【正文】 h+ p7 P/ Gtoff關(guān)斷時間) H! `9 C% k) L: RVCB集電極基極（直流）電壓8 e _ D。P5 x! Z39。C6 N+ A) e \+ b* S2 }9 f E/ ctf下降時間X% ttr上升時間2 H) L7 z39。w3 x/ itd延遲時間+ _4 h% a0 U4 m I `0 R t。N `0 x39。 LTa環(huán)境溫度+ o+ g! d$ S$ x6 V z% QTc管殼溫度8 eK39。 ~2 p2 T _6 G1 f o4 r/ H \2 bRL負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）5 W9 \ namp。 C( V0 L+ bRB外接基極電阻（外電路參數(shù)） ]3 S8 M6 ^。 c/ W. F39。W: Yrbb39?；鶇^(qū)擴展電阻（基區(qū)本征電阻）0 _( u7 l, Q3 l {amp。 r( ePtot總耗散功率4 H2 U( }0 r* 6 gESB二次擊穿能量。 G( I9 w9 D! Q39。 B7 j: F% g7 6 `0 IPosc振蕩功率9 S0 m。]) ]Po輸出功率。 r7 P/ o) F9 IPi輸入功率6 [0 [2 g4 F6 L* U E. I2 p ~9 _PCM集電極最大允許耗散功率! T7 K。 s4 ~$ a, N6 y: PIAGC正向自動控制電流* wamp。 n% x h p4 n4 sICMP集電極最大允許脈沖電流 ~) U39。 4 ^IBM在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi)，能連續(xù)地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值4 {39。 z3 C0 {* J( h1 r1 n/ rIcex發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間加指定偏壓，在規(guī)定的反向偏壓VCE下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流1 z) a+ O! |+ j* xICM集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。 \: w4 Q x1 W$ F0 y9 U39。W6 a/ J. B39。A2 ]! HIebo基極接地，集電極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VEB條件下，發(fā)射極與基極之間的反向截止電流$ ~ F1 ^ d% BIc集電極直流電流或交流電流的平均值5 d% l7 F: _/ F4 UIE發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值9 o( a2 }( L% \) u) PIcbo基極接地，發(fā)射極對地開路，在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流) x: Q。 w/ IIB基極直流電流或交流電流的平均值/ J j( W! Y39。 A。 k。 k2 H4 B5 j8 c whfe共發(fā)射極小信號短路電壓放大系數(shù), r。A) \4 j( fhOE共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo)1 N2 z5 _* q+ _6 oh RE共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)* 7 j7 W5 y g8 ]7 E. ~hie共發(fā)射極小信號短路輸入阻抗7 h/ \3 J39。 vhIE共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗% O Y4 k. S4 P當(dāng)三極管功率增益等于1時的工作頻率( l G2 g5 T% q t7 x) ]. ^hFE共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)2 P。 |% a6 P/ s8 JD占空比4 S9 Iamp。 I( TBVces基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓: E, M: J5 O l( V。 `% F, `+ R0 U3 BBVebo 集電極開路EB結(jié)擊穿電壓1 D。 HBVceo基極開路，CE結(jié)擊穿電壓39。 q B, e2 f% zCL負(fù)載電容（外電路參數(shù)）5 W u) A ?9 d v39。v) |+ A. ^, K, MCre共發(fā)射極反饋電容! z7 h$ J, F+ Eamp。 S. K% v6 D! }Coeo共發(fā)射極開路輸出電容+ E* e G$ _ b9 c+ F+ k9 `4 }% Iamp。 `Co輸出電容 r1 D2 k( v+ B! X5 ?/ nCob共基極輸出電容。 _( m+ W1 U! OCieo共發(fā)射極開路輸入電容+ ] H1 [) e E* N9 E* ^6 {Cn中和電容（外電路參數(shù)）! N }3 J e。 N9 t( k D9 `Cie共發(fā)射極輸入電容! S/ } T39。 U39。 s1 J7 G7 R, Q a% p39。\8 Q3 HCc集電極電容: W1 {) d6 m L$ N) P fCcb集電極與基極間電容8 q7 w5 Z8 A C, Lamp。 h f ]VL 極限電壓 E% b39。 q g39。W6 q4 c5 d( eamp。 m1 C5 rVs通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓5 t) G n8 O7 uV v谷點電壓+ O3 | x0 [6 OVz穩(wěn)定電壓3 {) O! V。 y+ }Vth閥電壓（門限電壓）5 _4 u+ C S: t) s4 T KVRRM反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓）8 Z o+ ?1 [0 m1 W u! |39。`6 I* a! q! V) ~8 R% hV（BR）擊穿電壓7 ]amp。 s m U% | l$ d `4 bVRM反向峰值電壓（最高測試電壓） F9 z+ T* ~5 M9 L8 mamp。 R3 tVOM最大輸出平均電壓 Y* ?39。 U, _. b3 B$ O FVo交流輸入電壓。 }+ w8 r4 } M fVGD門極不觸發(fā)電壓$ Z% y3 B39。 I A, _△VF正向壓降差amp。 G d。y$ jVB2B1基極間電壓, e39。 cVc整流輸入電壓* Z f7 Z. d, I M( u3 m9 K% r ?+ _1 Samp。 R% i39。e。^j. O0 `3 W9 sλp發(fā)光峰值波長1 R$ [1 b [tstg溫度補償二極管的貯成溫度* c q! ?7 z9 z. h5 Pa溫度系數(shù)* d amp。 X! `39。 S) X* j$ W g39。 ^amp。 i4 i C `2 S/ lTj結(jié)溫1 y1 Z$ D: y5 s。Ktg電路換向關(guān)斷時間: _! }* K39。 y( B0 l$ X: b~6 y4 d9 ]$ I6 G) gtf下降時間. `. f! [ I39。ztd延遲時間! Z [7 j\/ r. K% O8 K, s ], ETa環(huán)境溫度, {( B) }0 o, Tc殼溫 N3 L) D. GRz(ru)動態(tài)電阻0 u1 ?8 W0 y/ j vR(th)jc結(jié)到殼的熱阻 h/ E! ^ L9 `* ?5 Er δ衰減電阻/ ], M B, P( N/ P5 j. T3 }r(th)瞬態(tài)電阻6 W a+ |amp。 _8 vamp。gamp。d9 r3 r: H a. \RL負(fù)載電阻3 O0 G+ U! x在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應(yīng)增加△I，則△V/△I稱微分電阻4 x6 \! J+ ]9 m7 ERBB雙基極晶體管的基極間電阻/ q }! m. b39。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率/ J( B7 }4 E2 IRF（r）正向微分電阻。 H6 T/ ^9 H9 A6 \PSM不重復(fù)浪涌功率 H: F( O1 \。 7 b. XPR反向浪涌功率39。 Damp。 F0 v% j/ x+ k39。 r, Z$ f N. E2 p2 z3 ~39。d9 D8 C1 wPM額定功率。o2 `: W7 \PK最大開關(guān)功率/ U C K: W1 k _! G: TC。 WPGM門極峰值功率: Z2 B [PFT（AV）正向?qū)ㄆ骄纳⒐β? b, F `) Y: G4 Q. aPFTM正向峰值耗散功率4 + y9 u3 S8 Y+ o4 L1 cPFT正向?qū)偹矔r耗散功率* I z4 s2 v/ JPd耗散功率! D5 d。 M% rPB承受脈沖燒毀功率 l39。 g39。 aamp。 ~. s 電容變化指數(shù)；電容比2 Q/ m, Y5 ?, G, C0 tQ優(yōu)值（品質(zhì)因素）+ o1 0 _amp。 X2 d0 b。 [8 J。 O/ w! } c( ^1 X: C。t: H! b2 q/ t。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流1 M1 R9 P6 O8 ^2 ^* TiF正向總瞬時電流1 ?( Y6 W/ V) [. LiR反向總瞬時電流 A, `0 O39。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流6 h6 x9 d4 I5 ?Izk穩(wěn)壓管膝點電流 Z! p) V( d/ I$ r8 I jIOM最大正向（整流）電流。 Q+ S39。 a5 f l。B7 f9 zIRR晶閘管反向重復(fù)平均電流3 m4 P: y6 b( ^IDR晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流 V) ~2 u% R$ ]9 y* M+ ?IRRM反向重復(fù)峰值電流. t。 ? S/ V i9 M. _) y% M I。 z, WIR（AV）反向平均電流8 k( V4 ~1 y+ _5 t! l6 M8 m5 IIR（In）反向直流電流（反向漏電流）。 k+ uamp。 t! z. z。 g4 O+ s: i) Z( wIGT晶閘管控制極觸發(fā)電流 Camp。 g4 C$ 4 Q$ I5 E SIP峰點電流7 h O9 J v r: f3 l1 {39。 i1 xamp。 M8 e) [: F6 E8 v0 i, v5 GIEB20雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流39。zIB2單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流: o, p2 J8 ^. h mamp。 O g M7 a `IF(ov)正向過載電流9 ^8 `6 y Z8 ~ v9 `4 Q% O: i。 _6 Q( H8 a, C6 IFSM正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流） E+ F, L) ?7 y) S* m4 vIo整流電流。 m) s/ j。* j3 ^. H: F3 p7 [1 I9 fIH恒定電流、維持電流。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。 g1 n39。F5 p j9 x2 _ `7 \) J4 XIF（AV）正向平均電流3 r/ M6 V( k39。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流4 r H1 A3 E m3 w! Y7 [Cvn標(biāo)稱電容7 X/ }5 C9 w2 ^amp。 `/ ?3 m. N1 f% WCTC電容溫度系數(shù)。 w4 E5 B/ K, d% $ Q9 tCTV電壓溫度系數(shù)。 aamp。 Y. [* F. u+ h: y一、半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號及其意義% ^9 d9 ?9 Q0 j4 V* rCT勢壘電容$ H X: D% W3 j$ T/ hCj結(jié)（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容. hamp。4 I3 c P! O8 v* X) q! c俄羅斯半導(dǎo)體器件型號命名法由于使用少，在此不介紹。 ~( A1 A: a1 d9 v R8 c( N第三部分：多位數(shù)字表示器件的登記序號。 b/ B! yamp。 w9 A歐洲有些國家，如德國、荷蘭采用如下命名方法。 a2 h$ b五、歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號命名法* V9 h* E* x6 ]. Zamp。, T( l n( e) {. p如：BDX51表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S表示PNP鍺高頻小功率三極管。2 T) ] e7 Famp。15%；其后綴第二部分是數(shù)字，表示標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三部分是字母V，代表小數(shù)點，字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。5%、177。1%、177。 m2 ?) `$ w穩(wěn)壓二極管型號的后綴。6 w0 ^5 n5 ^ }2 i0 ]. {除四個基本部分外，有時還加后綴，以區(qū)別特性或進一步分類。 g! K第四部分：用字母對同一類型號器件進行分檔。三位數(shù)字代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號、一個字母加二位數(shù)字表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號。A檢波開關(guān)混頻二極管、B變?nèi)荻O管、C低頻小功率三極管、D低頻大功率三極管、E隧道二極管、F高頻小功率三極管、G復(fù)合器件及其他器件、H磁敏二極管、K開放磁路中的霍爾元件、L高頻大功率三極管、M封閉磁路中的霍爾元件、P光敏器件、Q發(fā)光器件、R小功率晶閘管、S小功率開關(guān)管、T大功率晶閘管、U大功率開關(guān)管、X倍增二極管、Y整流二極管、Z穩(wěn)壓二極管。_. o9 U( m3 z% \ v% \amp。A器件使用材料的禁帶寬度Eg=~ 如鍺、B器件使用材料的Eg=~ 如硅、C器件使用材料的Eg 如砷化鎵、D器件使用材料的Eg 如銻化銦、E器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：4 z3 C。 F5 d。 d