俄歇電子能譜ppt課件-資料下載頁
2025-05-06 01:38本頁面
【正文】 ，在注入層中， Sb MNN的俄歇動能為 eV和 eV，而純 Sb2O3的俄歇動能為 eV和 。 表明離子注入的 Sb并不以三價態(tài)的 Sb2O3存在，也不以金屬態(tài)存在。 由此可見，離子注入 Sb薄膜的電阻率的降低不是由于金屬態(tài)的 Sb所產(chǎn)生的。這與 Sb與SnO2的相互作用有關(guān)。 Sb中的部分 5p軌道的價電子轉(zhuǎn)移到 Sn的 5s軌道，改變了薄膜的價帶結(jié)構(gòu)，從而促使薄膜導(dǎo)電性能的大幅度提高。 440 450 460SbIm p la n te dL a y e rSb2O3P u r e4 6 0 .34 5 1 .54 4 7 .2 e V4 5 5 .1 e V4 5 0 .04 5 7 .3Ki n e t i c En e rg y [ e V ]Counts [a.u.]在 Sb離子注入薄膜層中 Sb MNN俄歇線形 固體化學(xué)反應(yīng)研究 ? 俄歇電子能譜在薄膜的固體化學(xué)反應(yīng)研究上也有著重要的作用。金剛石顆粒是一種重要的耐磨材料，經(jīng)常包覆在金屬基底材料中用作切割工具和耐磨工具。為了提高金剛石顆粒與基底金屬的結(jié)合強(qiáng)度，必須在金剛石表面進(jìn)行預(yù)金屬化。 固體化學(xué)反應(yīng)研究 ? 圖是金剛石表面鍍 Cr樣品的俄歇深度分析圖。從圖上可見，在金剛石表面形成了很好的金屬 Cr層。 Cr層與金剛石的界面雖有一定程度的界面擴(kuò)散，但并沒有形成穩(wěn)定的金屬化合物相出現(xiàn)。在高真空中經(jīng)高溫?zé)崽幚砗螅涠硇疃绕饰鰣D發(fā)生了很大的變化。 0 10 20 30020406080100S p u t t e r in g T im e [ m in ]ACP [％]CCrOCrCCr/金剛石原始薄膜的俄歇深度分析 固體化學(xué)反應(yīng) ? 從圖可見，熱處理后，在 Cr/C界面上發(fā)生了固相化學(xué)反應(yīng)，并形成了兩個界面化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物層。表面層為CrC物種，而中間層為 Cr3C4物種。 0 10 20 30 40 50 60 70020406080100S p u t t e r in g T im e [ m in ]ACP [％]CCrOCrCD e p t h BD e p t h CD e p t h ACr/金剛石薄膜經(jīng)真空熱處理后的俄歇深度分析 固體化學(xué)反應(yīng) ? 圖是熱處理后樣品不同深度處的俄歇線形譜。從 Cr LMM俄歇線形上，可以獲得在界面層上的確發(fā)生了化學(xué)反應(yīng)并形成了新的物種 CrCx。但從該線形還是難以分辨 CrC和 Cr3C4物種。但從 Cr MVV譜可見， CrC與 Cr3C4物種的俄歇動能還是有微小的差別。從 C KLL俄歇線形上也可見，界面反應(yīng)的確形成了金屬碳化物。 520 530K in e t ic E n e r g y [ e V ]N(E) [a.u.]5 2 2 . 4 A : C r2O3B: D e p t h AC : D e p t h BD : D e p t h CE: Pu re C r2C3F : Pu re C r5 1 9 . 4EDCAB5 2 3 . 9F25 30 35 40K in e t ic E n e r g y [ e V ]N(E) [a.u.]C3 0 . 12 8 . 53 2 . 5AA : C r2O3B: D e p t h AC : D e p t h BD : D e p t h CE: C r2C3F : Pu re C rBDEF( b )240 250 260 270 280K in e t ic E n e r g y [ e V ]dN(E)/dE [a.u.]ABCDEA : Pu re C r2C3 B: D e p t h AC : D e p t h BD : D e p t h CE: D ia mo n dCr LM1M2 Cr LM3M4 Cr MVV 475 480 485 490 495K in e t ic E n e r g y [ e V ]N(E) [a.u.]4 8 4 . 5 A : C r2O3B : D e p t h AC : D e p t h BD : D e p t h CE : P u r e C r2C3F : P u r e C r4 8 5 . 84 8 0 . 4EDCABF( a )C KLL END
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