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研究生入學(xué)考試復(fù)習(xí)大綱-資料下載頁(yè)

2025-06-07 21:26本頁(yè)面
  

【正文】 效電路的概念與分析方法MOSFET器件頻率特性的影響因素CMOS基本技術(shù)及閂鎖現(xiàn)象(三)MOSFET器件的深入概念 MOSFET中的非理想效應(yīng);MOSFET的按比例縮小理論;小尺寸器件的閾值電壓;MOSFET器件的擊穿特性理解實(shí)際器件與理想特性之間的偏差及其原因器件按比例縮小的基本方法動(dòng)態(tài)電路方程及其求解短溝道效應(yīng)與窄溝道效應(yīng)對(duì)MOSFET器件閾值電壓的影響MOSFET器件的各種擊穿模式,擊穿電壓的影響因素三、 試卷結(jié)構(gòu)與考試方式題型結(jié)構(gòu):名詞解釋、簡(jiǎn)答題、問(wèn)答題、計(jì)算題、判斷題、繪圖題等。試卷滿分為150分??荚嚪绞剑洪]卷,考試必須按照規(guī)定攜帶不具備編程和存儲(chǔ)功能的函數(shù)計(jì)算器??荚嚂r(shí)間:180分鐘。四、 參考書目《半導(dǎo)體物理學(xué)》(第七版),劉恩科、朱秉升、羅晉生等著,電子工業(yè)出版社 2011年3月?!栋雽?dǎo)體物理與器件》(第4版)趙毅強(qiáng)等譯 電子工業(yè)出版社 2013年。5
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