功放分析制作ppt課件-資料下載頁
2025-05-06 12:06本頁面
【正文】 ? ?II C B OC E O ??? 1ICEO受溫度的影響大， ICEO越小越好 極限參數(shù)： （ 4） 集電極最大允許電流 ICM 集電極電流 IC上升會導(dǎo)致三極管的 ?值的下降，當 ?值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為 ICM。 （ 5） 集 射極反向擊穿電壓 U(BR)CEO （ 6）集電極最大允許耗散功耗 PCM 集電極電流流過集電結(jié)時，產(chǎn)生的功耗使結(jié)溫升高，結(jié)溫太高時會使晶體管燒毀，因此規(guī)定 PC =IC UCE ? PCM 。 PCM取決于三極管允許的溫升，一般硅管允許結(jié)溫約為 150?C，鍺管約為 70?90?C。 基極開路時，集電極和發(fā)射極之間最大允許電壓。當集 —射極之間的電壓 UCE 超過一定的數(shù)值時，三極管就會被擊穿。使用時，一般取 UU C E OBRCC )()32~21(?ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作區(qū) 由三個極限參數(shù)可畫出三極管的安全工作區(qū) IC UCE O 晶體管參數(shù)與溫度的關(guān)系 （ 1）溫度每增加 10?C， ICBO增大一倍。硅管優(yōu)于鍺管。 （ 2）溫度每升高 1?C， UBE將減小 (2～ )mV，即晶體管 具有負溫度系數(shù)。 （ 3）溫度每升高 1?C， ? 增加 %～ %。
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