哈爾濱工業(yè)大學(xué)數(shù)電實(shí)驗(yàn)預(yù)考核-資料下載頁(yè)
2025-06-26 19:04本頁(yè)面
【正文】 數(shù)字芯片的清零端和時(shí)鐘端是幾個(gè)D觸發(fā)器共用?DA：1B：2 C：3 D：4 試題 74LS32數(shù)字芯片是什么門?DA：與門B：與非門 C：非門 D：或門 試題 74LS161是什么芯片?DA：譯碼器B：編碼器 C：寄存器 D：計(jì)數(shù)器 如果74LS161工作在計(jì)數(shù)狀態(tài)，那么ENP和ENT控制端應(yīng)當(dāng)接什么電平?DA：ENP接高電平，ENT接低電平B：ENP接低電平，ENT接高電平 C：ENP接低電平，ENT接低電平 D：ENP接高電平，ENT接高電平 試題 一片74LS32數(shù)字芯片里面有幾個(gè)或門?A：1B：2 C：3 D：4 A試題 74LS32數(shù)字芯片有幾個(gè)引腳?DA：10B：12 C：16 D：14 搶答電路中的時(shí)鐘脈沖電路怎么設(shè)計(jì)?BA：由555定時(shí)器組成的單穩(wěn)態(tài)電路B：由555定時(shí)器電路組成的多諧振蕩器 C：由555定時(shí)器電路組成的壓控振蕩電路 試題 74LS175數(shù)字芯片的供電電壓是多少?BA：5VB：+5V C：177。5V D：177。12V 試題 74LS175數(shù)字芯片有幾個(gè)引腳? A：10B：12 C：16 D：14 b實(shí)驗(yàn)七 隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM應(yīng)用(3選1) (開(kāi)放時(shí)間：2014/12/8至2014/12/20)試題 當(dāng)181。PD2114進(jìn)行寫操時(shí)R/W=_B？A：1B：0 隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM具有_A功能?A：讀/寫B(tài)：無(wú) C：只讀 D：只寫 試題 隨機(jī)存儲(chǔ)器181。PD2114在進(jìn)行讀、寫數(shù)據(jù)時(shí)，CS和RD/RW引腳需要滿足一定的時(shí)序，當(dāng)向181。PD2114寫入數(shù)據(jù)時(shí)下面步驟正確的是？B(1) a)確定存儲(chǔ)單元的地址；b)使181。PD2114片選端有效（CS= 0）；c)使181。PD2114為寫操作狀態(tài)輸入數(shù)據(jù)；d)使讀寫控制端置高（R/W= 1）后使181。PD2114片選信號(hào)無(wú)效（CS= 1）讀寫控制端置高（R/W= 1）。(2) a)確定存儲(chǔ)單元的地址；b)使181。PD2114片選端有效（CS= 0）；c)使181。PD2114為寫操作狀態(tài)輸入數(shù)據(jù)；d)使181。PD2114片選信號(hào)無(wú)效（CS= 1）后使讀寫控制端置高（R/W= 1）。BA：(1)B：(2) 試題 隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM中的內(nèi)容當(dāng)電源斷掉后又接通，存儲(chǔ)器的內(nèi)容將____?A：全部改變B：不確定 C：保持不變 A試題 只讀存儲(chǔ)器ROM在運(yùn)行時(shí)具有_A功能?A：讀/無(wú)寫B(tài)：無(wú) C：讀/寫 試題 RAM和ROM中存入的信息在掉電后信息不會(huì)丟失的是_B_?A：RAMB：ROM 試題 一個(gè)容量是1K8的存儲(chǔ)器有個(gè)C存儲(chǔ)單元?CA：800B：8000 C：8192 試題 在本實(shí)驗(yàn)中74LS161的作用是_B?A：改變181。PD2114對(duì)應(yīng)地址中的數(shù)據(jù)B：改變181。PD2114寫入數(shù)據(jù)的地址
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