freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

電子技術(shù)基礎(chǔ)數(shù)字部分第五版課后答案-資料下載頁

2025-06-06 18:10本頁面
  

【正文】 (2)求激勵方程組和輸出方程由表題解 6.3.1 畫出各觸發(fā)器 J、K 端和電路輸出端 y 的卡諾圖,如圖題解 6.3.1(a ) 所示。從而,得到化簡的激勵方程組輸出方程Y=Q1Q0Q1Q0A由輸出方程和激勵方程話電路 試用下降沿出發(fā)的 D 觸發(fā)器設(shè)計一同步時序電路,狀態(tài)圖如 (a ), S0S1S2 的編 碼如 (a)解:圖題 6 .3 。4 (b)以卡諾圖方式表達出所要求的狀態(tài)編碼方案,即 S0=00,Si=01, S2=10,S3 為無效狀態(tài)。電路需要兩個下降沿觸發(fā)的D 觸發(fā)器實現(xiàn),設(shè)兩個觸發(fā)器的輸出 為 QQ0,輸人信號為 A,輸出信號為 Y(1)由狀態(tài)圖可直接列出狀態(tài)轉(zhuǎn)換真值表,如表題解6。3.4 所示。無效狀態(tài)的次態(tài)可用 無關(guān)項表示。(2)畫出激勵信號和輸出信號的卡諾圖。根據(jù) D 觸發(fā)器的特性方程,可由狀態(tài)轉(zhuǎn)換真值表 直接畫出 2 個卡諾圖,如圖題解6.3。4(a )所示。 |(3)由卡諾圖得激勵方程輸出方程Y=AQ1(4)根據(jù)激勵方程組和輸出方程畫出邏輯電路圖,如圖題解6.3.4(b)所示。 (5)檢查電路是否能自啟動。由 D 觸發(fā)器的特性方程 Q^←l=D,可得圖題解 6.3,4(b) 所示電路的狀態(tài)方程組為代入無效狀態(tài) 11,可得次態(tài)為 00,輸出 Y=1。如圖(c) 試畫出圖題⒍⒌1 所示電路的輸出(Q3—Q0)波形,分析電路的邏輯功能。解:74HC194 功能由 S1S0 控制00 保持, 01 右移 10 左移 11 并行輸入當(dāng)啟動信號端輸人一低電平時,使 S1=1,這時有 S 。=Sl=1,移位寄存器 74HC194 執(zhí)行并 行輸人功能,Q3Q2Q1Q0=D3D2D1D0=1110。啟動信號撤消后,由于 Q。=0 ,經(jīng)兩級與 非門后,使 S1=0,這時有 S1S0=01,寄存器開始執(zhí)行右移操作。在移位過程中,因為 Q3Q QQ0 中總有一個為 0,因而能夠維持 S1S0=01 狀態(tài),使右移操作持續(xù)進行下去。其移位 情況如圖題解 6,5,1 所示。由圖題解 6.5。1 可知,該電路能按固定的時序輸出低電平脈沖,是一個四相時序脈沖產(chǎn)生 電路。 試用上升沿觸發(fā)的 D 觸發(fā)器及門電路組成3 位同步二進制加 1 計數(shù)器;畫出邏輯圖 解:3 位二進制計數(shù)器需要用 3 個觸發(fā)器。因是同步計數(shù)器,故各觸發(fā)器的CP 端接同一時 鐘脈沖源。(1)列出該計數(shù)器的狀態(tài)表和激勵表, 所示‘(2) 用卡諾圖化簡,得激勵方程(3)畫出電路 用 JK 觸發(fā)器設(shè)計一個同步六進制加1 計數(shù)器 解:需要 3 個觸發(fā)器 (1)狀態(tài)表,激勵表(2)用卡諾圖化簡得激勵方程(3)畫出電路圖(4)檢查自啟動能力。當(dāng)計數(shù)器進入無效狀態(tài)110 時,在 CP 脈沖作用下,電路的狀態(tài)將按 110→111-→000 變化,計數(shù)器能夠自啟動。 試用 74HCT161 設(shè)計一個計數(shù)器,其計數(shù)狀態(tài)為自然二進制數(shù)1001~1111。解:由設(shè)計要求可知,74HCT161 在計數(shù)過程中要跳過 0000~1000 九個狀態(tài)而保留 1001~ 1111七個狀態(tài)。因此,可用“反饋量數(shù)法”實現(xiàn):令 74HCT161 的數(shù)據(jù)輸人端 D3D2D1D0 =1001,并將進位信號 TC 經(jīng)反相器反相后加至并行置數(shù)使能端上。所設(shè)計的電路如圖題解 6。5.15 所示。161 為異步清零,同步置數(shù)。 試分析電路,說明電路是幾進制計數(shù)器解:兩片 74HCT161 級聯(lián)后,最多可能有 162=256 個不同的狀態(tài)。而用“反饋置數(shù)法”構(gòu) 成的圖題 6.5。18 所示電路中,數(shù)據(jù)輸人端所加的數(shù)據(jù) 01010010,它所對應(yīng)的十進制數(shù)是 82,說明該電路在置數(shù)以后從 01010010 態(tài)開始計數(shù),跳過了 82 個狀態(tài)。因此,該計數(shù)器的 模 M=255-82=174,即一百七十四進制計數(shù)器。 試用 74HCT161 構(gòu)成同步二十四一制計數(shù)器,要求采用兩種不同得方法。 解:因為 M=24,有 16<M<256,所以要用兩片 74HCT161。將兩芯片的 CP 端直接與計數(shù) 脈沖相連,構(gòu)成同步電路,并將低位芯片的進位信號連到高位芯片的計數(shù)使能端。用“反饋 清零法”或“反饋置數(shù)法”跳過 256-24=232 個多余狀態(tài)。反饋清零法:利用 74HCT161 的“異步清零”功能,在第 24 個計數(shù)脈沖作用后,電路的輸 出狀態(tài)為 00011000時,將低位芯片的 Q3 及高位芯片的 Q0 信號經(jīng)與非門產(chǎn)生清零信號,輸 出到兩芯片的異步清零端,使計數(shù)器從 00000000 狀態(tài)開始重新計數(shù)。其電路如圖題解 6.5. 19(a )所示。反饋置數(shù)法:利用 74HCT161 的“同步預(yù)置”功能,在兩片 74HCT161 的數(shù)據(jù)輸入端上從高 位到低位分別加上 11101000(對應(yīng)的十進制數(shù)是 232),并將高位芯片的進位信號經(jīng)反相器 接至并行置數(shù)使能端。這樣,在第23 個計數(shù)脈沖作用后,電路輸出狀態(tài)為11111111,使進 位信號 TC=1,將并行置數(shù)使能端置零。在第 24 個計數(shù)脈沖作用后,將 11101000狀態(tài)置人 計數(shù)器,并從此狀態(tài)開始重新計數(shù)。其電路如圖題解6。5.19(b)所示。第七章 習(xí)題答案 指出下列存儲系統(tǒng)各具有多少個存儲單元,至少需要幾根地址線和數(shù)據(jù)線。(1)64K1 (2)256K4 (3)lM1 (4)128K8解:求解本題時,只要弄清以下幾個關(guān)系就能很容易得到結(jié)果: 存儲單元數(shù)=字?jǐn)?shù)位數(shù)地址線根數(shù)(地址碼的位數(shù))n 與字?jǐn)?shù) N 的關(guān)系為:N=2n 數(shù)據(jù)線根數(shù)=位數(shù)(1)存儲單元〓64K1〓64K(注:lK=1024);因為,64K〓2 ’。,即亢〓16,所以地址 線為 16 根;數(shù)據(jù)線根數(shù)等于位數(shù),此處為1 根。同理得:(2)1M 個存儲單元,18 根地址線,4 根數(shù)據(jù)線。(3)1M 個存儲單元,18 根地址線,1 根數(shù)據(jù)線。 ! _ (4)lM 個存儲單元,17 根地址線,8 根數(shù)據(jù)線。 設(shè)存儲器的起始地址為全0,試指出下列存儲系統(tǒng)的最高地址為多少?(1)2K1 (2)16K4 (3)256K32解:因為存儲系統(tǒng)的最高地址=字?jǐn)?shù)十起始地址一1,所以它們的十六進制地址是:(1) 7FFH (2) 3FFFH (3) 3FFFFH '7,2.4 一個有 1M1 位的 DRAM,采用地址分時送人的方法,芯片應(yīng)具有幾條地址線? 解:由于 1M=210210,即行和列共需 20 根地址線。所以,采用地址分時送人的方法,芯片 應(yīng)具有 10 根地址線。7.2.5 試用一個具有片選使能 CE、輸出使能 OE、讀寫控制 WE、容量為 8 K8 位的 sRAM 芯片,設(shè)計一個 16K16 位的存儲器系統(tǒng),試畫出其邏輯圖。解:采用 8K8 位的 sRAM 構(gòu)成 16K16 位的存儲器系統(tǒng),必須同時進行字?jǐn)U展和位擴展。 用 2 片 8K8 位的芯片,通過位擴展構(gòu)成 8K16 位系統(tǒng),此時需要增加 8 根數(shù)據(jù)線。要將 8K16 位擴展成 16K16 位的存儲器系統(tǒng),還必須進行字?jǐn)U展。因此還需 2 片 8K8 位的 芯片通過同樣的位擴展,構(gòu)成8K16 位的存儲系統(tǒng),再與另一個8K16 位存儲系統(tǒng)進行 字?jǐn)U展,從而實現(xiàn) 16K16 位的存儲器系統(tǒng),此時還需增加 1 根地址線。系統(tǒng)共需要 4 片 8K8 位的 SRAM 芯片。用增加的地址線 A13 控制片選使能 CE 便可實現(xiàn)字?jǐn)U展,兩片相同地址的sRAM 可構(gòu)成 16 位數(shù)據(jù)線。其邏輯圖如圖題解 7。2.5 所示。其中(0)和(1)、(2)和(3)分別構(gòu)成兩個 8K16 位存儲系統(tǒng);非門將 A13 反相,并將 A13 和/A13 分別連接到兩組 8K16 的片選使 能端 CE 上,實現(xiàn)字?jǐn)U展。
點擊復(fù)制文檔內(nèi)容
公司管理相關(guān)推薦
文庫吧 www.dybbs8.com
備案圖鄂ICP備17016276號-1