電極因?yàn)槿龢O管發(fā)射極和集電極正確連接時(shí) β 大（表針擺動(dòng)幅度大），反接時(shí) β 就小得多。因此，先假設(shè)一個(gè)集電極，用歐姆檔連接，（對(duì) NPN 型管，發(fā)射極接黑表筆，集電極接紅表筆）。測(cè)量時(shí)，用手捏住基極和假設(shè)的集電極，兩極不能接觸，若指針擺動(dòng)幅度大，而把兩極對(duì)調(diào)后指針擺動(dòng)小，則說(shuō)明假設(shè)是正確的，從而確定集電極和發(fā)射極。(3)電流放大系數(shù) β 的估算選用歐姆檔的 R*100（或 R*1K）檔，對(duì) NPN 型管，紅表筆接發(fā)射極，黑表筆接集電極，測(cè)量時(shí)，只要比較用手捏住基極和集電極（兩極不能接觸），和把手放開(kāi)兩種情況小指針擺動(dòng)的大小，擺動(dòng)越大，β 值越高。40 / 40