bicmos器件介紹-資料下載頁
2025-06-25 06:05本頁面
【正文】 上隔離擴散，并作為深P+集電極；P型發(fā)射區(qū)擴散。由于在外延及上隔離的過程中PBL埋層分上推距離大于N+BL上推的距離，于是在P發(fā)射區(qū)下形成P型集電區(qū)。此結構的缺點如下：（1） 有效基區(qū)由外延層厚度、結深和埋層上推距離決定，所以控制精度較差。（2） 工藝步驟多。（3） 版圖尺寸大，影響成品率。圖（5）三、 電阻除了CMOS中介紹的四種電阻外，在雙極工藝下還會有以下兩種電阻：BASE P電阻和RI 電阻（離子注入電阻）。如圖（2），BP電阻直接做于外延上，兩端進行P＋擴散，以獲得歐姆接觸，作為電阻的引出端。電阻體從P+擴散的邊緣到邊緣。其薄層電阻在200～600歐/方，BP電阻的缺點是，其阻值受基區(qū)的影響。RI電阻是在外延層上注入硼離子形成電阻區(qū)，在電阻區(qū)的兩端進行P擴散做為電阻的引出端。～20K歐/方，是電阻中精確度較高的一類電阻（可以達到10％），常做高精度要求的高阻。其溫度系數TCR與退火條件及RS有關，可以控制，通?？梢赃_到104以下。缺點是注入的結深較小（~ ）,注入層的厚度受耗盡層的影響較大，導致壓差大時會由于結深淺而被擊穿。6 /
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