【正文】 B7 }4 E2 IRF（r）正向微分電阻。在正向?qū)〞r，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻4 x6 \! J+ ]9 m7 ERBB雙基極晶體管的基極間電阻/ q }! m. b39。 S MRE射頻電阻7 g4 n0 a5 J @, r/ m4 K: h( Uamp。 a. \RL負載電阻3 O0 G+ U! xd9 r3 r: Hgamp。 o! aRs(rs)串聯(lián)電阻m7 f3 O+ L. i k ?! p9 eRth熱阻! t, {4 [ r$ |6 D4 d39。 _8 vamp。 _R(th)ja結(jié)到環(huán)境的熱阻7 CN。 N3 L) D. GRz(ru)動態(tài)電阻0 u1 ?8 W0 y/ j vR(th)jc結(jié)到殼的熱阻 h/ E! ^ L9 `* ?5 Er δ衰減電阻/ ], M B, P( N/ P5 j. T3 }r(th)瞬態(tài)電阻6 W a+ |amp。 C s9 t。 ], ETa環(huán)境溫度, {( B) }0 o, @Tc殼溫\/ r. K% O8 K, sztd延遲時間! Z [7 j~6 y4 d9 ]$ I6 G) gtf下降時間. `. f! [ I39。 a3 } o$ Stfr正向恢復時間8 Samp。 y( B0 l$ X: bKtg電路換向關(guān)斷時間: _! }* K39。 N F* ltgt門極控制極開通時間0 gamp。 i4 i C `2 S/ lTj結(jié)溫1 y1 Z$ D: y5 s。 fTjm最高結(jié)溫% G7 C/ \7 x39。 ^amp。 u( |3 @7 F o! C/ rton開通時間* r。 S) X* j$ W g39。 ntoff關(guān)斷時間) x. ?3 Y6 T/ l7 sc8 u8 }tr上升時間+ P+ bamp。 X! `39。 I: [) h: i: s9 D8 Otrr反向恢復時間( m2 Z |) k1 ]7 e: |6 w) Wamp。 @amp。 _ts存儲時間/ d1 S8 I, u C7 k, jI。 [tstg溫度補償二極管的貯成溫度* c q! ?7 z9 z. h5 Pa溫度系數(shù)* dj. O0 `3 W9 sλp發(fā)光峰值波長1 R$ [1 b^e。 J! A7 S△ λ光譜半寬度5 `7 o7 a3 y6 G39。 R% i39。 Cη單結(jié)晶體管分壓比或效率+ S) \。 M( u3 m9 K% r ?+ _1 Samp。 eVB反向峰值擊穿電壓5 u* B! @4 Z+ g6 o7 @39。 cVc整流輸入電壓* Z f7 Z. d, Iy$ jVB2B1基極間電壓, e39。 _8 l! Q5 b9 L5 \$ xVBE10發(fā)射極與第一基極反向電壓$ Wamp。 G d。 `8 i ^0 [VEB飽和壓降$ \5 e5 S$ L+ M5 ^( Y% mVFM最大正向壓降（正向峰值電壓）9 L6 C7 N. dt! HQ: n9 zVF正向壓降（正向直流電壓）6 U+ Q。 I A, _△VF正向壓降差amp。 \1 S/ k3 a! F ^) m. \( I( AVDRM斷態(tài)重復峰值電壓, z$ R, ]1 t$ ]VGT門極觸發(fā)電壓$ ~ `39。 }+ w8 r4 } M fVGD門極不觸發(fā)電壓$ Z% y3 B39。 ?( ]0 g6 BVGFM門極正向峰值電壓 V$ A: N y/ e5 W) mVGRM門極反向峰值電壓) M5 s2 r3 F: LVF（AV）正向平均電壓39。 U, _. b3 B$ O FVo交流輸入電壓。 U1 Q1 [。 R3 tVOM最大輸出平均電壓 Y* ?39。 U% _/ x. t+ rVop工作電壓39。 F9 z+ T* ~5 M9 L8 mamp。 iVn中心電壓% e3 ~2 H7 _3 g/ hKVp峰點電壓3 n* f+ r h9 ^1 q KVR反向工作電壓（反向直流電壓）( `. h39。 s m U% | l$ d `4 bVRM反向峰值電壓（最高測試電壓）`6 I* a! q! V) ~8 R% hV（BR）擊穿電壓7 ]amp。 M8 U6 o. ~39。 y+ }Vth閥電壓（門限電壓）5 _4 u+ C S: t) s4 T KVRRM反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）8 Z o+ ?1 [0 m1 W u! |39。 m) f EVRWM反向工作峰值電壓+ O a) F: N39。 n8 O7 uV v谷點電壓+ O3 | x0 [6 OVz穩(wěn)定電壓3 {) O! V。 \ M2 a9 C△Vz穩(wěn)壓范圍電壓增量. Ym$ g1 z: U39。 m1 C5 rVs通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓5 t) GW6 q4 c5 d( eamp。 kav電壓溫度系數(shù): X: i5 B* |7 Z+ {, n。 q g39。 lVk膝點電壓（穩(wěn)流二極管）* ]% r5 x/ n) C! Vamp。 f ]VL 極限電壓 E% b39。 ~1 ]5 T7 s4 C _( H二、雙極型晶體管參數(shù)符號及其意義 H3 Z1 }amp。 h\8 Q3 HCc集電極電容: W1 {) d6 m L$ N) P fCcb集電極與基極間電容8 q7 w5 Z8 A C, Lamp。 iCce發(fā)射極接地輸出電容amp。 s1 J7 G7 R, Q a% p39。 T7 q, o8 g/ \Ci輸入電容3 x, f! C/ h, p9 e/ ?wCib共基極輸入電容39。 U39。 O9 Mamp。 N9 t( k D9 `Cie共發(fā)射極輸入電容! S/ } T39。 u5 Q+ yCies共發(fā)射極短路輸入電容amp。 _( m+ W1 U! OCieo共發(fā)射極開路輸入電容+ ] H1 [) e E* N9 E* ^6 {Cn中和電容（外電路參數(shù)）! N }3 J e。 Gamp。 `Co輸出電容 r1 D2 k( v+ B! X5 ?/ nCob共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容5 e39。 b9 c+ F+ k9 `4 }% Iamp。 ]Coe共發(fā)射極輸出電容( p39。 S. K% v6 D! }Coeo共發(fā)射極開路輸出電容+ E* e G$ _v) |+ A. ^, K, MCre共發(fā)射極反饋電容! z7 h$ J, F+ Eamp。 s8 `. KCic集電結(jié)勢壘電容. C+ O。 q B, e2 f% zCL負載電容（外電路參數(shù)）5 W u) A ?9 d v39。 Q: `aCp并聯(lián)電容（外電路參數(shù)）( L9 n W6 f2 ^5 `. eBVcbo發(fā)射極開路，集電極與基極間擊穿電壓7 S1 G/ {3 C+ _39。 HBVceo基極開路，CE結(jié)擊穿電壓39。 Aamp。 `% F, `+ R0 U3 BBVebo 集電極開路EB結(jié)擊穿電壓1 D。 {2 WQ3 w。 I( TBVces基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓: E, M: J5 O l( V。 J0 BBV cer基極與發(fā)射極串接一電阻，CE結(jié)擊穿電壓4 kamp。 |% a6 P/ s8 JD占空比4 S9 Iamp。 _% c8 f3 ZfT特征頻率, K2 E6 H. s1 A6 W7 E. N) h6 h i5 l?fmax最高振蕩頻率。當三極管功率增益等于1時的工作頻率( l G2 g5 T% q t7 x) ]. ^hFE共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)2 P。 I4 ?1 |5 aamp。 vhIE共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗% O Y4 k. S4 PA) \4 j( fhOE共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導1 N2 z5 _* q+ _6 oh RE共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)* @7 j7 W5 y g8 ]7 E. ~hie共發(fā)射極小信號短路輸入阻抗7 h/ \3 J39。 fe, O1 L4 rhre共發(fā)射極小信號開路電壓反饋系數(shù). ]2 w A: ?39。 k2 H4 B5 j8 c whfe共發(fā)射極小信號短路電壓放大系數(shù), r。 L。 k。 | h2 nhoe共發(fā)射極小信號開路輸出導納U. i39。 A。 }$ c39。 w/ IIB基極直流電流或交流電流的平均值/ J j( W! Y39。 i0 q。 d% BIc集電極直流電流或交流電流的平均值5 d% l7 F: _/ F4 UIE發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值9 o( a2 }( L% \) u) PIcbo基極接地，發(fā)射極對地開路，在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流) x: Q。 p( A G9 z% pIceo發(fā)射極接地，基極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流 o39。 F1 ^A2 ]! HIebo基極接地，集電極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VEB條件下，發(fā)射極與基極之間的反向截止電流$ ~W6 a/ J. B39。 V5 tIcer基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R，集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流4 f+ Y39。 \: w4 Q x1 W$ F0 y9 U39。 SIces發(fā)射極接地，基極對地短路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流 ?amp。 z3 C0 {* J( h1 r1 n/ rIcex發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間加指定偏壓，在規(guī)定的反向偏壓VCE下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流1 z) a+ O! |+ j* xICM集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。% x9 }$ U( xamp。 @4 ^IBM在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi)，能連續(xù)地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值4 {39。 r39。 n% x h p4 n4 sICMP集電極最大允許脈沖電流 ~) U39。 x o* A* ?ISB二次擊穿電流。 s4 ~$ a, N6 y: PIAGC正向自動控制電流* wamp。 |7 m7 I. x Q* Z u+ YPc集電極耗散功率+ C9 ?6 c39。 ~9 _PCM集電極最大允許耗散功率! T7 K。 P2 ?39。 r7 P/ o) F9 IPi輸入功率6 [0 [2 g4 F6 L* U E. I2 p]) ]Po輸出功率。 ~39。 B7 j: F% g7 @6 `0 IPosc振蕩功率9 S0 m。 P5 k! f3 vPn噪聲功率0 P% j。 G( I9 w9 D! Q39。 s, A0 w39。 r( ePtot總耗散功率4 H2 U( }0 r* @6 gESB二次擊穿能量。 c2 m39。 {amp。 KY `* qrbb39。基區(qū)擴展電阻（基區(qū)本征電阻）0 _( u7 l, Q3 lW: Yrbb39。Cc基極集電極時間常數(shù)，即基極擴展電阻與集電結(jié)電容量的乘積( t X: N! K0 Yrie發(fā)射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻 M1 G8 v2 f5 ?) C, hroe發(fā)射極接地，在規(guī)定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻7 U S0 Z, R% k. z0 G4 ^) M j4 q1 H5 }RE外接發(fā)射極電阻（外電路參數(shù)）* C0 e7 I。 c/ W. F39。 V39。 C( V0 L+ bRB外接基極電阻（外電路參數(shù)） ]3 S8 M6 ^。 U0 e8 [: a, D1 T6 LRc 外接集電極電阻（外電路參數(shù)）) ]( \ g9 O) x5 Y! e3 _$ TRBE外接基極發(fā)射極間電阻（外電路參數(shù)）7 H。 _6 G1 f o4 r/ H \2 bRL負載電阻（外電路參數(shù)）5 W9 \ namp。 ~ C_! _RG信號源內(nèi)阻. b: g1 n$ e h0 o. yRth熱阻9 S* V6 c。 ~2 p2 TK39。 e o39。 LTa環(huán)境溫度+ o+ g! d$ S$ x6 V z% QTc管殼溫度8 eN `0 x39。 X: d, H+ c0 nTs結(jié)溫2 E) o) T) N! Q5 g0 v: `8 gTjm最大允許結(jié)溫5 A+ O。 t。 Ja9 PTstg貯存溫度 {。 `0 Rw3 x/ itd延遲時間+ _4 h% a0 U4 m IX% ttr上升時間2 H) L7 z39。 O2 Y3 j Ets存貯時間, Y2 E39。 \+ b* S2 }9 f E/ ctf下降時間C6 N+ A) eP5 x! Z39。 N1 Wton開通時間* {( H e5 ?amp。 h+ p7 P/ Gtoff關(guān)斷時間) H! `9 C% k) L: RVCB集電極基極（直流）電壓8 e _ D。 L. fVCE集電極發(fā)射極（直流）電壓5