bicmos器件介紹(完整版)
【正文】 ）以雙極工藝為基礎(chǔ)的雙阱BICMOS工藝下的MOS管結(jié)構(gòu)：P溝器件做在N阱中，N溝器件做在P阱中。而在數(shù)字電路中，NPN工作在飽和區(qū)或反向工作區(qū)，此時(shí)VBEPNP= VBCNPN0，寄生PNP將處于正向工作區(qū)，這將使相當(dāng)大的一股反向NPN管的“發(fā)射極電流”變成無(wú)用電流流入襯底。第二是集電極串聯(lián)電阻，相對(duì)來(lái)說(shuō)比較大，在工藝上可以通過(guò)加埋層和深N＋集電極接觸擴(kuò)散方法來(lái)減??；在版圖設(shè)計(jì)時(shí)，可以采用雙集電極或馬蹄型集電極圖形來(lái)減小，但此方法會(huì)增大寄生電容。而集電區(qū)設(shè)計(jì)成包圍發(fā)射區(qū)的形式，是為使集電區(qū)盡可能多的收集到從發(fā)射區(qū)側(cè)向注入的空穴。由于在外延及上隔離的過(guò)程中PBL埋層分上推距離大于N+BL上推的距離，于是在P發(fā)射區(qū)下形成P型集電區(qū)。RI電阻是在外延層上注入硼離子形成電阻區(qū)，在電阻區(qū)的兩端進(jìn)行P擴(kuò)散做為電阻的引出端。其溫度系數(shù)TCR與退火條件及RS有關(guān)，可以控制，通常可以達(dá)到104以下。（2） 工藝步驟多。 圖（3）（3） VPNPLPNP的β、fT、ICr（臨界電流）都小，只能用于小電流的情況，而襯底
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