無機(jī)材料物理性能課后習(xí)題答案-資料下載頁
2025-06-20 07:13本頁面
【正文】 子（e）和空穴（h）同時為載流子時。假定Si的遷移率μe=1450（），μh=500（），且不隨溫度變化。求Si在室溫（20℃）和500℃時的電導(dǎo)率解：（1） Si 20℃ =1023*=*1013cm3 500℃ =1023*e8=*1019 cm3 TiO220℃ =*103 cm3500℃ =*1013 cm3(2) 20 ℃ =*1013**1019(1450+500) =*102（） 500℃ =*1019**1019(1450+500) =7956 （）42. 根據(jù)缺陷化學(xué)原理推導(dǎo)（1）ZnO電導(dǎo)率與氧分壓的關(guān)系。（4）討論添加Al2O3對NiO電導(dǎo)率的影響。解：（1）間隙離子型： 或 （4）添加Al2O3對NiO： 添加Al2O3對NiO后形成陽離子空位多，提高了電導(dǎo)率。 7 / 7
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