介質(zhì)損耗角測量方法-資料下載頁
2025-05-03 18:42本頁面
【正文】 9。1239。 XXXCXCXXCXXCCUIIUIC ??????? 西林電橋測量法的其他影響因素 溫度對 tanδ值的影響很大，具體的影響程度隨絕緣材料和結(jié)構(gòu)的不同而異。一般來說， tanδ隨溫度的增高而增大?，F(xiàn)場試驗時的絕緣溫度是不一定的，所以為了便于比較，應(yīng)將在各種溫度下測得的tanδ值換算到 20℃ 時的值。 圖 411 與試驗電壓的典型關(guān)系曲線 1良好的絕緣 2絕緣中存在氣隙 3受潮絕緣 2. 試驗電壓的影響 3. 試品電容量的影響 對于電容量較小的試品 (例如套管、互感器等 )，測量 tanδ能有效地發(fā)現(xiàn)局部集中性缺陷和整體分布性缺陷。但對電容量較大的試品 (例如大中型發(fā)電機(jī)、變壓器、電力電纜、電力電容器等 )測量 tanδ只能發(fā)現(xiàn)整體分布性缺陷 4. 試品表面泄漏的影響 試品表面泄漏電阻總是與試品等值電阻 Rx并聯(lián)，顯然會影響所測得的 tanδ值，這在試品的 Cx較小時尤需注意。 返回 (本節(jié)完 ) 小 結(jié) ?測量 值是判斷電氣設(shè)備絕緣狀態(tài)地一項靈敏有效的方法。 ? 值的測量，最常用的是西林電橋。 ? 的測量受一系列外界因素的影響。試驗中應(yīng)盡可能采用屏蔽，除污等方法消除這些影響。 ?tg?tg?tg
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