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aecq101中文標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范方案-資料下載頁

2025-05-05 23:02本頁面
  

【正文】 ●●●                        芯片尺寸 ●● ●   ●E●       ● ●  ●M ●F佈線 ●●●3   ●E3             M ● 場終端 ●● ● ●● E●             M   芯片生產(chǎn)芯片來源 ●●    ●●           ●   9,M  R印刷 ●44   6,7             1     P擴(kuò)散 ●5,65  66 ●6             M  PR摻雜/肖特基勢壘 ●5,0      ●              M  R離子注入 ●5,6●  66 ●6             M  PR多晶硅 ●●●●    E●             M●●P金屬化(頂面) ●8 ●●●●●E●       ●  ●●   ● 金屬化(側(cè)面) ●  ●  ●●         ● ●  ●    鈍化/玻璃鈍化 ●●●● ●●●●●          ●      氧化 ● ●7 66●E6,7              ●  外延生長 ●●                     M  R蝕刻 ●64  6,76,7  6,7          1,7  8,M4  背面操作 ●  ● ●●●         ● ●  ●   A生產(chǎn)現(xiàn)場運輸 ●●●●●●●●E●         ●●●●M● AIPRS組裝芯片外被  ●●● ●●● ●      H   ●      引線框電鍍/無鉛封裝D   C CC   D D   H DC2C C    引線框 Mat39。l/來源●   ●●●●●  ●●    H●●●2 ●  ●AFX封裝/LF 尺寸    ●  ●●  ●     H  ●  ●  ● 邦線 ●  ●● ●● ●       ●  ●●   ● 芯片分割 ●  ●   ●                   芯片準(zhǔn)備/清潔 ●  ● ●●             ● ●   X芯片粘接 ●  ● ●●●        H● ●  ●  ●AX封裝材料●●●●●●●●● ●● B   H●●●    ● AFG封裝過程● ●●●●●●● ●● B   H●●       AG密封H   H HH  H H HHHHH         新封裝●●●●●●●●●●●●●BHHHH●●●  ● ●● 測試過程/順序 ●                          封裝標(biāo)識             B              組裝現(xiàn)場運輸●●●●●●●●● ●●●●  HH●● ●●●   AGISXA:聲學(xué)顯微B:非激光蝕刻C:僅適用於引線框電鍍變更D: 僅適用於無鉛封裝E:如果適用F:有限元分析G:玻璃化轉(zhuǎn)換溫度H: 僅適用於密封器件I: 早夭折率M: 僅適用於功率MOS/IGBTP: CV Plot (MOS only)S: 穩(wěn)態(tài)死亡率X: XRay1: 如果焊盤受影響2: 驗證2後3: 僅適用於外圍變化4: 僅適用於氧化腐蝕,腐蝕優(yōu)先於氧化5: 來源或渠道變化6: 場終端變化7: 鈍化變更8: 聯(lián)繫變更9:外延變化0: 肖特基勢壘變更您好,歡迎您閱讀我的文章,本W(wǎng)ORD文檔可編輯修改,也可以直接打印。閱讀過后,希望您提出保貴的意見或建議。閱讀和學(xué)習(xí)是一種非常好的習(xí)慣,堅持下去,讓我們共同進(jìn)步。您好,歡迎您閱讀我的文章,本W(wǎng)ORD文檔可編輯修改,也可以直接打印。閱讀過后,希望您提出保貴的意見或建議。閱讀和學(xué)習(xí)是一種非常好的習(xí)慣,堅持下去,讓我們共同進(jìn)步。
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