【正文】 NO3)2 作為基體改進(jìn)劑。 鋇（Ba）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）4進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：由于在Ba的測(cè)試過(guò)程中石墨管升溫過(guò)程中所發(fā)出的光會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的光譜干擾，因而會(huì)出現(xiàn)“負(fù)峰”現(xiàn)象。這時(shí)應(yīng)采用較窄的狹縫和盡可能低的原子化溫度可降低負(fù)峰。鈹（Be）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）4進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3% Mg(NO3)2：升溫程序：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：采用硝酸鎂也可采用Al、Fe作為基體改進(jìn)劑，可明顯增加其靈敏度，增強(qiáng)其穩(wěn)定程度。Be彎曲點(diǎn)較低（）鎘（Cd）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：測(cè)樣時(shí)應(yīng)背景校正；加入硝酸美和磷酸氫二銨基體改進(jìn)劑，可提高灰化溫度。鈷（Co）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：分析樣品時(shí)可加入50ug Mg(NO3)2作為基體改進(jìn)劑鉻（Cr）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：分析樣品時(shí)可加入50ug Mg(NO3)2作為基體改進(jìn)劑銅（Cu）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序： ：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：分析樣品時(shí)可加入15ugpd+10ug Mg(NO3)2作為基體改進(jìn)劑鐵（Fe）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：鈷、鎳、鋁、硅、鈦對(duì)測(cè)定鐵的影響較大，必須使用較窄的光譜帶寬；分析血清時(shí)蛋白質(zhì)也會(huì)造成注意。硅的注意可用氟化銨或氫氟酸處理出去，或用硫酸冒煙使硅脫水除去，也可采用加氯化鈣來(lái)抑制。加EDTA可掩蔽鈷對(duì)鐵的注意。鎢高時(shí)，可在酸性介質(zhì)中加入酒石酸絡(luò)合鎢以消除注意。必須注意分析試劑、器皿及室內(nèi)環(huán)境造成的污染。溶液應(yīng)保持一定酸度。銦（In）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：分析樣品時(shí)可加入50ug Mg(NO3)2作為基體改進(jìn)劑錳（Mn）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：分析樣品時(shí)可加入50ug Mg(NO3)2作為基體改進(jìn)劑鉬（Mo）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% NO3：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：在石墨爐分析中，由于Mo與C形成難解離的碳化鉬而產(chǎn)生嚴(yán)重的“記憶效應(yīng)”，應(yīng)隨時(shí)采用“空燒”以減少記憶效應(yīng)。鎳（Ni）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：鉛（Pb）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：基體對(duì)于灰化溫度和原子化溫度會(huì)有較大影響。在選擇灰化溫度的時(shí)候應(yīng)反復(fù)實(shí)驗(yàn)以選擇最適合灰化溫度。加入硝酸美和磷酸氫二銨等基體改進(jìn)劑，可提高灰化溫度，測(cè)樣時(shí)應(yīng)加入氘燈背景校正。 鈀（Pd）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3標(biāo)準(zhǔn)曲線： 升溫程序：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：鉑（Pt）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：銠（Rh）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：鍶（Sr）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）4進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序 ：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：Sr有記憶效應(yīng)，適當(dāng)采用空燒對(duì)可提高測(cè)試相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差。鈦（Ti）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）6進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：在分析樣品前，石墨管應(yīng)反復(fù)空燒凈化。升溫程序中的凈化步驟對(duì)于去除記憶效應(yīng)也很有重要。測(cè)試過(guò)程中在對(duì)樣品濃度較高的樣品分析時(shí)，盡量增加空燒次數(shù)，以降低記憶效應(yīng)影響。鉈（Tl）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：分析樣品時(shí)可加入15ugPd+10ug Mg(NO3)2作為基體改進(jìn)劑釩（V）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）6進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：在分析樣品前，石墨管應(yīng)反復(fù)空燒凈化。升溫程序中的凈化步驟對(duì)于去除記憶效應(yīng)也很有重要。鐿（Yb）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）4進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村南大街甲8號(hào) 威地科技大廈郵編：100081電話：01062133636傳真：62121167網(wǎng)址：Email：service@