有機(jī)合成反應(yīng)理論ppt課件-資料下載頁
2025-05-12 12:18本頁面
【正文】 十分復(fù)雜的，主要包括：216。 取代基 的電子效應(yīng)和空間效應(yīng)；216。 介質(zhì)與底物 的相互作用；216。 介質(zhì)與進(jìn)攻試劑 的相互作用，以及由此引起的進(jìn)攻試劑與底物之間的相互作用的改變；216。 不同條件下引起的 過渡態(tài)結(jié)構(gòu) 改變等。影響二元取代產(chǎn)物異構(gòu)體比例的因素： 苯的二元親電取代反應(yīng)影響因素已有取代基的空間效應(yīng)和極性效應(yīng)反應(yīng)劑的空間效應(yīng)和極性效應(yīng)反應(yīng)條件的影響極性類似時(shí)，空間效應(yīng)主導(dǎo)；216。烷基苯硝化時(shí)候體積增大，對(duì)位產(chǎn)物增多極性相差大時(shí)，極性效應(yīng)主導(dǎo)。216。鹵代苯硝化時(shí)從 F到 I，雖然體積增大，但是鄰位產(chǎn)物增加，就是由于極性效應(yīng)的影響。親電試劑的體積大，對(duì)位產(chǎn)物多；個(gè)別情況親電試劑可以與已有取代基形成絡(luò)合物，使鄰位產(chǎn)物含量增加216。溫度：增加溫度，可以使反應(yīng)從不可逆轉(zhuǎn)變成可逆，導(dǎo)致熱力學(xué)穩(wěn)定產(chǎn)物增加；（P38）216。催化劑：影響親電試劑能力；216。介質(zhì)：通過溶劑化程度影響底物和親電試劑。苯的二元親電取代分速因素： 苯的二元親電取代反應(yīng)分速因素：取代苯中某一位置的二元取代速度與苯的一個(gè)位置的一元取代速度之比?？梢杂糜诒容^取代苯上各個(gè)位置的反應(yīng)速率。其中 fz z位置的分速因素； z 鄰、對(duì)、間位； y z位置的數(shù)目； kr 取代苯與苯的相對(duì)取代反應(yīng)速率常數(shù)； x z位置異構(gòu)產(chǎn)物的分?jǐn)?shù)。例子：甲苯硝化反應(yīng)，產(chǎn)物：鄰位 %，間位 %，對(duì)位 37%， kr 27,求分速因素！ 苯的多元親電取代反應(yīng)? 苯環(huán)上已有取代基的定位效應(yīng)具有加和性；? 當(dāng)苯環(huán)上已有取代基對(duì)新取代基定位效應(yīng)不一致時(shí)，新取代基進(jìn)入苯環(huán)的位置取決于已有取代基定位效應(yīng)的強(qiáng)弱；? 當(dāng)苯環(huán)上兩個(gè)取代基都是鈍化基時(shí)，很難再進(jìn)入新取代基；? 取代基一般不進(jìn)入 1,3取代苯的 2位。? P40 。 稠環(huán)芳烴的親電取代反應(yīng)萘的一元親電取代：a取代的中間體正離子共振結(jié)構(gòu)b取代的中間體正離子共振結(jié)構(gòu)216。通常條件下，親電取代時(shí)， a位比 b位活潑，主要得到 a位取代產(chǎn)物；216。高溫磺化時(shí)得到熱力學(xué)穩(wěn)定產(chǎn)物 —— b位取代產(chǎn)物（空間位阻）硝化 氯化 低溫磺化 稠環(huán)芳烴的親電取代反應(yīng)萘的二元親電取代：? 已有取代基為活化基團(tuán)時(shí)，第二取代基進(jìn)入已有取代基相同環(huán)；? 已有取代基為鈍化基團(tuán)時(shí)，第二取代基進(jìn)入另外一個(gè)環(huán)。蒽醌親電取代：? 蒽醌磺化時(shí)候有無汞鹽存在對(duì)產(chǎn)物取代位置有很大影響，無汞鹽催化時(shí)以 b位為主，有汞鹽存在時(shí)候以 a位為主；? 蒽醌的二元親電取代定位規(guī)律與萘二元親電取代定位規(guī)律類似。 自由基反應(yīng)? 重要的反應(yīng)類型；? 氣相和非極性溶劑中常見；? 反應(yīng)是典型的連鎖反應(yīng)；? 容易轉(zhuǎn)移和終止? 自由基的形成– 光解：– 熱解 :– 氧化還原? 自由基反應(yīng)的分類– 奪取反應(yīng)– 加成反應(yīng)– 偶聯(lián)及歧化反應(yīng)歷程： 自由基反應(yīng)
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