嵌入式技術基礎與實踐習題參考答案-資料下載頁
2025-06-25 21:37本頁面
【正文】 存儲器一樣無需電能保持數(shù)據(jù)的優(yōu)點。②易更新性：Flash存儲器具有電可擦除的特點。相對于EPROM（電可編程只讀存儲器）的紫外線擦除方式，F(xiàn)lash存儲器的電擦除功能為開發(fā)者節(jié)省了大量時間，也為最終用戶更新存儲器內容提供了方便條件。③成本低、密度高、可靠性好：與EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）相比較，F(xiàn)lash存儲器的成本更低、密度更高、可靠性更好。2．AW60的Flash存儲器有什么特點？①編程速度快且可靠性高。S08系列MCU的片內Flash存儲器的整體擦除時間可以控制在5ms以內，對單字節(jié)的編程（寫入）時間也在40ns以內。片內Flash存儲器的存儲數(shù)據(jù)可以保持10年以上，可擦寫次數(shù)均在1萬次以上。②單一電源電壓供電。一般的Flash存儲器，在正常的只讀情況下，只需要用戶為其提供普通的工作電壓即可，而要對其編程（寫入）時還需要同時提供高于正常工作電壓的編程電壓。正因為Flash的讀寫電壓要求不同，一些公司的內置Flash存儲器便放棄了在線擦除寫入功能，而僅有通過編程器的寫入功能。但是，S08系列MCU通過在片內集成的電荷泵，可由單一工作電壓在片內產生出編程電壓，這樣就實現(xiàn)了單一電源供電的在線編程電壓，而不需要為Flash的編程增加額外的編程電壓模塊，同時也使S08系列MCU兼具了兩種編程模式。③支持在線編程。S08系列MCU的片內Flash存儲器支持在線編程，允許MCU內部運行的程序去改寫Flash存儲器的內容，這樣就可以代替外部電可擦除存儲芯片，從而減少了外圍部件，增加了嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的方便性。3．AW60的Flash存儲器有哪兩種編程模式？兩種模式有什么區(qū)別？從Flash存儲器的基本特點可以看出，在MCU中可以利用Flash存儲器來固化程序，一般情況下通過編程器來完成這種操作，F(xiàn)lash存儲器工作于這種情況稱為監(jiān)控模式(MonitorMode)或寫入器模式，這與一般的EPROM、OTP、EEPROM裝入程序的方式十分相似。另一方面，由于Flash存儲器具有電可擦除的特點，因此在程序運行過程中有可能對Flash存儲區(qū)的數(shù)據(jù)或程序進行更新，F(xiàn)lash存儲器工作于這種情況叫做用戶模式（UserMode）或在線編程模式（InCircuitProgram）。但是，并不是所有類型的MCU的內部Flash存儲器都具有在線編程功能。目前有的公司出品的MCU還不支持Flash存儲器在線編程模式。Freescale的S08系列MCU的片內Flash均支持這兩種編程模式。一般來說，兩種模式對Flash存儲器的編程操作的程序是一致的，差別在于調用這些程序的方式和環(huán)境的不同。4．AW60的Flash存儲器編程時涉及哪些寄存器，其各自地址是什么？在AW60中，與Flash編程有關的寄存器有6個，它們分別是Flash時鐘分頻寄存器(FCDIV)、Flash選項寄存器(FOPT和NVOPT)、Flash配置寄存器(FCNFG)、Flash保護寄存器(FPROT和NVPROT)、Flash狀態(tài)寄存器(FSTAT)和Flash命令寄存器(FCMD)，其對應的地址分別為$18$182$182$182$1825和$1826。5．AW60的Flash存儲器的編程命令一般執(zhí)行哪些步驟？①向Flash地址中寫入一個數(shù)據(jù)。地址和數(shù)據(jù)信息都會被鎖定到Flash接口中。對于空白檢測和擦除命令，數(shù)據(jù)信息是一個任意值；對于頁擦除命令，地址信息是擦除頁（512字節(jié)）地址中的任意一個地址；對于空白檢測和整體擦除命令，地址信息是Flash中的任意一個地址。②向Flash命令寄存器FCMD中寫入需要執(zhí)行的命令。③執(zhí)行命令。將Flash狀態(tài)寄存器FSTAT的FCBEF位置1，同時開始執(zhí)行命令寄存器中的命令。6．AW60的Flash存儲器的編程命令的執(zhí)行流程是怎樣的？在進行Flash擦寫編程時，也需要遵循嚴格的時序流程。批量模式寫一個字節(jié)命令和其他命令的執(zhí)行過程有很大差別。批量模式意味著有很多連續(xù)數(shù)據(jù)需要寫入Flash，每執(zhí)行一次寫入命令后，向Flash中加入的寫入高電壓并不撤銷，這樣就加快了數(shù)據(jù)寫入速度；而對于其他的命令，在命令執(zhí)行的時候，加高電壓，命令執(zhí)行結束的時候立即撤銷高電壓。7．擦除與寫入子程序編程要點都有哪些？使用Flash在線編程技術可以省去外接EEPROM，不僅簡化了電路設計，也提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。我們將Flash的執(zhí)行程序編譯后存放到Flash中，當需要使用時則將這段代碼復制到RAM中，同時需要修改一下執(zhí)行指令，正是由于這個特殊的過程，根據(jù)實際編程調試與項目開發(fā)過程中積累的經(jīng)驗，提出以下注意點，供讀者參考:①RAM中要留有足夠的緩沖區(qū)，以便存放復制到RAM中的子程序，具體值是取擦除與寫入子程序中的大者即可。②一次擦除后未被寫入過的區(qū)域可以再次調用寫入子程序寫入，但寫入過的區(qū)域，未經(jīng)擦除不能重寫。③由于擦除是每次擦除一頁（512字節(jié)），所以數(shù)據(jù)應合理安排，避免誤擦。④頁首地址的定義須遵照保護寄存器FLBPR定義的規(guī)則。⑤在線編程時使用的Flash存儲區(qū)域應在程序Flash存儲區(qū)域之前，因為Flash保護區(qū)為FLBPR決定的地址至末尾。
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