核輻射測量方法考試必考點(diǎn)-資料下載頁
2025-06-10 00:53本頁面
【正文】 所對應(yīng)的能量為兩個(gè)（或更多）光子能量之和。特征X射線逃逸：當(dāng)γ光子在晶體中發(fā)生光電效應(yīng)時(shí)，原子的相應(yīng)殼層上將留一空位。當(dāng)外層電子補(bǔ)入時(shí)，會有特征X射線或俄歇電子發(fā)出。若光電效應(yīng)在靠近晶體表面處產(chǎn)生，則該特征X射線有可能逸出，使晶體內(nèi)沉淀的能量比入射光子能量小，其差為特征X射線的能量。在γ能譜上將出現(xiàn)特征X射線的逃逸峰。邊緣效應(yīng)：γ光子轉(zhuǎn)移給次級電子的動(dòng)能在一般情況下都被晶體所吸收。但若次級電子產(chǎn)生在靠近晶體邊緣處，它可能逸出晶體以致將部分動(dòng)能損失在晶體外，所引起的脈沖幅度也要相應(yīng)地減小，這種影響稱為邊緣效應(yīng)。干擾輻射的影響主要包括：特征X射線：許多放射源本身有特征X射線放出，X射線也可以是γ射線和周圍介質(zhì)的原子發(fā)生光電效應(yīng)引起的。它們在能譜上形成特征X射線峰。在低能γ或X射線強(qiáng)度測量中，這種輻射不容忽略。散射輻射和反散射峰：射線在源襯托物上、探頭外殼上以及在周圍屏蔽物質(zhì)上都可發(fā)生散射，產(chǎn)生散射輻射。它們進(jìn)入晶體被吸收會使康普頓坪區(qū)的計(jì)數(shù)增加。在康普頓坪上200keV左右的位置能經(jīng)?？吹揭粋€(gè)小的突起，它是反散射光子造成的，稱反散射峰。由于反散射光子的能量隨入射光子能量變化不大，反散射峰通常在200keV左右。湮沒輻射峰：對較高能量的γ射線來說，當(dāng)它在周圍物質(zhì)材料中通過電子對效應(yīng)產(chǎn)生正電子湮沒時(shí)。這個(gè)光電峰稱為湮沒輻射峰。韌致輻射的影響：γ射線常伴隨β衰變放出，而β射線在物質(zhì)中被阻止時(shí)會產(chǎn)生軔致輻射。軔致輻射的能量是連續(xù)分布的。它也會影響γ射線能譜，特別是當(dāng)放射源的β射線強(qiáng)、能量高而γ射線較弱時(shí)，軔致輻射的影響就更為嚴(yán)重。說明γ射線的能量分辨率的含義、常用表達(dá)方式。答：能量分辨率是表征γ射線譜儀對能量相近的γ射線分辨本領(lǐng)的重要參量，可用全能峰的半高寬度FWHM（Full Width of Half Maximum）)或相對半高寬度(%)來表示。? 半高寬(FWHM)：ΔE常用于分辨率較高的探測器，如半導(dǎo)體探測器? 相對半高寬(%)：常用于分辨率較低的探測器，如NaI(Tl)探測器簡述如何對γ譜儀進(jìn)行能量刻度？答：步驟如下：從理論上講，E∝脈沖幅度V(t) ∝道址數(shù) CH，因此E與CH滿足正比關(guān)系：E=KCH。但實(shí)際上存在非線性原因，因此用E=aCH+b來表達(dá)E與CH之間的關(guān)系，其中a和b為刻度系數(shù)。選擇一組不同能量范圍（高能、中能、低能范圍）的標(biāo)準(zhǔn)源（刻度源）用以確定參數(shù)a和b。如：選用高能、中能、低能范圍的3個(gè)伽瑪射線能量值E0 、E E2，從譜儀測量得到的γ能譜中找到對應(yīng)的道址CH0 、CH CH2，從而確定參數(shù)a和b，得到刻度曲線。簡述γ射線束通過物質(zhì)時(shí)譜成分的變化規(guī)律。說明譜平衡的含義。答：變化規(guī)律如下：康普頓散射使射線能量減低，光電效應(yīng)使射線減少，通過物質(zhì)后射線譜線變復(fù)雜；確定刻度曲線（E和CH之間的數(shù)學(xué)表達(dá)式）吸收介質(zhì)厚度增加，多次康普頓散射比例增大，到一定吸收層厚度時(shí)，散射射線成為譜主要成分；隨吸收介質(zhì)厚度增加，由于多次康普頓散射比例增大，射線向低能方向聚集。譜平衡：（γ）射線通過吸收物質(zhì)時(shí)，當(dāng)吸收層大于一定厚度后，射線組分聚集在低能區(qū)，射線各能量之間的相對組分基本保持不變，達(dá)到譜平衡。達(dá)到“譜平衡”時(shí)，不論起始光子能量大小，射線譜的形狀是一樣的。散射成分能量變軟，都向低能方向聚集，在某一低能區(qū)出現(xiàn)譜峰。吸收介質(zhì)不同，峰值對應(yīng)能量也不同。
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