【正文】 (3)電流放大系數(shù) β 的估算選用歐姆檔的 R*100（或 R*1K）檔，對(duì) NPN 型管，紅表筆接發(fā)射極，黑表筆接集電極，測(cè)量時(shí)，只要比較用手捏住基極和集電極（兩極不能接觸），和把手放開兩種情況小指針擺動(dòng)的大小，擺動(dòng)越大，β 值越高。因此，先假設(shè)一個(gè)集電極，用歐姆檔連接，（對(duì) NPN 型管，發(fā)射極接黑表筆，集電極接紅表筆）。 用萬(wàn)用表測(cè)試三級(jí)管(1)判別基極和管子的類型選用歐姆檔的 R*100（或 R*1K）檔，先用紅表筆接一個(gè)管腳，黑表筆接另一個(gè)管腳，可測(cè)出兩個(gè)電阻值，然后再用紅表筆接另一個(gè)管腳，重復(fù)上述步驟，又測(cè)得一組電阻值，這樣測(cè) 3 次，其中有一組兩個(gè)阻值都很小的，對(duì)應(yīng)測(cè)得這組值的紅表筆接的為基極，且管子是 PNP 型的；反之，若用黑表筆接一個(gè)管腳，重復(fù)上述做法，若測(cè)得兩個(gè)阻值都小，對(duì)應(yīng)黑表筆為基極，且管子是 NPN 型的。對(duì)于進(jìn)口的三極管來(lái)說(shuō)，就各有不同，要在實(shí)際使用過(guò)程中注意積累資料。對(duì)于二極管來(lái)說(shuō)，第三位的 P 代表檢波管；W 代表穩(wěn)壓管；Z 代表整流管。最后面的數(shù)字是產(chǎn)品的序號(hào)，序號(hào)不同，各種指標(biāo)略有差異。A 代表 PNP 型鍺材料；B 代表 NPN 型鍺材料；C 為 PNP型硅材料；D 為 NPN 型硅材料。多數(shù)國(guó)產(chǎn)管用 xxx 表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2代表二極管。按制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。 晶體管的命名方法晶體管：最常用的有三極管和二極管兩種。使半導(dǎo)體表面達(dá)到強(qiáng)反型時(shí)所需加的柵源電壓稱為閾值電壓 VT 。當(dāng)表面達(dá)到反型時(shí)，電子積累層將在 n+ 源區(qū) S 和 n+漏區(qū) D 之間形成導(dǎo)電溝道。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)三極管的基本工作原理是靠半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)，在半導(dǎo)體中感生出導(dǎo)電溝道來(lái)進(jìn)行工作的。如果晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)β= IC / IB =100, 集電極電流 IC= β*IB=10mA。絕大部分的集電極和發(fā)射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結(jié)上。正向偏置的 EB 結(jié)有空穴從發(fā)射極注入基區(qū)，其中大部分空穴能夠到達(dá)集電結(jié)的邊界，并在反向偏置的 CB 結(jié)勢(shì)壘電場(chǎng)的作用下到達(dá)集電區(qū)，形成集電極電流 IC 。來(lái)判斷紅外 LED 加上適當(dāng)正向電流后是否發(fā)射紅外光。為此，最好準(zhǔn)備一只光敏器件（如 2CR、2DR 型硅光電池）作接收器。紅外 ～。 紅外發(fā)光二極管的檢測(cè)由于紅外發(fā)光二極管，它發(fā)射1～3μm的紅外光，人眼看不到。如果測(cè)得VF在 ～3V之間，且發(fā)光亮度正常，可以說(shuō)明發(fā)光正常。用 3V穩(wěn)壓源或兩節(jié)串聯(lián)的干電池及萬(wàn)用表（指針式或數(shù)字式皆可）可以較準(zhǔn)確測(cè)量發(fā)光二極管的光、電特性。應(yīng)注意，不能一開始測(cè)量就將兩塊萬(wàn)用表置于1Ω，以免電流過(guò)大，損壞發(fā)光二極管。正常情況下，接通后就能正常發(fā)光。余下的“”筆接被測(cè)發(fā)光管的正極（P 區(qū)），余下的“+”筆接被測(cè)發(fā)光管的負(fù)極（N 區(qū)）。如果有兩塊指針萬(wàn)用表（最好同型號(hào)）可以較好地檢查發(fā)光二極管的發(fā)光情況。如果正向電阻值為 0 或?yàn)椤?，反向電阻值很小或?yàn)?0，則易損壞。利用具有10kΩ 擋的指針式萬(wàn)用表可以大致判斷發(fā)光二極管的好壞。反向電阻 硅管：表針在左端基本不動(dòng)，極靠近0位置但不應(yīng)超過(guò)滿刻度的 1/4，則表明反向特性是好的，如果表針指在0位，則管子內(nèi)部已短路。 二極管的檢測(cè)方法 普通二極管的檢測(cè)二極管的極性通常在管殼上注有標(biāo)記，如無(wú)標(biāo)記，可用萬(wàn)用表電阻檔測(cè)量其正反向電阻來(lái)判斷（一般用 R100 或1K 檔）。(4)頻率特性由于結(jié)電容的存在，當(dāng)頻率高到某一程度時(shí)，容抗小到使 PN 結(jié)短路。(3)擊穿特性當(dāng)反向電壓增加到某一數(shù)值時(shí)，反向電流急劇增大，這種現(xiàn)象稱為反向擊穿。(2)反向特性二極管兩端加上反向電壓時(shí)，反向電流很小，當(dāng)反向電壓逐漸增加時(shí)，反向電流基本保持不變，這時(shí)的電流稱為反向飽和電流。 二極管的選用常識(shí)(1)正向特性在二極管兩端的正向電壓（P 為正、N 為負(fù)）很小時(shí)（鍺管小于 伏，硅管小于 伏），管子不導(dǎo)通處于“死區(qū)”狀態(tài)，當(dāng)正向電壓起過(guò)一定數(shù)值后，管子才導(dǎo)通，電壓再稍微增大，電流急劇暗加（見曲線 I 段）。壓敏電阻是一種金屬化物變阻器。因此，必須查閱有關(guān)產(chǎn)品資料，考慮溫度變化對(duì)其特性的影響。瞬態(tài)電壓抑制器可以在－55~+150℃之間工作。交流電路選用雙極性 TVS 較為合理；多線保護(hù)選用 TVS 陣列更為有利。對(duì)于數(shù)據(jù)接口電路的保護(hù)，還必須注意選取具有合適電容 C 的 TVS 器件。在規(guī)定的脈沖持續(xù)時(shí)間內(nèi)，TVS 的最大峰值脈沖功耗 PM 必須大于被保護(hù)電路內(nèi)可能出現(xiàn)的峰值脈沖功率。串行連接分電壓，并行連接分電流。TVS 額定反向關(guān)斷 VWM 應(yīng)大于或等于被保護(hù)電路的最大工作電壓。若按封裝及內(nèi)部結(jié)構(gòu)可分為：軸向引線二極管、雙列直插 TVS 陣列（適用多線保護(hù)）、貼片式、組件式和大功率模塊式等。 TVS二極管的分類TVS 器件可以按極性分為單極性和雙極性兩種，按用途可分為各種電路都適用的通用型器件和特殊電路適用的專用型器件。⑥箝位時(shí)間 TCTC 是從零到最小擊穿電壓 VBR 的時(shí)間。另外，峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續(xù)時(shí)間和環(huán)境溫度有關(guān)。其規(guī)定的試驗(yàn)脈沖波形和各種 TVS 的PM 值，請(qǐng)查閱有關(guān)產(chǎn)品手冊(cè)。因此，C 是數(shù)據(jù)接口電路選用 TVS 的重要參數(shù)。VC 與 VBR 之比稱為箝位因子，一般在 ~ 之間④電容量 C電容量 C 是 TVS 雪崩結(jié)截面決定的、在特定的 1MHZ 頻率下測(cè)得的。它是串聯(lián)電阻上和因溫度系數(shù)兩者電壓上升的組合。10% VBR 來(lái)說(shuō)，VWM= VBR。對(duì)于177。5%VBR 和平共處177。當(dāng) TVS 流過(guò)規(guī)定的 1mA 電流（IR）時(shí)，加入 TVS 兩極間的電壓為其最小擊穿電壓 VBR。②最小擊穿電壓 VBR 和擊穿電流 IRVBR 是 TVS 最小的雪崩電壓。 TVS的特性參數(shù)①最大反向漏電流 ID 和額定反向關(guān)斷電壓 VWM。爾后，隨著脈沖電流按指數(shù)衰減，TVS 兩極的電壓也不斷下降，最后恢復(fù)到起始狀態(tài)。隨著峰值脈沖電流的出現(xiàn)，流過(guò) TVS 的電流達(dá)到峰值脈沖電流 IPP。它的正向特性與普通二極管相同；反向特性為典型的 PN 結(jié)雪崩器件。將 TVS 二極管放置在信號(hào)線及接地間，能避免數(shù)據(jù)及控制總線受到不必要的噪音影響。靜電放電效應(yīng)能釋放超過(guò) 10000V、60A 以上的脈沖，并能持續(xù) 10ms；而一般的TTL 器件，遇到超過(guò) 30ms 的 10V 脈沖時(shí)，便會(huì)導(dǎo)至損壞。由于它具有響應(yīng)時(shí)間快、瞬態(tài)功率大、漏電流低、擊穿電壓偏差小、箝位電壓較易控制、無(wú)損壞極限、體積小等優(yōu)點(diǎn)，目前已廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、通訊設(shè)備、電源、家用電器等各個(gè)領(lǐng)域。瞬態(tài)電壓抑制器（Transient Voltage Suppressor）簡(jiǎn)稱 TVS，是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件，有的文獻(xiàn)上也為 TVP、AJTVS、SAJTVS 等。改進(jìn)后的 TVS 二極管還具有適應(yīng)低壓電路（＜5 V）的特點(diǎn)，且封裝集成度高，適用于在印制電路板面積緊張的情況下使用。TVS 二極管是和被保護(hù)電路并聯(lián)的，當(dāng)瞬態(tài)電壓超過(guò)電路的正常工作電壓時(shí)，二極管發(fā)生雪崩，為瞬態(tài)電流提供通路，使內(nèi)部電路免遭超額電壓的擊穿或超額電流的過(guò)熱燒毀。（5）變?nèi)荻O管 變?nèi)荻O管是利用 PN 結(jié)的電容隨外加偏壓而變化這一特性制成的非線性電容元件，被廣泛地用于參量放大器，電子調(diào)諧及倍頻器等微波電路中，變?nèi)荻O管主要是通過(guò)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及工藝等一系列途徑來(lái)突出電容與電壓的非線性關(guān)系，并提高 Q 值以適合應(yīng)用。4）穩(wěn)壓二極管 穩(wěn)壓二極管是由硅材料制成的面結(jié)合型晶體二極管，它是利用 PN 結(jié)反向擊穿時(shí)的電壓基本上不隨電流的變化而變化的特點(diǎn)，來(lái)達(dá)到穩(wěn)壓的目的，因?yàn)樗茉陔娐分衅鸱€(wěn)壓作用，故稱為穩(wěn)壓二極管。（3）開關(guān)二極管 在脈沖數(shù)字電路中，用于接通和關(guān)斷電路的二極管叫開關(guān)二極管，它的特點(diǎn)是反向恢復(fù)時(shí)間短，能滿足高頻和超高頻應(yīng)用的需要。通常，IF 在 1 安以上的二極管采用金屬殼封裝，以利于散熱；IF 在 1 安以下的采用全塑料封裝。最高工作頻率FM：二極管具有單向?qū)щ娦缘淖罡呓涣餍盘?hào)的頻率。反向電流IR：在規(guī)定的反向電壓條件下流過(guò)二極管的反向電流值。反向擊穿電壓VB：二極管反向電流急劇增大到出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象時(shí)的反向電壓值。正向電壓降 VF：二極管通過(guò)額定正向電流時(shí)，在兩極間所產(chǎn)生的電壓降。C 　將萬(wàn)用表置于 R10k 擋，一只手將兩個(gè)表筆分別接可變電容器的動(dòng)片和定片的引出端，另一只手將轉(zhuǎn)軸緩緩旋動(dòng)幾個(gè)來(lái)回，萬(wàn)用表指針都應(yīng)在無(wú)窮大位置不動(dòng)。B 　用一只手旋動(dòng)轉(zhuǎn)軸，另一只手輕摸動(dòng)片組的外緣，不應(yīng)感覺有任何松脫現(xiàn)象。 可變電容器的檢測(cè)A 　用手輕輕旋動(dòng)轉(zhuǎn)軸，應(yīng)感覺十分平滑，不應(yīng)感覺有時(shí)松時(shí)緊甚至有卡滯現(xiàn)象。實(shí)際使用經(jīng)驗(yàn)表明，電解電容的漏電阻一般應(yīng)在幾百kΩ以上，否則，將不能正常工作。B　將萬(wàn)用表紅表筆接負(fù)極，黑表筆接正極，在剛接觸的瞬間，萬(wàn)用表指針即向右偏轉(zhuǎn)較大偏度(對(duì)于同一電阻擋，容量越大，擺幅越大)，接著逐漸向左回轉(zhuǎn)，直到停在某一位置。 電解電容器的檢測(cè)A　因?yàn)殡娊怆娙莸娜萘枯^一般固定電容大得多，所以，測(cè)量時(shí)，應(yīng)針對(duì)不同容量選用合適的量程。應(yīng)注意的是：在測(cè)試操作時(shí)，特別是在測(cè)較小容量的電容時(shí)，要反復(fù)調(diào)換被測(cè)電容引腳接觸A、B兩點(diǎn)，才能明顯地看到萬(wàn)用表指針的擺動(dòng)。萬(wàn)用表的紅和黑表筆分別與復(fù)合管的發(fā)射極e和集電極c相接。兩只三極管的β值均為100以上，且穿透電流要小。B　檢測(cè)10PF～，進(jìn)而判斷其好壞。測(cè)量時(shí)，可選用萬(wàn)用表R10k擋，用兩表筆分別任意接電容的兩個(gè)引腳，阻值應(yīng)為無(wú)窮大。 電容器檢測(cè)