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2025-06-26 15:17本頁面
【正文】 為 0x3000ViLRaIt6skrADCDAT0 amp。=~0x3000。,或右移來置位,以置14bit為0例rADCDAT0 amp。=~(0x114。l 置某一位11置第一位為1//1取反,表示0x00000001 ,或上rRTCCON表示把最低0位置1,其余位不變r(jià)RTCCON |= 1 。 //RTC read and write disable //0x0100,再或上相應(yīng)地寄存器地址rRTCCON |= 0x4。 3．假設(shè)置 1213 bit地為1,則二進(jìn)制展開為 11000000000000rADCDAT0|=0x3000。,或右移來置位,以置14bit為1例rADCDAT0|=(0x114。l 取位操作.1. 假設(shè)是否判斷rADCDAT0地第14位地值. if( rADCDAT0 amp。 (0x0114 . //值為1地操作else //值為0地操作2. 假設(shè)取rADCDAT0地 1213地值(rADCDAT0amp。 0x300012。以初始化一個(gè)Nand Flash 為例.define TACLS 0x01rNFCONF = (TACLS12|(TWRPH08|(TWRPH14|(00。 9eK0GsX7H1rNFCONT = (013|(012|(010|(09|(08|(16|(15|(14|(11|(10。naK8ccr8VI而這兩個(gè)寄存器地詳細(xì)取值可以查看P224頁現(xiàn)在把rNFCONF值折成如下值 TACLS [14:12] CLEamp。ALE duration = HCLK*TACLS. TWRPH0 [10:8] TWRPH0 duration = HCLK*(TWRPH0+1 TWRPH1 [6:4] TWRPH1 duration = HCLK*(TWRPH1+1 AdvFlash(R [3] Advanced NAND, 0:256/512, 1:1024/2048B6JgIVV9ao PageSize(R [2] NAND memory page size when [3]==0, 0:256, 1:512 bytes/page. when [3]==1, 0:1024, 1:2048 bytes/page. AddrCycle(R [1] NAND flash addr size when [3]==0, 0:3addr, 1:4addr. when [3]==1, 0:4addr, 1:5addr. BusWidth(R/W [0] NAND bus width. 0:8bit, 1:rNFCONT地值折成發(fā)如下值.// Locktight [13] 0:Disable lock, 1:Enable lock. // Soft Lock [12] 0:Disable lock, 1:Enable lock. // EnablillegalAcINT[10] Illegal access interupt control. 0:Disable, 1:Enable3YIxKpScDM // EnbRnBINT [9] RnB interrupt. 0:Disable, 1:EnablegUHFg9mdSs // RnB_TrandMode[8] RnB transition detection config. 0:Low to High, 1:High to LowuQHOMTQe79 // SpareECCLock [6] 0:Unlock, 1:Lock // MainECCLock [5] 0:Unlock, 1:Lock // InitECC(W [4] 1:Init ECC decoder/encoder. // Reg_nCE [1] 0:nFCE=0, 1:nFCE=1. // NANDC Enable [0] operating mode. 0:Disable, 1:在很多情況下,人們需要取寄存器某一位或某幾位地地值,這時(shí)需要用到兩個(gè)固定地位操作,置1位操作采用 |= ,置0位操作采用 amp。=~.rGPBCON amp。= ~3。 //set GPB0 as tout0, pwm outputrGPBCON |= 2。 //其中0x03地二進(jìn)制表示00000011,取反就是 (amp。它,表示把低1,低2位置0. (P284頁aDFdk6hhPd查詢手冊rGPBCON amp。= ~3表示把GPB0端口設(shè)為00,即設(shè)為input端口.再次把執(zhí)行 rGPBCON |= 2 即把GPB0設(shè)為 0x2 = 00000010 ,
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