光電子材料激光ppt課件-資料下載頁
2025-05-06 04:11本頁面
【正文】 07 300 氙閃光燈 La2Be2O5 Nd3+ － 5mm 50mm棒 , 輸出 9W（連續(xù)） 300 碘鎢燈 表： 波長可調激光晶體及工作性能 激活離子 基質晶體 激光波長（ 181。m) 溫度（ K） 工作方式 泵浦源 Ti3+ Al2O3 BeAl2O4 ~ ~ 300 300 脈沖，連續(xù) 脈沖 激光器，燈 激光器 V3+ CsCaF3 MgF2 ~ ~ 80 200 連續(xù) 氪激光器 Cr3+ BeAl2O4 Be3Al2Si6O12 KZnF3 ZnWO4 Y3Ga5O12 Gd3Ga5O12 Gd3Sc2Al3O12 Y3Sc2Ga3O12 Gd3Sc2Ga3O12 La3Lu2Ga3O12 ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ 300 80 300 77 300 300 300 300 300 300 脈沖，連續(xù) 脈沖 脈沖 連續(xù) 連續(xù) 連續(xù) 連續(xù) 連續(xù) 連續(xù) 燈 燈 氪激光器 激光器 激光器 激光器 激光器 激光器 激光器 Co3+ MgF2 KMgF3 KZnF3 ZnF2 ~ ~ ~ 80~225 80 80~200 77 連續(xù) 連續(xù) Nd:YAG激光器 氬激光器 Ni2+ MgO CaY2Mg2Ge3O12 KMgF3 MgF2 MnF2 ~ ~ ~ 77 80 77~300 80~200 77~85 脈沖，連續(xù) 連續(xù) 脈沖，連續(xù) Nd:YAG激光器 半導體激光材料的制取方法 半導體激光器主要用于光學器件、激光唱盤、激光印刷機和光纖通信等領域。 目前研制的半導體激光材料體系，短波長 (~)材料以 (Ga, Al)As／ GaAs為主；長波長 (~ 181。m)材料以(In, Ga)(As, P)／ InP為主。因此 GaAs， InP襯底材料及 ((Ga, Al)As， (In, Ga)(As, P)外延膜 質量至關重要。 襯底用 GaAs單晶的生長，目前用 高壓液體覆蓋直拉(LEC) 法 已獲得 Φ125mm的高純單晶。在生長過程中，通過采取理想的熱環(huán)境，盡可能使固－液界面保持低的溫度梯度，保持表面凹向熔體以及進行等電子摻雜等措施，顯著降低了位錯密度。 用水平布里支曼 (HB)法 已獲得寬 80mm、長 100mm的 D型 GaAs晶體，位錯密度比 LEC晶體低，更適合作襯底材料。生長 InP遠比 GaAs困難，通常用 LEC法生長，已能生長直徑達 75mm、重 InP單晶。 ? 外延膜的生長除常用的液相外延外，分子束外延 (MBE)和金屬有機化學氣相沉積 (MOCVD)等新的薄膜生長方法發(fā)展很快。 ? 目前生長 GaAs和 (Ga, A1)As量子阱結構(~ 181。m)以用 MBE和 MOCVD為宜，對波長~ 181。m的 (In, Ga)(As, P)/InP體系，以用氫化物輸運氣相外延為宜。 （ 1） 激光可在很小的區(qū)域上聚焦很高的功率密度： ?在工業(yè)制造中可進行精確的切削、鉆孔和表面改性 ?做精密的醫(yī)療手術 ?作用于微型靶實現激光核聚變。 激光應用 （ 2）激光光譜技術比傳統(tǒng)的分辨率提高了百萬倍，靈敏度提 高了百億倍；激光為信息技術開拓了豐富的頻率資源； ?布滿全球的光纖網，加上衛(wèi)星通信網，形成了信息高速公路的基礎； ?光存儲、激光全息、激光照排、打印及條碼掃描技術等，提供了全新的多樣化的信息服務。 （ 3） 激光技術開辟了嶄新的軍事應用： ? 激光瞄準、制導、測距 ? 激光雷達 ? 激光引信 ? 激光致盲傳感器 ? 高能強激光武器等 （ 4）激光光盤 ? 存儲密度大 ? 保存時間長 ? 信息處理方便 37 光盤的工作原理 CD光盤剖面圖 光盤結構 ?謝謝！
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