基底壓印光刻技術(shù)及其應(yīng)用的前景畢業(yè)論文-資料下載頁
2025-06-23 02:00本頁面
【正文】 證了大面積的基底完整壓印。這些優(yōu)點(diǎn)使得SCIL技術(shù)在分辨率和產(chǎn)能上都超過了目前主流的步進(jìn)式掩模光刻機(jī)，而SCIL的機(jī)器成本與步進(jìn)式掩模光刻機(jī)相比卻要低幾十倍。5. 在高亮LED生產(chǎn)中，為了節(jié)省MOCVD外延生長(zhǎng)的成本，未來的發(fā)展趨勢(shì)是使用大尺寸基底，例如4寸或者6寸晶圓。然而外延生長(zhǎng)會(huì)導(dǎo)致大尺寸基底的彎曲則越發(fā)的明顯，在后續(xù)的光刻過程中強(qiáng)行利用真空吸附等方式補(bǔ)償這種彎曲以換取光刻中的高分辨率有可能會(huì)造成基底斷裂。SCIL技術(shù)可以利用模板的縱向變形來補(bǔ)償基底的彎曲，實(shí)現(xiàn)大面積上完整的均勻壓印，完美地克服了生產(chǎn)工藝上的難題。綜上所述，SCIL技術(shù)無論在技術(shù)工藝和成本質(zhì)量控制上都達(dá)到了應(yīng)用于大規(guī)模生產(chǎn)的要求，可以在LED晶圓上以極低的成本生產(chǎn)高質(zhì)量高分辨率的光子晶體結(jié)構(gòu)，從而使高亮LED在大規(guī)模生產(chǎn)成為可能，推動(dòng)LED技術(shù)在日常照明等新的應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展。而且SCIL在諸如高密度存儲(chǔ)介質(zhì)，微鏡頭等三維結(jié)構(gòu)加工，大規(guī)模集成電路等領(lǐng)域也具有廣泛的應(yīng)用前景。參考資料1 Yole report LED manufacturing technologies, 2008 Edition. .2 T. Lee, C. Lin, S. Ma, C. Sun, Opt. Express 13 (11) (2005) 4175.3 . Chou, . Krauss, . Renstrom, J. Appl. Phys. Lett. 67 (1996) 3114.4 M. Bender, M. Otto, B. Hadam, B. Vratzov, B. Spangenberg, H. Kurz, Microelectron. Eng. 53 (2000) 233–236.5 M. Bender, U. Plachetka, R. Ji, A. Fuchs, B. Vratzov, H. Kurz, T. Glisner, F. Lindner, J. Vac. Sci. Tech. B 22(6) (2004) 3229–3232.6 (1) R. Ji, M. Hornung, M. Verschuuren, R. , J. , U. Plachetka, m. Moeller, C. Moormann, Microelectronic Engineering 87 963–967, 2010。 (2) M. Verschuuren, H. van Sprang, in: Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Materials Research Society, 1002N0305, vol. 1002, 2007.7 M. Beck, M. Graczyk, I. Maximov, . Sarwe, . Ling, M. Keil, L. Montelius, Microelectron. Eng. 61–62 (2001) 441–4
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