介質損耗角測量方法(完整版)
【正文】 一極往往是固定接地的。 xI?I??xI39。tantan39。一般來說， tanδ隨溫度的增高而增大。 ?tg?tg?tg。 圖 411 與試驗電壓的典型關系曲線 1良好的絕緣 2絕緣中存在氣隙 3受潮絕緣 2. 試驗電壓的影響 3. 試品電容量的影響 對于電容量較小的試品 (例如套管、互感器等 )，測量 tanδ能有效地發(fā)現(xiàn)局部集中性缺陷和整體分布性缺陷。tantan39。 撤消 BD短接 ， 再調節(jié)測量介質損耗角正切值 。 圖 48 西林電橋反接線原理圖 返回 在現(xiàn)場進行測量時，試品和橋體往往處在周圍帶電部分的電場作用范圍之內，雖然電橋本體及連接線都如前所述采取了屏蔽，但對試品通常無法做到全部屏蔽。 介質損耗角正切值的測量 上節(jié)的基本內容： 絕緣預防性試驗：絕緣特性試驗 耐壓試驗 絕緣電阻的測量：數(shù)字兆歐表 所能發(fā)現(xiàn)的缺陷：總體絕緣質量下降 絕緣整體受潮 存在貫穿性導電通道 介質損耗：電介質在電壓作用下有能量損耗，電介質的能量損耗簡稱介質損耗 電介質的等值
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