【導讀】---導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)。----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導體。體現(xiàn)的是半導體的摻雜特性。*載流子的濃度---多子濃度決定于雜質(zhì)濃度,少子濃度與溫度有關(guān)。*體電阻---通常把雜質(zhì)半導體自身的電阻稱為體電阻。*PN結(jié)的接觸電位差---硅材料約為~,鍺材料約為~。*PN結(jié)的單向?qū)щ娦?--正偏導通,反偏截止。*單向?qū)щ娦?-----正向?qū)?,反向截止?二極管伏安特性----同PN結(jié)。*正向?qū)▔航?-----硅管~,鍺管~。若V陽<V陰(反偏),二極管截止(開路)。的交點叫靜態(tài)工作點Q。---分為NPN和PNP兩種。面積較??;集電區(qū)摻雜濃度較高,與基區(qū)接觸面積較大。式子稱為穿透電流。截止區(qū)---發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏。溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。3)改變VCC:直流負載線平移,Q點發(fā)生移動。