變溫霍爾實(shí)驗(yàn)ppt課件-資料下載頁
2025-05-06 18:07本頁面
【正文】 小測量誤差。 七、數(shù)據(jù)分析 22 39。22 39。 2() ()( ) ( )pnHpnA p n A p n bRq p n q p n b????? ?????數(shù)據(jù)分析 ? 對于本征半導(dǎo)體，或是溫度在本征范圍內(nèi)的雜質(zhì)半導(dǎo)體，因 n=p， RH0，隨著溫度的升高， n和 p都會增大， RH的絕對值減小。 ? P型半導(dǎo)體，當(dāng)溫度在雜質(zhì)導(dǎo)電范圍內(nèi)，導(dǎo)帶中的電子很少， pnb’，因此 RH0,溫度升高后，本征激發(fā)的載流子濃度增加， n增大，當(dāng) p=nb’2時(shí)， RH＝ 0，溫度再升高，則 pnb’2, RH0。 (11)式中分母增大， RH減小，將會達(dá)到一個(gè)負(fù)的極值。 ? 對于 n型半導(dǎo)體，不管是在什么溫度，空穴數(shù)不會比電子數(shù)多，故 nb’p， RH0，不會改變符號。 數(shù)據(jù)分析 數(shù)據(jù)分析 ? 現(xiàn)以 p型半導(dǎo)體為例分析： ? (1) 低溫區(qū)：在低溫區(qū)雜質(zhì)部分電離，雜質(zhì)電離產(chǎn)生的載流子濃度隨溫度升高而增加，而且 μp在低溫下主要取決于雜質(zhì)散射，它也隨溫度升高而增加。因此，σ隨 T的增加而增加，見圖中（ a）段。 ? (2) 室溫附近：此時(shí)雜質(zhì)已全部電離，載流子濃度基本不變，這時(shí)晶格散射起主要作用，使 μp隨 T的升高而下降，導(dǎo)致 σ隨 T的升高而下降，見圖中（ b）段 . ? (3) 高溫區(qū)：在這區(qū)域中，本征激發(fā)產(chǎn)生的載流子濃度隨溫度升高而指數(shù)地劇增，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過 μp的下降作用，致使 σ隨 T而迅速增加，見圖中（ c）段 . 遷移率 單晶硅中電子遷移率和溫度及雜質(zhì)濃度的關(guān)系（晶格和雜質(zhì)散射） 非簡并半導(dǎo)體 謝 謝
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